手性金属有机骨架[Zn2（bdc）（L-lac）（dmf）]·（DMF）的合成及其甲基苯基亚砜的对映体选择性吸附

采用溶剂热的方法合成纯手性金属有机骨架[Zn2(bdc)(L-lac)(dmf)].(DMF)(Zn-BLD)化合物。研究合成温度、合成时间和合成液浓度对生成Zn-BLD晶体的产量和晶相结构的影响。结果表明:110℃为最佳合成温度;溶剂热合成12 h,生成Zn-BLD晶体产量就已达到稳定与饱和;当合成温度为110℃,反应时间为12 h,4种反应物的摩尔比为n(Zn(NO3)2.6H2O)∶n(H2BDC)∶n(L-H2lac)∶n(DMF)=6.0∶1.5∶1.5∶387时,能够得到较高结晶度的纯相Zn-BLD晶体。优化条件下合成的Zn-BLD晶体对甲基苯基亚砜具有较高的对映体选择吸附性能,其对映体过量(e.e)值达到68.2%。通过热分析仪(TGA)对Zn-BLD晶体的热稳定性进行了表征,在不高于400℃时,Zn-BLD晶体具有很好的热稳定性。     

铁电单晶Li_(0.025)Na_(0.975)NbO_3

研究了 Czochralski 方法生长的 Li_(0.025)Na_(0.975)NbO_3单晶的介电和铁电性能。X 射线衍射和铁电测量表明该晶体的点群为 mm2。电滞回线给出室温自发极化和矫顽场分别为 Ps=2.6×10~(-2)C/m~2和 Ec=1.5kV/mm。低频介电常数在(372±10)℃显示一个峰值,峰值温度相应于铁电—顺电相变温度。介电频谱表明该晶体在300MHz 附近呈现介电弛豫,而且在约2MHz 以下介电常数虚部随频率升高而下降。这可以归因于晶体缺陷造成的等效电偶极子和直流电导。     

[Zn（mn（t5）-NO2-phen）]配合物掺杂CdS的光-电转换特性

测量了标题配合物[Zn(mnt)(5-NO2-phen)] (mnt2-:1,2-二氰基乙烯-1,2-二硫醇离子. 5- NO2- phen :5-硝基-1,10-邻菲咯啉) 在二甲基亚砜(DMSO)和二甲基甲酰胺(DMF)等溶剂中的电子吸收光谱及DMSO中的电子发射光谱特性.研究发现标题配合物的紫外区吸收带270～280 nm、320～350 nm、360～390 nm本质上属于配体5-NO2-phen、mnt2-内部的πb→π*跃迁,可见光区450～490 nm本质上属于配体mnt2-到5-NO2-phen的荷移跃迁(LL′CT);在DMSO溶剂中,标题配合物在400～600 nm间呈现明显的荧光发射带.报道了掺杂有标题配合物[Zn(mnt)(5-NO2-phen)]的CdS-PVA复合膜的暗态导电性和光电导性,探讨发现标题配合物对半导体材料CdS具有光敏化作用.研究了[Zn(mnt)(5-NO2-phen)]对CdS的光敏化作用与其电子光谱间的关系.     

含对苯二甲酸根配位聚合物的合成和表征

利用对苯二甲酸(H2BDC),三乙烯二胺(TED),CoCl2·6H2O为原料,采用溶液扩散混合法合成了三个新的配合物[Co(BDC)(0.5TED)]n(2nDMF)1.5nH2O)(Ⅰ), [Co(BDC)(TED)]n(nDMF)(1.5nH2O)(Ⅱ),[Ni(BDC)(0.5TED)]n(2nDMF)(1.5nH2O)(Ⅲ),并对其进行了元素分析、红外光谱分析和热重分析,结果表明三个化合物是三维网络结构的配位聚合物.     

