PVC膜氯离子选择性电极的制备和尿液中氯离子的测定

以氯离子-三异辛基十六烷基季铵离子缔合物为活性物质,制备了聚氯乙稀(PVC)膜氯离子选择性电极.电极在1.0×10-3～1.0 mol/L范围内呈线性响应关系,检测限为5×10-4 mol/L,响应时间约5 s,漂移小于1 mV/h,平均斜率为47mV/pC.电极的重现性、稳定性良好.采用该电极测定了人造尿液和稀释尿液中氯离子的浓度.用标准加入法,在人造尿液中氯离子的回收率在96.0%～102.5%之间;在稀释尿液中氯离子的回收率在90.3%～98.5%之间.该方法的标准偏差(SD)＜3%,P＜0.05.     

用离子选择电极法测定N,N-二甲基苯胺

用四苯硼—PVC膜离子选择电极测试N,N—二甲基苯胺的浓度,检出范围为1.0×10~(-1)～1.0×10~(-5)M,平均回收率可达99%。     

耐磨透明超疏水薄膜的制备及工艺研究

以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法,在酸性条件下,制得无色透明SiO2溶胶,作为上下层;以表面疏水处理的SiO2粉体(R974)为中间层;制备"SiO2溶胶/R974/SiO2溶胶"三明治式涂层于玻璃基板表面;经氟硅烷修饰可得到透明耐磨超疏水薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)表征,膜层具有分层凹凸结构.所得膜层接触角大于150°,可见光透射比为85.6%,雾度小于2%.经耐磨性测试后,接触角为102.0°,可见光透射比为85.6%,雾度小于1.0%.考察了溶胶浓度、热处理温度和涂膜方式对膜层性能的影响.     

聚1-乙烯基-3-氨丙基咪唑四氟硼酸盐离子液体膜增敏检测丁羟基茴香醚

成功合成了1-乙烯基-3-氨丙基咪唑四氟硼酸盐,采用核磁共振氢谱、红外光谱和紫外光谱对其结构进行表征.以1-乙烯基-3-氨丙基咪唑四氟硼酸盐离子液体为功能单体,N,N’-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂,过硫酸铵和四甲基乙二胺为引发剂,经自由基引发聚合在玻碳电极表面制备聚离子液体膜修饰电极.采用伏安法研究了丁羟基茴香醚在该聚离子液体膜修饰电极表面的电化学行为.结果表明,聚离子液体膜能增强其电化学响应.在优化条件下,氧化峰峰电流与丁羟基茴香醚浓度在1.0×10~(-8)~1.0×10~(-5)mol/L范围内呈线性关系,检出限为8.8×10~(-9)mol/L(R_(SN)=3).     

NIPGA方法测定水泥中氯离子含量的可行性研究

为了研究用NIPGA方法快速检测水泥中氯离子含量的可行性,本文设计了测量装置,并用MCNP程序模拟了不同氯离子含量的检测结果。模拟计算结果表明,氯离子含量小于0.10%时,测量值的绝对误差低于0.002%;氯离子含量在0.10%～1.0%时,测量值的绝对误差低于0.020%,达到了GB/T176-2008标准的要求,可见用NIPGA方法快速检测水泥中氯离子含量是可行的。     

一种新的PVC膜铬(VI)离子选择电极的研制及应用

以自制的硝基酞菁钯研制了PVC膜铬(VI)离子选择电极.在B R缓冲液(pH为1.97)中,电极在铬(VI)离子浓度为1.0×10-5mol·L-1～1.0×10-2mol·L-1范围内呈良好的线性关系,检测限为2.95×10-6mol·L-1.实验测得的电极响应斜率与混合价态离子斜率的理论推断值相符.在选定的条件下,大部分的离子对铬(VI)的测定基本无干扰,电极用于电镀废水铬(VI)离子的测定,结果令人满意.     

