铝酸锶铕镝长余辉材料研究

针对近年国内外研究SrAl2O4:Eu,Dy长余辉材料的主要进展,从材料制备、余辉机理、光谱特性等方面进行概要综述,并展望稀土铝酸盐长余辉材料的发展前景.     

稀土掺杂铝酸锶长余辉薄膜制备方法的研究现状

稀土掺杂铝酸锶薄膜在长余辉夜视照明、无损实时可视化探测、机械应力传感器、纳米光电子器件、二维温度传感器以及薄膜太阳能电池等领域具有极为广阔、诱人的应用前景.要实现以上应用,首要条件是制备出质量高、性能优良的薄膜.因此制备稀土掺杂铝酸锶薄膜成为当今研究的热点.综述了国内外制备稀土掺杂铝酸锶薄膜的主要方法,包括射频磁控溅射法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法和激光熔蒸法,并重点介绍了射频磁控溅射法;另外对各种方法的优缺点进行了阐述.     

锆、钛掺杂改性铝酸锶长余辉发光材料性能的研究

应用燃烧法合成了锆、钛掺杂SrAl2O4:Eu2+,Dy3+黄绿色长余辉发光材料,并对材料发光性能进行测试分析.结果表明,锆、钛掺杂能明显改善铝酸锶样品的发光性能.锆、钛的最佳掺杂摩尔比分别为6%和3.75%.     

不同铝锶比对铝酸锶铕镝长余辉发光材料性能的影响

通过高温固相法,控制不同的铝锶比,在1300℃下制得不同发光性能的铝酸锶铕镝发光材料,讨论了铝锶比对磷光体物相和发光性能的影响。XRD图表明,当铝锶比变化较大时,生成的铝酸锶磷光体物相完全不同。相分析和光谱显示,随着n（Al）/n（Sr）的降低,磷光体晶体结构对称性的降低,发射光谱的主峰位置逐渐向长波方向移动;不同铝锶比合成的磷光体都具有较好的长余辉特性,但铝锶比为0.5的磷光体的余辉性能还较差。综合分析认为,铝锶比为3.5,1.8的磷光体发射光谱对应于Eu^2＋离子的5d—4f跃迁,而铝锶比为0.5的发射光谱对应于Dy3＋的跃迁发射。     

B2O3含量对硼铝锶长余辉发光玻璃陶瓷性能的影响

采用高温熔融法一次成型制得了一种高亮度硼铝锶长余辉发光玻璃陶瓷.研究了B2O3含量对Eu2 ,Dy2 共掺杂硼铝锶长余辉发光玻璃陶瓷晶相组成和发光性能的影响.XRD结果表明:随着B2O3含量增加,样品中SrAl2O4相减少,SrAl2B2O7等杂相增加,从而发光性能降低.样品的激发光谱和发射光谱显示:长余辉发光玻璃陶瓷的激发峰位于370 nm,发射峰位于520 nm,归属于Eu2 的5d→8S7/2特征发光;改变B2O3含量并不会改变样品的激发峰位和发射峰位.增加B2O3含量,降低熔点,发光亮度也降低,余辉时间缩短.B2O3的摩尔百分含量为18.53%时各项性能最佳,初始亮度可达16 cd/m2,激发停止330 min时仍能达到7.96 med/m2,余辉时间长达50h.     

ATO粉体的制备工艺及其导电性能的研究

以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法制备纳米ATO粉体,考察了pH值、氨水体积比、锑的掺杂量、煅烧温度及煅烧时间对粉体导电性能的影响.运用DDS-12A型数显电导率仪测试了ATO粉体的电导率,运用了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试方法对粉体的晶型、粒径及形貌进行了表征.研究结果表明,氨水体积比为1∶3,pH值为8,煅烧温度600℃,煅烧时间4 h时所制备的纳米ATO粉体电导率值最大,即导电性能最佳.     

铝酸锶铕系发光材料的制备及其发光机理

20世纪发现和发展起来的铝酸锶铕体系长余辉发光材料是一类重要的新型能源和节能材料.综合评述了铝酸锶铕系发光材料的光学性能,对其制备方法进行了系统描述,同时对其发光机理进行了介绍,并总结了这种发光材料的研究现状.     

