浅谈硅单晶的电阻率对硅功率器件温度特性的影响

本文阐述了硅单晶电阻率对硅功率器件温度特性的影响，指出了如何根据硅功率器的额定结温和反向不重复峰值电压两项指标正确、恰当选取硅单晶的电阻率，这对硅功率器件的设计，特别是对高温硅功率器件的设计是有重要意义的。     

硅一体化薄膜微电极器件及其应用

提出用发展中的硅微机械加工技术设计制作硅一体化薄膜微电极器件，这类微电化学器件具有微电极所特有的全部优点，而且由于结构上的一体化，便于器件整体的微型化和集成化，试用薄膜微电极器件电流法常温直接检测ＣＯ２气体，取得了满意的结果，设想通过器件三维构型设计的改进和完善，器件工作的长期稳定性可望进一步提高。     

纳米硅薄膜的最新进展及其在量子功能器件中的应用前景

一、引言正当进入21世纪之际,微电子工业面临一场新的技术革命。随着电路集成度的不断提高,必然要涉及到纳米量级的器件结构,这促使人们去思考一些全新的物理问题。早在80年代初,科学家们先后提出了具有纳米（urn）量级的量子线和量子点新概念。在这些微空间里电子的性质全     

γ射线辐照对BJT硅器件参数的影响

研究了３种不同类型的ＢＪＴ硅晶体器件,经γ射线辐照,理化处理后,其反向截止电流,反向击穿电压,饱和压降,静态电流放大系数等电学参数的变化规律。     

斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测

采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3200cm-1)和适当的透射深度(≈3 1μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.     

土壤异化铁还原及其在污染控制中的应用

铁是土壤环境中氧化还原反应重要的变价元素.异化铁还原是自然界中铁还原的主要方式.异化铁还原与有机污染物的转化、重金属的老化、固定及营养物质的转化过程密切相关,具有重要的环境效应.本文较为详细地综述了土壤异化铁还原的机制、影响因素及污染控制应用研究现状,并提出了今后研究工作的重点.     

油泵污染磨损的铁谱分析

利用油泵污染磨损铁谱读数推导出了预测泵容积效率的公式,并用实验数据进行了验证,得出铁谱数据与泵的容积具有较好相关性的结论。     

国产磨料的杂质及研磨对硅片的污染分析

本文研究了国产磨料的成分、杂质和磨料、磨具对硅片的污染,分析了铁对硅器件的危害,提出了减少污染的方法.     

硅片氧化过程及其对硅中杂质分布影响的分析

利用带活动边界的“D＇Alembert变分法”分析了硅片的氧化过程及此过程所引起的硅中杂质的再分布.氧化过程的理论分析结果及对两种常见的杂质初始分布的计算结果均与实验相符.     

中型氧化硅簇的性质及其在纳米硅线生长中的作用

应用量子化学计算法和前线轨道理论研究了中型氧化硅簇体系的结构和反应性,并从该理论研究出发,对一种新型的可以高产量生长纳米硅线的实验技术,即氧化硅辅助生长方法的生长机制做了相应的探讨。初步得出了富含硅的氧化硅簇和类似SiO配比的氧化硅簇在纳米硅线的成核和生长中起到了重要作用。     

直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究

采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si—N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si—H键和N—H键．用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律,弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义。     

论电磁污染与发射天线的关系

实验证明:人体在射频电磁场的作用下,确实存在“无线电作用综合症”这一事实.本文就射频电磁场对人体健康的危害以及小功率电视发射天线的电磁污染问题作了简要的论述.     

微型装置与测试技术

本文提出并尝试用微电子技术制作的微型越置来更新现有的测试装置,这对推动教学、科研和生产的发展无疑是一种最有效的方法。     

碲镁磷对过共晶铝硅合金中硅相形貌的影响

本文通过在高纯过共晶Al-Si合金中调整Te、Mg、P加入量的试验,研究Te对含Mg的Al-Si合金铸态硅相形貌的影响。结果表明,Te、Mg、P中任何一种元素占优势时,都能以该元素为主影响合金的组织形态。     

仓储稻谷霉菌污染情况调查

报告了稻谷霉菌的污染现状。对湖南省 42个粮库的 42个稻谷样品进行采样调查 ,主要霉菌属曲霉属、青霉属、毛霉属的检出率平均为 90 .4%、76 .5 %、5 2 .1% ,平均含菌量为 2 .75× 10 4 个 /克 ,曲霉中主要带毒菌黄曲霉、杂色曲霉、构巢曲霉的检出率为 6 4.3%、33.7%、13.0 % ,发现霉菌污染率与储藏时间无显著相关性 ,而与储藏条件密切相关。     

方石英含量对氧化物结合SiC材料性能的影响

讨论了方石英含量对氧化物结合SiC材料性能的影响.结果表明,材料中方石英含量的增加是造成材料强度降低的重要原因.但是适量方石英的存在对提高材料的断裂韧性有益.通过对材料中SiO_2组份含量的调整,可以改善材料强度与韧性的匹配,提高材料的综合使用性能.     

多孔硅发光特性的研究

在以氢氟酸为基本组份的腐蚀液中,以单晶硅为阳极采用横向阳极氧化方法,制备了具有光致发光特性的多孔硅,系统地研究了多孔硅薄膜的光学性质;x光衍射分析表明样品具有良好的晶体质量;测量了样品的变波长激光喇曼光谱,光致发光峰值波长和半峰高宽度对电解液组份、电解电流密度及电解时间等量的依赖关系;利用二维量子尺寸效应对上述物理现象作了定性的解释.