用蒙特卡罗方法计算高纯锗探测器的全能峰效率

本文采用蒙特卡罗方法及通用程序MCNP-4C模拟了γ射线的全能峰效率,并阐述了蒙特卡罗模拟的基本思想.结果表明,蒙特卡罗模拟得到的全能峰效率与实验测量得到的全能峰效率具有完全相同的特征.     

锗探测器效率曲线的半经验公式拟合

本文介绍了用半经验公式对60-2600 keV能区同轴Ge(Li)、HPGe探测器对圆柱型体源探测效率曲线的拟合,通过与八参数函数进行比较,说明了半经验公式的适用性.且提出了半经验公式修正项.     

高纯锗探测器探测效率的MCNP模拟

利用同轴型高纯锗(HPGe)探测器测量152Eu和133Ba在15cm处的探测效率,调节探测器死层厚度和冷指尺寸,利用Monte Carlo方法对同轴型HPGe探测器的全能峰效率进行模拟计算,并将计算效率与实验效率进行比较.结果表明,当HPGe探测器的死层厚度为0.22cm,冷指半径和长度分别为0.301cm和1.00cm时,模拟效率与实验效率相符。     

用于聚变装置的溴化镧探测器在0.1～11 MeVγ能区的能量刻度和效率刻度研究

托克马克约束等离子体在破裂期间,会产生高能硬X射线,对这些高能硬X射线的探测有助于理解聚变装置中约束等离子体破裂变化情况.针对核工业西南物理研究院中国环流三号（HL-3）装置上对高能量硬X射线诊断的需求,本文开展了溴化镧探测系统的研制工作.研制的溴化镧探测器系统晶体尺寸为φ76 mm×76 mm,对研制的溴化镧探测器进行了性能测试：该探测器在屏蔽体中本底计数率为455 cps;采用标准源¹³⁷Cs测量得到的对662 keV γ射线的能量分辨率为3%;采用标准源¹³⁷Cs、¹⁵²Eu进行了2 MeV以下γ能区的能量刻度和全能峰探测效率刻度工作;2 MeV以上γ能区,由于缺乏标准γ源,因此采用热中子活化¹⁴N等轻元素产生的2～11 MeV能区的高能量γ射线,完成了在该能区的能量刻度和效率刻度.实验结果表明：研制的溴化镧探测器在0.1～11 MeV γ能区有良好的能量线性,标准源刻度得到的全能峰探测效率典型误差小于1.89%.采用MCNP5对研制的溴化镧探测器的全能峰探测效率进行了模拟计算,并与实验测量结果进行了对比分析.