混凝土环境中β-甘油磷酸钠影响钢筋阻锈行为研究

在混凝土高碱环境中,为了提高混凝土中钢筋抗氯离子侵蚀能力,采用新型环保型有机阻锈剂——β-甘油磷酸钠保护钢筋,达到延长钢筋混凝土结构整体寿命的目的。本文通过采用电化学方法对该种有机阻锈剂作用下,不同阳离子类型的模拟孔溶液中钢筋性能演变过程进行实时监测,并获取相应的关键参数,探究了钝化时期β-甘油磷酸钠与钢筋钝化膜,以及维钝时期,β-甘油磷酸钠、钢筋钝化膜与氯离子之间的作用关系,揭示了该种有机物的阻锈机制。通过OCP、LPR以及EIS电化学测试方法得到的结果表明：β-甘油磷酸钠与钝化膜中Fe氧化物/氢氧化物通过物理化学作用进行结合,使得钢筋表面形成阻锈能力更强的保护膜,从而提高了钢筋抗氯离子侵蚀能力。4种模拟孔溶液中钢筋抗氯离子侵蚀能力分别为NaOH+0.1 mol/L β-甘油磷酸钠>饱和澄清Ca(OH)₂>NaOH>饱和澄清Ca(OH)₂+0.1 mol/L β-甘油磷酸钠;其中,NaOH,NaOH+0.1 mol/L β-甘油磷酸钠与饱和澄清Ca(OH)₂溶液中钢筋相应的临界氯离子浓度(c_...     

考虑对流条件下氯离子在混凝土中的输运计算

将氯离子在混凝土中的输运区分为对流-扩散耦合区和扩散区,分别采用分离变量法和变量代换法对耦合区和扩散区氯离子输运进行求解,得到对流作用条件下氯离子在混凝土中输运的解析解.通过对耦合区解答稳定性分析确定了耦合区氯离子计算参数取值范围:叠加项n≥100,耦合区氯离子影响深度l≥1 000mm.算例分析表明,在对流作用条件下,对流深度、渗流速率和C0(初始自由氯离子质量与混凝土质量比)与C(混凝土中自由氯离子质量与混凝土质量比)累积呈正相关,但随计算时间增大,对流深度和渗流速率增大时,C差异增大,而C0增大时,C差异变小.通过对38年的对流区混凝土中C的拟合验证了计算模型的准确性.     

麻黄碱PVC膜电极的研制和应用

本文报道四苯硼酸麻黄碱PVC膜电极的制作、性能测试及其应用。该膜电极的Nernst响应范围为1×10~(-1)～1×10~(14)M,斜率56 mV(25℃),检出下限2×10~(-5)M。电极响应时间小于20秒,内阻4～5 MΩ,重现性和稳定性好。pH为4～8时,膜电位不随pH而变化。测定了膜电极对磺胺嘧啶等15种药物和无机盐的选择性系数。直接用膜电极测定鼻通油膏中盐酸麻黄碱含量,比滴定法简便、准确,适于药厂快速控制产品质量。     

低功耗高电源抑制比CMOS带隙基准源设计

基于Ahujia基准电压发生器设计了低功耗、高电源抑制比CMOS基准电压发生器电路.其设计特点是采用了共源共栅电流镜,运放的输出作为驱动的同时还作为自身的偏置电路;其次是采用了带隙温度补偿技术.使用CSMC标准0.6μm双层多晶硅n-well CMOS工艺混频信号模型,利用Cadence的Spectre工具对其仿真,结果显示,当温度和电源电压变化范围为-50-150℃和4.5-5.5 V时,输出基准电压变化小于1.6 mV(6.2×10-6/℃)和0.13 mV;低频电源抑制比达到75 dB.电路在5 V电源电压下工作电流小于10 μA.该电路适用于对功耗要求低、稳定度要求高的集成温度传感器电路中.     

