~（90）Zr（n，2n）~（89）Zr反应截面测量

用活化法以９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面为中子注量标准，对９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９Ｚｒ反应截面进行了测量．测得的１３．６４，１３．８０，１４．０１，１４．３５，１４．６２和１４．８０ＭｅＶ中子引起的９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９Ｚｒ反应截面值分别为４８３．０±１０．６，５３９．７±１１．９，６０６．３±１３．３，７１０．６±１５．６，７７５．４±１７．１和８２５．５±１８．２ｍｂ．单能中子由Ｔ（ｄ，ｎ）４Ｈｅ反应获得，中子能量由硅控测器法测定．并把本工作的数据和其他一些作者的数据进行了比较     

~（92）M_o（n，p）~（92m）Nb，~（98）M_o（n，p）~（98m）Nb和~（94）M_o（n，2n）~（93m）M_o反应截面测量

报告了Ｅｎ＝１３．４０～１４．７９ＭｅＶ中子能区用活化法以２７Ａｌ（ｎ，α）２４Ｎａ截面为中子注量标准测得的９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ．９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ和９４Ｍｏ（ｎ，２ｎ）９３ｍＭｏ的反应截面．还列举了尽可能收集到的数据，并将９２Ｍｏ（ｎ，ｐ）９２ｍＮｂ和９８Ｍｏ（ｎ，ｐ）９８ｍＮｂ两反应过的实验测量值与理论计算值进行了比较．中子能量是用铌锆截面比法测定的．     

14MeV中子（n，α）反应截面的系统学研究

在对实验数据分析、评价的基础上，研究了14MeV中子（n，α）反应截面的系统学特性，给出了截面的系统学公式σn，α＝（A1／3＋1）2αexp［β（N－Z＋1）／A］．利用给出的公式，计算了从139La到180Hf的中等和重质量核的14．7MeV中子的（n，α）截面，为聚变技术的研究提供了一定参考数据．     

14MeV中子（n,a）反应截面的系统学研究

在对实验数据分析,评价的基础上,研究了14MeV中子（n,a)反应截面的系统学特性,给出了截面的系统学公式σn,a=(A^1.3 1)^2aexp[β（N-Z 1）／A],利用给出的公式,计算了从^139La到^180Hf的中等和重质量核的14．7MeV中子的（n,a)截面,为聚变技术的研究提供了一定参考数据。     

用~（90）Zr（n，2n）~（89m＋g）Zr和~（93）Nb（n，2n）~（

叙述了用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比测定Ｄ－Ｔ中子平均能量的方法。用硅探测器对中子平均能量进行监测，测量了６个不同能点的铌锆截面比值，得到了铌锆截面比与中子平均能量的关系曲线。     

（n，t）反应截面的系统学计算

研究了中等和重质量核的１４ＭｅＶ（ｎ，ｔ）反应截面的系统学特性．在考虑奇偶效应的基础上给出了反应截面的系统学公式和经验参数，利用这套参数计算了一些核素的反应截面，结果与测量值符合较好．并讨论了可能的反应机制和Ｑ值效应．     

几个（n，2n）核反应激发函数的评价

用活化法测量了(n,2n)核反应截面，并利用HFTT程序对该反应截面进行了评价，作出了核反应激发函数曲线图，分析了核反应截面随中于能量的变化关系。对比结果显示，激发函数曲线与文献中的实验结果一致。     

ces＿p（E＿i）的非L＿n￣（1）与局部一致非L＿n￣（1）

本文证明了ｃｅｓ＿ｐ（Ｅ＿ｉ）是非（非方形）、局部一致非（局部一致非方形）的充要条件为每个Ｅ＿ｉ分别也是非（非方形）、局部一致非（局部一致非方形）。     

29—1100keV能区^98Mo（m,γ）^99Mo反应截面的测量

在２．５ＭＶ静电加速器上，利用活化法相对于＾１９７Ａｕ的中子俘获截面，在２９－１１００ｋｅＶ中子能区测量了＾９８Ｍｏ（ｎ，γ）＾９９Ｍｏ的反应高，并将测量结果与已有数据进行了比较。     

