α－Si：H快速退火电学性质的研究

对α－Ｓｉ：Ｈ材料作快速退火固体晶化工艺处理，Ｈａｌ效应测试表明：随着退火温度的增加，μＨ和σ逐渐增加．经８００℃，８ｍｉｎ退火后，样品电导率激活能０．１０４ｅＶ．     

α—Si：H快速退火电学性质的研究

对α－Ｓｉ：Ｈ材料作快速退火固体晶化工艺处理，Ｈａｌｌ效应测试表明：随着退火温度的增加，μＨ和σ逐渐增加，经８００℃ｍｉｎ退火后，样品电导率激活能０．１０４ｅＶ。     

TiAl 基合金固相焊接界面及其显微组织分析

采用惰性气氛下热压方法，研究了Ｔｉ－３３Ａｌ－３Ｃｒ（质量分数，％）合金粗大（α２／γ）层片组织材料／粗大（α２／γ）层片组织材料及粗大（α２／γ）层片组织材料／细小双态组织（γ＋α２／γ）材料焊接界面及其显微组织，以及随后的热处理退火制度对此界面的影响．试验结果表明，粗大（α２／γ）／粗大（α２／γ）界面的显微组织特征受界面粗大层片状晶团位向的影响．此类界面经过１２５０℃退火，其显微组织变化不明显，但促使γ相等轴晶退火孪晶的形成；而经过１２８０℃退火，原焊接联接界面变宽，在（α２／γ）晶团界面上发生部分再结晶现象；而经过１３５０℃退火（Ｔｉ－３３Ａｌ－３Ｃｒ合金的ｔα≈１３０５℃），整个联接件材料发生重结晶，形成新的、粗大的全层片状组织，原焊接联接界面消失．采用细晶双态组织材料与粗大全层片状组织材料对焊，可得到良好的固态焊接结合面．     

铝诱导晶化非晶硅薄膜研究

应用晶化非晶硅（a—Si）薄膜铝诱导方法，采用X射线衍射（X-ray diffraction，XRD）、光学显微镜（Optical Microscopy，OM）和原子力显微镜（Atomic Force Microscopy，AFM）等测试手段，研究了退火条件对样品晶化的影响．结果表明，样品在300℃下退火后仍为非晶态；退火温度为400℃时，样品开始晶化．随着退火时间的增加，薄膜晶化程度越来越高，晶粒越来越大，同时薄膜表面粗糙度增加．     

金属材料退火孪晶控制及应用

基于退火孪晶的晶界工程是研究与实践材料显微组织的过程,退火孪晶是具有低层错能面心立方金属经形变再结晶退火后常见的组织形态。本文首先简单介绍金属材料退火孪晶的基本概念,并分析介绍退火孪晶的形成机制,然后详细介绍金属材料退火孪晶控制的主要方法,并分析退火孪晶在金属材料中应用,最后进行全文总结分析。     

非晶合金晶化过程中结晶度的DSC法测定与控制（I）

基于非晶合金相变的热力学原理：部分晶化非晶合金的晶化即为残留非晶相的转变，其相变热应正比于残留非晶相的相含量，本文导出了部分晶化非晶合金结晶度Xc的DSC法测量公式．进一步通过对其100％无定性样DSC曲线的分析发现：部分晶化非晶合金的Xc实际上即为其100％无定性样在同样退火条件下的转变分数fc.为了检验这一推论的正确性，本文选用Ni74Sil0B16非晶合金淬态样进行了一系列的等温退火处理和等温DSC测试．结果表明：通过DSC法测定部分晶化非晶合金试样的相变热，不仅可以求出该试样结晶度的大小，而且通过对该合金100％无定形试样的DSC曲线分析和跟踪，甚至可以预测和控制该合金一定退火条件下结晶度的大小．     