Cd_(0.03)Sr_(0.485)Ba_(0.485)Nb_2O_6单晶的介电和铁电性能

在500Hz 至13MHz 的频率范围内,测量了Cd_(0.03)Sr_(0.485) Ba_(0.485)Nb_2O_6晶体的新鲜试样以及经过强交流电场处理的试样的介电谱。结果表明,新鲜晶体试样中存在低频弛豫机构,经过强的交流电场处理后这一弛豫机构消失,而且晶体的交流电导率也降低一个数量级。我们还研究了偏置电场对介电常数温度依赖性的影响,发现偏置电场使介电常数呈现极大渔的温度Tm向高温方向移动,而且使Tm附近介电常数的值减小。前者可由扬致相变加以解释,后者表示此晶体的铁电-顺电相变可能是二级的。另外,实验结果表明,在本工作的测试范围内,偏置电场对本晶体相变的弥散性没有影响。     

[Cd(mnt)(5-NO_2-phen)]配合物掺杂CdS的光-电转换特性

测量了标题配合物[Cd(mnt)(5-NO2-phen)](mnt2-:1,2-二氰基乙烯-1,2-二硫醇离子.5?NO2?phen∶5?硝基-1,10?-邻菲咯啉)在二甲基亚砜(DMSO)和二甲基甲酰胺(DMF)等溶剂中的电子吸收光谱及DMF中的电子发射光谱特性,报道了掺杂有标题配合物[Cd(mnt)(5-NO2-phen)]的CdS-PVA复合膜的暗态导电性和光电导性,研究了[Cd(mnt)(5-NO2-phen)]对CdS的光敏化作用与其电子光谱间的关系.     

微波介质陶瓷的低频介电特性

通过对一系列BLT系陶瓷材料的低频（103～107Hz）介电频谱和介电温谱的测试和分析,不仅为在低频下测试介电常数ε和介电常数的温度系数。来估计其微波性能提供理论依据,也为检验微波介质陶瓷工艺完善性提供一种方法．     

基于三维框架材料H_3PMo_(12)O_(40)/Zn(BDC)(Bipy)_(0.5)快速吸附亚甲基蓝

采用溶剂热法,用H_3PMo_(12)O_(40)修饰三维金属有机框架材料Zn(BDC)(Bipy)_(0.5)构筑一例复合材料H_3PMo_(12)O_(40)/Zn(BDC)(Bipy)_(0.5),利用IR、XRD、TG、BET、SEM对其结构进行分析,进而研究其对亚甲基蓝的吸附性能.研究结果表明,H_3PMo_(12)O_(40)/Zn(BDC)(Bipy)_(0.5)对亚甲基蓝有很好的吸附性能,在20℃和溶液p H=2的条件下,吸附量达478.5 mg·g~(-1).H_3PMo_(12)O_(40)/Zn(BDC)(Bipy)_(0.5)对亚甲基蓝的吸附符合Langmuir等温吸附型和拟二级动力学方程,吸附过程是一个自发和放热过程.此外,能从混合染料中快速吸附出亚甲基蓝.     

基于介电特性的青萝卜干燥品质预测模型

以青萝卜为实验物料,利用网络分析仪,采用同轴探头法测量了在16～3 500 MHz的频率范围内,湿基含水率为15%～93.20%,物料温度为(36±1)℃的青萝卜的介电常数ε'和介质损耗因子ε".分析了频率、含水率、糖度、密度与介电特性的关系,建立了915 MHz和2 450 MHz下介电特性与含水率、糖度、密度的关联模型,检验了基于介电特性预测含水率、糖度、密度的可行性.结果表明:在16～3 500 MHz频率段内,介电常数ε'和介质损耗因子ε"随着频率的增大而减小.介电常数ε'随着含水率的增大而增大,介质损耗因子ε"在湿基含水率为15%～60%时,随着含水率的增大而增大,之后随着含水率的增大而降低.糖度与含水率呈负相关.可用二元一次方程描述含水率、糖度、密度与介电特性的关系,对模型进行方差分析,各模型的决定系数均大于0.92,P值小于0.05,表明所得基于介电特性预测干燥过程中青萝卜的含水率、糖度、密度的模型是准确的.     

