半导体超晶格研究进展

半导体超晶格以其理论上的可算性、实际上的可测性和作为新材料广泛应用的可能性,正越来越显示出它的发展前景。《半导体超晶格研究进展》一文作者结合自己的工作就这一领域的研究进展作了介绍。     

非晶半导体超晶格研究进展

自从江崎和朱兆祥1970年发表了他们对晶态GaAs/GaAlAs周期性多层叠合结构的研究工作以来,半导体超晶格的研究已取得了长足的进步。但是,最初10余年间的工作仅限于结晶半导体。至于非晶(或称无定形),或许是由于这种材料本身的研究历史还不够长,人们在那期间的认识还欠充分。非晶半导体超晶格这个术语出现在科学文献上,还仅仅是最近     

半导体超晶格与微结构的发展模式浅析：纪念半导体超晶格与微结构？…

半导体超晶格与微结构是半导体科学技术发展史上的一颗璀璨明珠。它的确立与发展不仅对现代信息科学技术,而且对低维物理,材料科学和纳米技术的发展,都产生了重要而深远的影响。今天,在崭新的２１世纪来临之际,通过重温它的历史沿革和分析它的发展模式,进而揭示安的内在规律性,以此纪念半导体超晶格与微结构研究发展３０年。     

半导体超晶格与微结构的发展模式浅析——纪念半导体超晶格与微结构研究30年

半导体超晶格与微结构是半导体科学技术发展史上的一颗璀璨明珠。它的确立与发展不仅对现代信息科学技术,而且对低维物理、材料科学和纳米技术的发展,都产生了重要而深远的影响。今天,在崭新的21世纪来临之际,通过重温它的历史沿革和分析它的发展模式,进而揭示它的内在规律性,以此纪念半导体超晶格与微结构研究发展30年。     

半导体超晶格与量子阱及其研究进展

70年代初期发展起来的半导体超晶格与量子阱的研究正在深刻地改变着固体物理学和半导体物理学的研究面貌,并且正在对低维物理学、材料科学和微电子科学的研究产生着重要而深远的影响。     

半导体超晶格与量子微结构研究30年

半导体超晶格与量子阱系指对电子具有一维量子限制作用的多层超薄异质结人工材料,量子微结构泛指对电子具有二维和三维量子约束性质的量子线与量子点介观系统.这类低维体系的研究是近30年来半导体科学技术中,尤其是半导体物理学领域内一个发展最迅速的活跃前沿.它的研究兴起,不仅对信息科学技术,而且对低维物理、材料科学以及纳米技术的发展,正在产生着革命牲的影响.本文着重回顾与评述了30年来半导体超晶格与量子微结构在材料生长工艺、体系维度变化、物理效应产生以及新型器件应用等方面所取得的一系列重大进展,并对其在21世纪的发展作了初步展望.     

Ⅱ—Ⅵ族宽禁带半导体应变层超晶格的折射率测量

ZnS、ZnSe、ZnTe等宽禁带半导体材料构成的超晶格和量子阱结构可望在可见光光电子器件领域发挥重要作用,特别是它们可制成600—700nm光电子器件,在高密度光学信息系统中的应用,前景非常诱人。因此人们正加紧努力研制基于这种材料的光波导、激光器及光学     

超晶格密码的研究进展

<正>现代密码学通过密码算法和密码协议将密码系统的安全性归结为密钥体系的安全性,因此密钥管理是信息安全的基础工程,其技术水平决定了整个密码系统的安全性和效益.密钥的产生和分配一直是密钥管理中的瓶颈难题[1](文献[1]中总结真实系统的十大安全威胁时说,密钥无处可存,现代计算装置不能安全地存储哪怕是非常小的     

超晶格正长石的首次发现

正长石是一种结构上不均匀的晶体,由一系列呈三斜对称的晶畴彼此成超显微或超X射线双晶所构成。三斜晶畴本身的空间群为C(?),但由X射线衍射给出的平均结构则表现为单斜晶系C2/m空间群的对称。从Si-Al有序-无序的角度而言,正长石是介于透长石与微斜长石之间的中间准稳定态变体。     