热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响

以14 MeV快中子引起的52Cr(n, 2n)51Cr反应截面的测量为例,研究热中子俘获反应对相应的快中子(n,2n)反应截面测量的影响.为比较热中子俘获反应50Cr(n, γ)51Cr对相应的快中子52Cr(n, 2n)51Cr反应截面测量的影响,在对样品包镉和不包镉两种情况下,分别测量了14 MeV中子引起的52Cr(n,2n)51Cr反应截面.单能中子用T(d, n)4He反应获得,中子通量用监督反应93Nb(n, 2n)92mNb测量,而中子能量通过93 Nb(n, 2n) 92mNb和90Zr(n, 2n) 89m＋gZr截面比法测定.将本实验结果与尽可能收集到的其它作者发表的数据进行了比较.     

162～1200keV能区174Hf中子俘获截面的测量

作者用活化法相对于Au的中子俘获截面，测量了162～1200keV能区^174Hf(n，γ)^175Hf的反应截面，测量误差为6．1％～7．2％，在现有文献中还未见有关该反应截面的测量数据。     

^96Zr（n,2n）^96Zr反应截面测量

锆是 D- T聚变堆不可缺少的材料之一 ,详细研究 9 6Zr( n,2 n) 95Zr反应截面 ,对聚变堆的设计、安全运行和维修都有非常重要的意义 .在 1 4Me V能区 ,对这一反应截面 ,曾有许多人进行过测量 ,我们能够收集到的数据 [1～ 7]有分歧 ,所以进一步精确测量 96Zr( n,2 n) 95Zr反应截面是十分重要的 .1实验过程样品照射是在兰州大学 ZF- 30 0 - 型强流中子发生器上进行的 ,以 T( d,n) 4 He反应作中子源 ,平均氘束能量 Ed=1 2 5 ke V,束流强度 Id≈ 2 0 m A,氚—钛靶厚为 0 .9mg/cm2 ,中子产额变化用铀裂变室监督 ,以便对中子注量波动进行修…     

（m，n）－树的次集和次序列

定义了（ｍ，ｎ）－树的次集和次序列的概念，并且定义一个集Ｄ是（ｍ，ｎ）－可实现的如果Ｄ是某个（ｍ，ｎ）－树的次集．证明了：如果Ｄ是具有最大元素ｄ的数集，则对某个ｋ’，ｋ’≥（ｄ－１）δ是（ｋ’－δ，ｋ’）－可实现的当且仅当Ｄ有一个实现是一个具有ｄ个极大单形的（ｄδ－δ－１，ｄδ－１）－树，并且对任意ｋ≥（ｄ－１）δ，Ｄ也是（ｋ－δ，ｋ）－可实现的     

（m，n）－构形的线性最优标

研究图的带宽和问题，确定了（ｍ，ｎ）－构形的带宽和，并给出了其线性最优标。     

~（181）Ta，（139）La，~（140）Ce和~（142）Ce麦克斯韦谱平均俘获截面的测量

在脉冲静电加速器上，利用~７（ｐ，ｎ）~７Ｂｅ反应产生的中子和使用活化法相对于Ａｕ的麦克斯韦谱的平均俘获截面，测量了ｋＴ＝２４ｋｅＶ的~（１８１）Ｔａ，~（１３９）Ｌａ，~（１４０）Ｃｅ和~（１４２）Ｃｅ麦克斯韦谱平均俘获截面，并将测量结果与文献值进行了比较．     

14 MeV中子(n,p)反应截面的系统学研究

研究中等和重质量核１４ＭｅＶ（ｎ,ｐ）反应截面的系统学特性．在对实验数据进行分析、评价的基础上,给出了系统学经验公式,并计算了一批核素的反应截面,理论计算与实验结果符合较好     

关于（m,n）内射模的一些结果

对于两个正整数m和n，一个右R模M称为(m，n)内射模，如果从n个生成元的R^m模的子模到M的每个R同态映射都可以延拓为从R^m到M的同态映射,刻画了交换环上(m，n)内射模的性质。