3-吡啶-4-苯甲酸构筑的纯手性锌(Ⅱ)配合物

以非手性的3-吡啶-4-苯甲酸(HL)为配体,在溶剂热条件下和Zn(Ⅱ)自组装,制得二维配位聚合物[Zn(L)_2]_n·n DMF(配合物1)的纯手性单晶,通过红外光谱、元素分析和单晶X射线衍射测试对配合物1的分子结构进行了表征.在配合物1中,脱去质子的配体阴离子(L)-采取两种手性构象异构体桥联四节点的Zn(Ⅱ),形成纯手性二维网格,并沿c轴堆积成手性的晶体.在310 nm激发光的激发下,固体配合物1在375 nm处具有强的荧光发射.     

沥青混合料介电特性温度-频率等效原理

为量化温度、频率对沥青混合料介电特性的影响,实现无损检测设备在不同温度、频率下的数据统一,通过理论推导建立基于温度、频率的沥青混合料介电模型和温度-频率等效原理,进行不同温度、频率条件下沥青混合料相对介电常数的测量试验.试验采用介电常数测试平台测定2种沥青混合料在30～60℃温度范围、6种频率条件下的相对介电常数和介电...     

[Mn(mnt)(phen-5,6-dione)]配合物的光敏性研究

测量了标题配合物[Mn(mnt)(phen-5,6--dione)](mnt2-:1,2-二氰基乙烯-1,2-二硫醇离子.phen-5,6-dione:-1,10-菲咯啉-5,6-二酮)在二甲基亚砜(DMSO)、二甲基甲酰胺(DMF)、丙酮(CH3COCH3)等溶剂中的电子吸收光谱和电子发射光谱特性,报道了掺杂有标题配合物[Mn(mnt)(phen-5,6-dione)]的CdS-PVA复合膜的暗态导电性和光电导性,研究了[Mn(mnt)(phen-5,6-dione)]对CdS的光敏化作用与其电子光谱间的关系.     

铽改性铌酸锶钡晶体的介电谱研究

在5×10~2Hz 到5×10~8Hz 频率范围内测量了 Tb 改性的铌酸锶钡(SBN)晶体的室温介电常数,并以1×10~4Hz 的频率测量了这些介电常数从室温至居里温度以上的变化。对于 c 轴和 a 轴介电常数,都观测到了介电弛豫,但 c 轴介电弛豫频率明显低于 a 轴介电弛豫频率。对于不同的组份来说,介电弛豫频率随居里温度降低而降低。这些晶体的铁电—顺电相变是弥散性的,弥散程度随Tb 含量的增加而增高。     

熔融氯化钠晶体介电常数的模拟计算方法

由于分子模拟过程中存在周期性边界的影响,离子偶极矩定义模糊,导致传统的偶极矩涨落方法在计算熔融盐晶体或含有自由电荷体系的介电常数时存在一定阻碍。根据经典介电理论,通过电流关联函数计算熔融氯化钠(NaCl)晶体体系的介电常数,研究了不同温度下氯化钠的频率相关介电谱,并分析了晶体相变对介电特性的影响。结果表明：当NaCl为晶体状态时,介电谱显示出明显的共振吸收峰;在NaCl熔化以后,介电谱的共振吸收峰的带宽变宽,波形发生了明显变化。分别利用电流法和外加电场法计算了不同温度下NaCl的静态介电常数,结果显示：两种方法的计算结果的一致性良好,从而验证了本文方法的准确性;NaCl晶体在发生固液相变时,静态介电常数会在相变点发生跳变。     

A位取代对ZnO-0．5SiO2陶瓷烧结特性和介电性能的影响

采用常规固相反应法,以ZnO-0.5SiO2体系为基体成分,研究了A位取代ZnO-0.5SiO2陶瓷的烧结特性和介电性能的影响规律.结果表明:Mg在一定范围内A位取代ZnO-0.5SiO2中的Zn可形成(Zn1-x,Mgx)2SiO4固溶体,x(Mg)最大固溶度不超过0.5.当取代量超过固溶度后,出现Mg2SiO4和Mg2SiO3相.x(Mg)≤0.5,陶瓷介电常数变化不大,品质因子较高;x(Mg)＞0.5时,陶瓷介电常数增大,品质因子急剧下降.研究还揭示了(Zn1-x,Mgx)2SiO4(x=0.1～0.3)陶瓷在1 275℃烧结具有良好的介电性能,其介电常数为6.19～6.23,品质因子为48 000～53 000 GHz,频率温度系数为-50×10-6～-60×10-6/℃.     