纳米复相α-Fe／Nd2Fe144B材料电磁波吸收性能研究

采用熔体快淬及晶化退火工艺制备了Nd2Fe14B／α-Fe纳米晶双相材料，对该材料在0．5-18GHz频段的复介电常数、复磁导率进行了测试，其磁谱表现为驰豫型特征。由于磁损耗和介电损耗的共同作用，纳米复相Nd2Fe14B／α-Fe吸波材料在9—17GHz具有良好的吸波性能，其匹配厚度为1．6-2．5mm。     

退火张应力控制Fe基纳米微晶带各向异性场技术的研究

报道了测量Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0非晶带的应力退火方法，通过测量经0MPa~245MPa不同退火应力作用下的Fe73.0Cu1.0Nb1.5V2.0Si13.5B9.0微米微晶薄带的磁特性，发现通过退火应力的控制，可以控制基磁晶各向异性场HK；利用材料的磁阻抗曲线，可以测定其各向异性场。     

射频磁控溅射方法制备氧化钒薄膜的研究

利用射频磁控溅射的方法．在不同的衬底温度和溅射功率下制备了氧化钒薄膜样品，并在纯氩气环境下作了退火处理，用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜扫描图像，对样品进行研究．XRD分析显示退火前样品为非晶态，退火后为结晶态．并用激光共聚焦显微镜对图像做了验证．对比退火后样品的XRD图谱显示在其它条件相同时．可以通过增大溅射功率或降低衬底温度．来提高退火后薄膜样品的结晶程度，并增强V2O5(001)晶面的取向性；通过对比退火前样品的XPS谱可知在其它条件相同时，通过升高衬底温度或减小溅射功率．可以提高薄膜样品中高价钒的含量．     

退火条件对Fe基纳米晶合金磁性的影响

详细研究了非晶Ｆｅ７２．７Ｃｕ１Ｎｂ２Ｖ１．８Ｓｉ１３．５Ｂ９合金在纳米晶化过程中退火温度与退火加热速度对合金磁性的影响，实验结果表明，当退火温度Ｔａ低于５３０℃时，随着Ｔａ的提高合金磁导率缓慢增加。当Ｔａ高于５４０℃时，磁导率迅速增加，５７０℃退火时磁导率出现峰值，实验发现，在纳米晶化过程中退火加热速度对合金的初始磁导率ｕｉ有明显的影响，ｕｉ随着退火加热速度的提高而增大。     

3C—SiC晶体薄膜的退火特性及其光荧光

采用HFCVD技术,通过两步CVD生长法,以CH4＋SiH4＋H2混合气体为生长源气,在Si衬底上生长3C－SiC晶体薄膜。对所制备的样品薄膜在氮气气氛中分别采取了快速退火和慢速退火处理,并对退火前后的样品进行了光荧光（PL）分析。结果显示,未经退火处理的样品其PL谱为一覆盖整个可见光区域展宽光谱线,主峰位置在520nm附近;经快速退火处理后样品的PL谱在450nm位置附近出现了又一较强峰,再经慢速退火处理后此峰基本消失,但室温PL峰发生红移。比较结果说明快速退火处理极易给3C－SiC晶体薄膜造成应力损伤。     

Low-temperature crystallization of silicate dust in circumstellar disks.

Silicate dust in the interstellar medium is observed to be amorphous, yet silicate dust in comets and interplanetary dust particles is sometimes partially crystalline. The dust in disks that are thought to be forming planets around some young stars also appears to be partially crystalline. These observations suggest that as the dust goes from the precursor clouds to a planetary system, it must undergo some processing, but the nature and extent of this processing remain unknown. Here we report observations of highly crystalline silicate dust in the disks surrounding binary red-giant stars. The dust was created in amorphous form in the outer atmospheres of the red giants, and therefore must be processed in the disks to become crystalline. The temperatures in these disks are too low for the grains to anneal; therefore, some low-temperature process must be responsible. As the physical properties of the disks around young stars and red giants are similar, our results suggest that low-temperature crystallization of silicate grains also can occur in protoplanetary systems.     