若干金属间化合物晶格常数和晶格稳定性的规律性

我们用计算机人工神经网络和化学键参数方法相结合,总结金属间化合物晶格常数的规律性.取141个已测过晶格常数的金属间化合物(分别属于MgCu_2,MgZn_2,AuCu_2,CsCl晶型)为训练集,以A,B元素的原子半径(Teatum值)、价电子数和Pauling电负性为人工神经网络的输入值,用BP法训练有三层节点的人工神经网络,用交叉检验法考查对未知金属间化合物晶格常数的预报能力.结合表明预报误差(方差值)在0.01nm左右.这说明:金属间化合物的晶格常数是主要取决于原子半径、电负性和价电子数的函数.     

上海超硅半导体有限公司简介

上海超硅半导体有限公司成立于2008年7月31日,目前已经发展为拥有上海超硅半导体有限公司、苏州君耀光电有限公司以及重庆超硅光电技术有限公司的高技术企业集团。公司业务涉及先进材料、LED应用与晶体生长设备与系统等三大方面。公司已经通过了质量管理体系ISO9001、环境管理体系ISO14001、职业健康安     

ZnS-ZnSe应变层超晶格远红外反射谱研究

Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物超晶格是最有潜力的制做短波长光电器件的半导体材料.ZnS-ZnSe、ZnSe-ZnTe应变层超晶格由于每层中含有较大的应力,因此有许多特殊的性质,已有许多人用Raman光谱法、光致荧光法研究这种超晶格.我们用远红外反射光谱方法研究这种超晶格材料的声子模.这种方法不仅可以方便地通过声子模的测量来检测微结构的质     

InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜导热系数测试

采用3ω方法在100~320 K温度范围内测试了不同周期长度的InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜的导热系数. 结果表明对于周期性超晶格结构, 随着温度的升高, 热传导能力下降; 比较周期长度不同的超晶格结构的测试结果, 发现导热系数会随着周期长度的增大而减小, 并在某一周期长度取得最小值, 但随着周期长度的进一步增大, 导热系数又出现上升趋势, 表明在长周期超晶格结构中界面热阻是影响声子传输的主要因素. 理论计算表明, 对于短周期的超晶格结构, Bragg反射是造成产生最小值的原因之一, 由于声子穿透率的下降, 造成导热系数随着周期长度的增大而减小. 理论与实验研究结果表明, 随着周期长度的增大, 声子的传输规律由声子的波动性过渡到粒子性, 这对实现声子的剪裁具有重要意义, 为设计超晶格结构提供理论基础.     

基于化合物半导体材料高速光开关的研究

高速光开关及光开关阵列是全光交换的核心器件. 首先给出全内反射型光波导光开关器件的理论分析模型, 并基于GaAs材料中的载流子注入效应, 采用GaAs-AlGaAs双异质结结构, 研制了工作波长在1.55 µm的X结全内反射型和马赫曾德干涉型两种结构的光开关. 测试结果表明, 开关的消光比均超过20 dB, 开关速度达到10 ns量级.     

纳米粒子超晶格的非经典晶化路径

有关晶化路径的研究一直在材料学中占据着重要地位,它广泛影响着晶体材料的性质和功能[1].在传统的晶化路径(classical crystallization pathway)中,单体会在局域聚集并转化为另外一个相,伴随着密度和结构有序度的增加.近期的实验和理论指出,很多晶化过程并不像传统的晶化路径那么简单,而是经过了两...     

日发现超塑性金属间化合物

日本科学技术厅金属材料研究所对于TiAl金属间化合物的研究获得进展,最近发现含钛稍过剩的“Ti-49.5tool％Al金属化合物”在高温下显示出超塑性。该组分的金属间化合物在通常情况下为层状组织几乎不能拉伸。但在1300～1400K的温度下进行锻造,改变了TiAl和Ti_3Al的微细混合粒子的组成后,高温时延伸率可170％以上。关于延伸率骤然增大的机理,通常认为是由于温度的升高使晶格由通常的双晶变形转换为滑移变形,从而导致了结晶组成的细微化。 Ti与Al的原子比约为1的金属间化合物在1000K的温度下强度为400MPa以上,比重小于3.8。