在p型GaAs材料上用快速退火形成Au／Zn／Au欧姆接触

在Ｍｇ注入形成的Ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触。用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。     

改进的总包性立方型状态方程

改进了Ｍａｒｔｉｎ提出的总包性立方型状态方程．验证表明，Ｍａｒｔｉｎ总包性立方型状态方程为本文改进总包性立方型状态方程的特例，由改进后的总包性立方型状态方程可推导出迄今为止前人提出的各种类型的立方型状态方程，且较Ｍａｒ－ｔｉｎ方程的推导更为简捷．此外，在Ｖｅｒａ－Ｐｒａｕｓｎｉｔｚ的普遍化ｖａｎｄｅｒＷａａｌｓ稠密流体理论基础上，结合本文给出的普遍化ｖａｎｄｅｒＷａａｌｓ流体的分子位能表达式，导出了改进的总包性立方型状态方程     

SMA同轴封装高速光电探测器

采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管过对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少～０．４ｐＦ，上升时间ｔｒ由８５ｐｓ减至２５ｐｓ以下，半高全宽ＦＷＨＭ由２１０ｐｓ减至８５ｐｓ，等效－３ｄＢ带宽增至６ＧＨｚ以上，瞬态特性显著改善。     

具连续时滞中立型微分方程的振动性

讨论下列一阶具连续时滞中立型微分方程「ｘ（ｔ）－∫＾τ０（ｐ（ｓ）ｘ（ｔ－ｓ）ｄｓ」’＋∫＾σ０ｑ（ｓ）ｘ（ｔ－ｓ）ｄｓ＝０获得了该方程所有解振动的充分必要条件。     

含镉MCM—41型分子筛的合成

本文首次合成了一种具有ＭＣＭ－４１型结构的中孔（ｍｅｓｏｐｏｒｏｕｓ）ＣｄＭＣＭ－４１分子筛，通过ＸＲＤ、胄架ＩＲ、紫外漫反射、固体摩角核磁、ＴＧ－ＤＴＡ等测试，结果表明镉原子处于分子筛胄架上。     

Szasz型算子在X^p空间中的逼近定理

利用Ｋ－泛函与光滑模之间的等价关系，建立了Ｓａｚｓａ型算子在Ｘ＾ｐ空间中的逼近等阶定理。     

势型算子的双加权不等式

研究了势型算子ＴΦｆ（ｘ）＝∫Ｒｎ＾Φ（ｘ－ｙ）ｆ（ｙ）ｄｙ在ＬＶ＾ｐ（Ｒ＾ｎ）到Ｌω＾ｑ（Ｒ＾ｎ）上有界的充分条件,当１≤ｐ≤ｑ〈∞,１〈ｒ〈ｐｓ／ｐ＋ｓ－１,ｓ〉１,Φ（ｘ）是非负函数,且Φ∈Ｌｌｏｃ＾１（Ｒ＾ｎ）,Φ（ｔ）＝（∫／ｚ／≤ｔ＾Φｒ（ｚ）ｄｚ）＾１／ｒ。若对任何方体Ｑ有Φ（ｌ（Ｑ））／Ｑ／＾、／ｑ－１／ｐ＋１／ｒ（１／／ｑ／／∫Ｑ＾Ｗ＾ｑｓｄｘ）＾１／ｑｓ（１／／Ｑ／∫Ｑ＾ｖ－ｐ     

Maslov型指标和ω-指标的单调性

本文证明了Ｍａｓｌｏｖ型指标和ω－指标的单调性，并由此给出Ｍａｓｌｏｖ型平均指标不变性的另一证明．     

胞内型磷脂酶A2基因亚克隆与基因表达

目的 研究花生四稀酸在细胞中的释放及前列腺素的合成,构建与花生四稀酸释放相关的表达系统。即胞内型磷脂酶Ａ２（ｃｙｔｏｓｏｌｉｃ ｐｈｏｓｐｈｏｌｉｐａｓｅ ｃＰＬＡ２）ｃＤＮＡ－ｐＲＣ／ＣＭＶ。方法 从克隆载体ｐＭＴ２用Ｓａｌ１制备ｃＰＡＬ２ｃＤＮＡ;平末端连接ｃＰＡＬ２－ｐＲＣ／ＣＭＶ;转染鼠巨噬细胞及筛选正向阳性克隆;ｎｏｒｔｈｅｒｎ ｂｌｏｔ检测ｃＰＬＡ２ ｃＤＮＡ基因表达。结果 人ｃＰＬＡ     

多元Kantorovic型Meyer－Kǒnig－Zeller算子逼近

在单纯形上定义多元Ｋａｎｔｏｒｏｖｉ　型Ｍｅｙｅｒ－Ｋ　ｎｉｇ－Ｚｅｌｌｅｒ算子，估计它在Ｘｐ空间的收敛速度。