GaAs上Ge薄膜的性能研究

用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nmGe,Ge薄膜在500度以上退火有再结晶过程，退火后由非晶变成多晶，在Ge和GaAs界面处有互扩散，电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型，可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致。     

高职院校开设体育拓展训练课的思考

体育拓展训练是一种全新的学习方法和训练方式，可以达到磨练意志、陶冶情操、完善人格、增强责任感和团队精神等特殊的功效。本文通过查阅相关文献初步分析了高职院校开设体育拓展训练课的可行性和开设的意义，并对体育拓展训练课应该开设的内容及相关问题进行了研究。     

FeZrNbB合金的磁性能研究

采用单辊快淬法制备Fe81Zr9-xNbxB10(x=2,4,6)系非晶合金,并对该系非晶合金进行不同温度热处理.利用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)测试合金的结构和磁性能.实验表明,α-Fe铁磁相析出的起始晶化温度随Nb含量的增加而升高.快淬态合金的比饱和磁化强度(Ms)随Nb含量的增加而减小.三种合金的Ms均随退火温度的升高而增大,这与铁磁和反铁磁的交换耦合作用有关.     

罩式退火炉温控系统的神经网络PID预测控制

罩式退火炉温控系统是一类具有大滞后及模型慢时变系统,采用传统控制方法其效果并不理想.因此,将神经网络PID预测控制思想应用于罩式退火炉温控系统,利用灰色预测模型与四阶龙格库塔法相结合对罩式退火炉温控系统的行为进行预测,同时结合神经网络PID控制器克服预测误差、系统干扰等不确定因素带来的影响,提高系统的自适应性.仿真结果表明,系统运行平稳,受不确定因素的影响较小,对罩式退火炉温控系统具有良好的控制效果.     

PVD工艺对IGZO薄膜结晶化的影响

在G4.5实验线上, 采用射频磁控溅射法, 通过优化成膜时的温度、功率、气体流量比、退火温度和膜层厚度等参数, 以XRD, HR-TEM, NBED 和EDS进行表征, 研究制备结晶IGZO的工艺参数及其对薄膜晶体管(TFT)电性的影响。结果表明, 当IGZO膜层厚度达到3000 ?以上时结晶效果明显, 且不受其他因素影响; 成膜功率对IGZO结晶现象有加强作用, 功率越高越易结晶; 成膜温度和氧气/氩气(O₂/Ar)气体比例对IGZO结晶影响不大; 成膜完成后经过600℃的退火处理可有效地促进IGZO的再结晶。通过优化IGZO成膜条件, 制备出迁移率达29.6 cm²/(V·s)的背沟道刻蚀结构IGZO TFT, 比非晶IGZO TFT提高约3倍, 显著地改善了IGZO TFT的电学特性。     

模拟退火算法及其在多层密度界面反演中的应用

模拟退火算法是以固体退火过程为物理背景的全局优化算法,具有全局寻优的能力,是一种有效的非线性组合优化算法。模拟退火反演算法实质是利用了地球物理反演问题求解过程与熔化固体退火过程的相似性,模拟其达到最低能量状态为系统目标函数的最优解。本文概要地介绍了模拟退火法的基本原理,解的接受准则,模拟退火法的实现方法、特点及其局限性。总结了近年来对模拟退火方法进行的改进,并给出了模拟退火法在多层密度界面反演中的实例。     

Supper strong nanostructured TWIP steels for automotive applications

A ductile and super strong nanostructured twinning-induced plasticity(TWIP) steels were fabricated by cold rolling and recovery treatment.This strong and ductile nanostructured alloy can be used for the anti-intrusion part of body-in-white. Cold rolling was used to produce intensive nano-twins so that the microstructure was greatly refined. Recovery is employed to anneal dislocations for improving the ductility. A physical model is proposed to describe the relationship between the yield stress and the twin density. Furthermore,the present work also found that the activation energy for recovery is 160 J/mol,which implies that the recovery mechanism is governed by dislocation core diffusion.