三极管与场效应管的对照分析

用对照的方法对三极管与场效应管及其放大电路进行了分析,尤其是将三极管也视为电压控制器件来与场效应管对比,以说明两种管子及其放大电路的工作原理、分析方法的实质是相同的。     

电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文)

栅长短于0.2μm的砷化镓(GaAs)金属一半导体场效应晶体管已被我们研制成功。电子束光刻、金属剥离(lift-off)和双层及三层电子束光刻胶等先进技术的应用,获得了亚微米的T型栅,从而改进了场效应管的高频特性。直流测试显示,这种场效应管的跨导高达135ms/mm。     

场效应管和双极型晶体管复合特性的分析及应用

用场效应管和双极型晶体管组成的复合管具有互补的特性．本文分析比复合管的特性，并举例说明其应用．     

碳纳米管用于场效应晶体管的应用研究

 传统硅晶体管在微小化方面遇到瓶颈,碳纳米管作为一维量子材料,成为未来晶体管最具潜力的候选者。介绍了几种典型的碳纳米管场效应晶体管结构的基本工作原理及独特性能;着重介绍了近年来几种常见的碳纳米管场效应晶体管,并结合其结构与工作原理,论述了一系列技术革新和性能改进;总结了碳纳米管场效应晶体管未来需解决的几个重要问题。     

GaAsMESFET在液氮温度下的S参数

本文提出一种从常温下的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的Ｓ多数得到液氮温度下的Ｓ参数的方法。首先用给定的常温下Ｓ参数提取出等效电路参数，然后根据已有的实验观测结果得到各参数在液氮温度下的近似线性变化规律，最后得到液氮温度下的Ｓ参数，与文献结果相比一致性较好。     

用氮化硅作绝缘膜的砷化镓绝缘栅场效应晶体管的研究

利用可控射频溅射技术生长的氮化硅作绝缘膜,制造出Al/Si_3N_4/n-GaAs 的MIS 二极管和埋沟耗尽型GaAsMISFET.溅射时不通纯氢,器件的C-V 和I_D-V_D 特性中显示出明显的滞后效应和环状回线.溅射前先用高纯氢等离子体处理GaAs 表面,溅射过程中伴以微量的纯氢,溅射后适当退火,可以得到基本上没有滞后效应的C-V 曲线和I_D-V_D 特性中几乎没有环状迴线的MISFET.测量表明:g_m 的最大值约为2.7mS,界面陷阱密度为2.7×10~(11)～1.4×10~(12)cm~(-2)eV~(-1),界面陷阱能级位于导带下0.55和0.13eV 处,表面迁移率为4000～5400cm~2V~(-1)s~(-1).     

具有量子修正功能的三维蒙特卡罗MOS器件模拟

为了处理纳米MOS场效应管的量子效应，在蒙特卡罗模拟中引入有效势量子修正，并提出了基于PC机群的三维并行模拟算法．每个节点应用多层网格法求解一个子区域内各网格点的Poisson方程，采用有效势法对各网格点进行量子修正，并跟踪模拟一组带电粒子的加速飞行和随机散射运动，使所有节点的负载始终保持平衡．模拟实例表明，引入有效势修正的蒙特卡罗模拟结果与薛定鄂方程计算结果吻合得较好，所提并行算法也具有较高的加速比．     

结型场效应管放大器的计算

本文提出一种通过绘制通用转移特性曲线和通用跨导特性曲线来计算结型场效应管放大器的 方法，由于此法能适应不同型号的场效应管，使放大电路的计算得到简化。     

葡萄糖离子敏场效应晶体管生物传感器

介绍以离子敏场效应晶体管(ISFET)和葡萄糖氧化酶膜组成的生物传感器的研制。根据实验结果,讨论了传感器的工作特性,利用此生物传感器检测葡萄糖溶液的浓度范围、响应时间及温度效应等工作曲线。     

场效应管广义对象的数字公式表示方法

场效应管是放大器件。为学习掌握场效应管的特性，在教学中提出了数字公式表示场效应管规律的新方法。将场效应管的类型、沟道、开启或夹断电压、漏极电流或漏源电压以及转移特性的凹凸性表示成数字量，通过它们的关系建立了数字公式。数字公式的简洁方便，更利于通过数字化规律理解掌握场效应管的定性规律，增加学习兴趣，提高教学效率。