焰熔法生长LaAlO_3晶体的介电性质研究

报道 LaAlO_3晶体的焰熔法生长及其介电性质.所生长晶体的最大尺寸达Φ15×25mm~3.LaAlO_3晶体具有六方结构,晶胞参数为a=b=5.36■,c=13.11(?).晶体在室温下介电常数为24.2,介电损耗小于5×10~(-4)(10kHz).     

Cd_(0.03)Sr_(0.485)Ba_(0.485)Nb_2O_6单晶及其介电谱

本文报告了f=1KHz到1GHz范围内Cd_(0.03)Sr_(0.485)Ba_(0.485)Nb_2O_6(CdSBN)单晶的新鲜样品,和经交变电场处理后样品的介电谱.实验表明,低频介电弛豫经强交变电场处理后而消失,同时交流电导率也降低.在施加偏置电场后,其介电常数出现极大值的温度T_m向高温方向移动,这可用场致相变加以解释.同时也说明该晶体属于二级相变的特性.又在实验所加的偏置电场范围内,晶体相变的弥散性不产生影响.     

Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO/Mg2SiO4复相陶瓷的制备与介电可调性能

采用标准电子陶瓷工艺,制备了Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO/Mg2SiO4复相陶瓷(MgO和Mg2SiO4按相同重量加入),研究了MgO和Mg2SiO4含量对复相陶瓷微观结构、介电性能及介电可调性的影响.结果表明,随着MgO和Mg2SiO4含量的增加,陶瓷的晶粒尺寸略有增大,低频(100 kHz)介电常数、介电损耗、介电可调度和介电常数温度系数降低.随着偏置电场的增强,介电常数降低,介电损耗变化不大(均在10-3量级).当MgO和Mg2SiO4的百分含量均为30%时,获得了室温介电常数为101.6、介电损耗为0.0017及1.79 kV/mm偏置电场下介电可调度为12.19%、介电常数温度系数为0.009℃-1的介电性能.     

溶剂蒸发法制备CH_3NH_3PbI_3晶体及其光吸收特性

为了研究采用直接蒸发溶剂法制备所得CH_3NH_3PbI_3晶体的结构和光吸收特性,利用X线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见吸收光谱、介电频谱测试和分析样品的晶体结构、微观形貌、光吸收性能和介电性能.结果表明:采用溶剂蒸发法可以快速获得立方相结构的CH_3NH_3PbI_3晶体,将样品放入无水乙醚中密封保存后,真空条件下所得晶体的介电损耗随着频率的升高变化明显,而介电常数相对较为稳定,此外,制备所得CH_3NH_3PbI_3晶体的光吸收度良好.研究说明由溶剂蒸发法获得的立方相CH_3NH_3PbI_3晶体可以作为钙钛矿太阳能电池光吸收层的优质原料.     

含锌配合物的合成、晶体结构及光物理性质

采用溶剂热方法合成了2种Zn(Ⅱ)的配合物:[Zn2(C6H4N3)4]n(1),[Zn(phen)(p-CH3-C6H4COO)Cl(H2O)](2),通过单晶X-射线衍射、IR、UV-Vis-NIR吸收光谱、表面光电压光谱(SPS)和荧光光谱对其进行了表征.结构分析表明,配合物(1)是一个具有3D无限结构的Zn(Ⅱ)的配合物;配合物(2)是单核Zn(Ⅱ)的配合物,在晶体中,2个相邻的分子被氢键连成了二聚体.光物理性质研究表明,配合物(1)具有光电性能,在300～600nm范围内表现出正的表面光伏响应;配合物(2)具有荧光性质.