影响铝酸锶铕荧光粉光强因素及其余辉的研究

研究了铝酸锶铕长余辉荧光粉配制时激活剂Eu2 掺量，P2O5,B2O3及添加剂A掺量，煅烧温度，还原气氛，冷却工艺，粉磨细度等对光强的影响荧光衰减曲线用I=I1exp(-x/t1) I2exp(-x/t2) I3exp(-x/t3)拟合，给出荧光衰减曲线是由三个相差近一个数量级的寿命所组成     

前驱体预烧-共沉淀法制备SrAl2O4:Eu2+, Dy3+发光粉体及其发光性能

采用助熔剂预烧-共沉淀法制备初始荧光亮度较高的SrAl2O4：Eu^2＋,Dy^3＋发光粉体,并利用XRD、SEM、PL光谱等表征手段研究了预烧结过程与硼酸掺杂对发光粉体的结构与荧光性能的影响。结果表明：在硼酸摩尔分数为0.3和300℃空气气氛下对前驱体预烧结2 h后,粉体的结晶性能得到改善,其初始荧光强度相对于未预烧的产品,提高了2倍多。初步研究了其发光机理,发现初始强度提高的原因是经过预烧结处理能够在Eu^2＋周围产生更多的氧缺陷,从而提高了发光中心的发光效率和强度。     

醇酸清漆表面包覆改性长余辉发光材料铝酸锶的耐水性能

采用燃烧法合成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+黄绿色长余辉发光材料,并对其进行醇酸清漆包覆.对包覆材料进行了水解后电导率、发光亮度及余辉衰减曲线的测定,利用红外光谱及热重分析对包覆层进行分析.结果表明合适量的清漆包覆对发光材料的发光性能影响很小,却能有效地改善其耐水性能.合适包覆量的质量百分比约为4.2-6.3%.     

掺铒硅基玻璃的制备及光谱性质

通过溶液－凝胶技术制备了掺铒（Er)的硅基玻璃,测定了硅基玻璃中Er^3 的电子吸收光谱、红光外谱和光致发光光谱（PL谱）。结果显示,在室温下,Er在硅玻璃中产生波长1．54μm的红光荧光,其强度随掺杂浓度的不同而改变,0．5w%掺杂浓度下出现最大值。电子吸收显示Er^3 的特征吸收谱线,根据电子吸收光谱确定了Er^3 在硅基玻璃中的部分能级。     

Alq3掺杂SiO2凝胶的制备及其光谱性质

采用改进工艺制备了Alq3/SiO2复合凝胶材料，研究了其荧光光谱性质，结果表明二聚物和多聚物是导致Alq3发光谱线红移的主要原因。     

铝酸锶夜明材料制备方法研究进展

汇总了 Eu2 +激活的铝酸锶长余辉材料研究进展 ,讨论了各种制备工艺对材料的发光亮度和余辉时间等磷光行为的影响     

聚芳醚酮的制备及性能研究

本文报导了聚醚酮酮醚酮(PEKKEK)的合成,并探讨了各种聚合条件对聚合反应的影响。由此提出较为合适的聚合工艺。在合成出高分子量 PEKKEK 的基础上,进一步对聚合体的结构和性能进行了表征。红外光谱(IR)分析结果确证了聚合体中羰基和醚健的存在,差热分析(DSC)结果则表明 PEKKEK 为典型的半结晶高聚物,其熔点(380.2℃)高于 PEEK(338℃)。热失量(TGA)的测定结果表明 PEKKEK 耐热性能突出,其热稳定性明显优于 PEEK。     

单相五钼酸铵的制备及其化学性质

介绍了以多相仲钼酸铵为原料，利用其热分解性质制备单相五钼酸铵的新方法．用Ｘ射线衍射分析、差热分析、热重分析、光谱分析及化学定量分析，研究了单相五钼酸铵的化学性质．结果表明，所制备的五钼酸铵在加热过程中发生热分解反应，依次生成四钼酸铵和三氧化钼     

SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了SnS超晶胞模型并进行了几何结构优化, 对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示, SnS是一种直接带隙半导体,计算所得的带隙值0.503 eV低于实验值的1.3 eV.态密度计算表明,SnS是具有一定共价性的离子键晶体.当光子能量在0 ~ 3.10 eV和大于7.47 eV范围内时,晶体表现为介电性,在3.10 ~ 7.47 eV范围内晶体表现为金属性.SnS具有数量级105 cm-1的吸收系数,能强烈地吸收光能.     

化合物半导体纳米复合材料的制备和结构及光学特性研究

利用溶胶－凝胶工艺和原位生长技术制备了Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体纳米复合材料，得到了ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄｘＨｇ－ｘＴｅ（ｘ＝１＝０．７）纳米微晶与多孔ＳｉＯ２凝胶玻璃的复合材料。用ＸＲＤ研究了不同复合材料的结构特点，利用吸收光谱和透射光谱研究了复合材料的光学特性，发现纳米微晶的禁带宽度大于其相应体材料的禁带宽度，并且复合材料具有明显的非线笥光特性。用简并四波混频测试了样品的三阶非线性