利用PN结温度特性测试仪测量玻尔兹曼常数

本文利用PN结正向压降温度特性测试仪,测量了PN结电压电流特性。验证了PN结电压与电流的指数关系,并利用Excel进行曲线拟合,再计算出玻尔兹曼常数。     

p—n结击穿电压蠕变饱和陷阱理论的改进

在深入分析击穿电压蠕变时间常数τ物理机构的基础上,进一步改进了p-n结击穿电压蠕变饱和陷阱理论,使理论与实验结果更为吻合。     

用于SPICEⅡ程序的耗尽型MOS器件模型

分析了SPICEⅡ程序模拟耗尽型MOS器件所遇到的限制及其原因,用线性区阈电压和饱区阈电压描述耗尽型器件线性区和饱和区特性,讨论了饱和区阈电压与线性区阈电压之差随衬偏电压变化的关系,建立了耗尽型MOS器件模型及其参数提取的新方法。模拟结果与实验基本吻合。     

短漂移区肖特基-p-i-n混合整流二极管(MPS)的电学特性研究

肖特基-p-i-n整流二极管(MPS)的作用机制比较复杂.采用数值模拟的方法研究MPS的工作机制,清晰地给出了肖特基势垒、p-n结势垒以及两种势垒共同作用下器件内部电势、载流子浓度分布和电压-电流特性.结果表明:在MPS阳极区(p 区)注入空穴的作用和肖特基势垒与p-n结势垒双重作用下,器件的电势将主要降低在肖特基结上;形成的电导调制区在饱和时变化很小,整个器件内电阻为准常数.     

聚合物分散液晶的柔性显示单元电光特性研究

为了聚合物分散液晶能应用于可柔性大面积显示,用表面沉积了ITO透明导电膜的PET塑料薄膜作为液晶盒的基板,在不同工艺条件下制作了样品.分析了制作条件对聚合物分散液晶膜电光特性的影响,尤其是对饱和驱动电压和对比度的影响.通过样品电光特性的分析研究,寻找一种降低聚合物分散液晶饱和驱动电压,提高其对比度的方法.     

终端带单一场环的P＋N结击电压分析

利用了平面结击穿电压的归一化表达式,研究了终端带单一场环的P＋N结击穿电压特性,通过解峰值电场方程,给出了确定主结与单浮环最佳间距的简便方法,得到了在未穿通情况下,具有单场保护环平面终端端优化设计的理论公式。     

中反型MOSFET边缘饱和电压公式的修正

提出了处于中反型的MOSFET修正边缘饱和电压公式.在分析了MOSFET精确电容模型之后,根据MOSFET饱和时其栅电容两端的电势差和电荷分布,推导了精确的边缘饱和电压关系式.对比了MOSFET边缘饱和电压的仿真值及修正后的精确边缘饱和电压的计算值,利用台积电TSMC18RF工艺参数,验证了精确边缘饱和电压公式计算值的准确性.分析了传统边缘饱和电压公式应用的局限.     

基于磷烯的三端弹道结

为了研究以磷烯为材料的T型三端弹道结的电学输运特性,利用kwant软件模拟计算右端边缘分别为锯齿形和扶手椅形三端弹道结的输出电压及热流.结果表明:在三端弹道结的对称端与非对称端施加推拉式电压时,输出端电压随输入电压呈非线性变化,展现出逻辑门和整流器的特性;在固定一个输入端电压后,输出电压则表现出二极管和限压器的特征.如此多的电学元件功能在T型磷烯三端弹道结上集中实现,能为二维材料体系提供更多有趣的信息.     

制造工艺对三极管特性的影响分析与工艺控制实践研究

三极管生产工艺过程直接影响三极管的质量和特性－ 通过产品统计分析与实验研究，找出三极管漏电流异常变化、放大倍数、饱和电压、ＣＥ 反向击穿电压、ＣＢ 反向击穿电压漂移等特性参数不确定甚至失效的原因，并提出了工艺控制改善措施，进而提高了产品的可靠性和稳定性－图２ ，表１ ，参５－     

盐密变化对不同材质绝缘子闪络特性的影响

为了研究不同材质绝缘子随盐密变化的闪络特性,以XP-160、LXZP-210、FXBW-10/70绝缘子为研究对象在人工雾室中开展了污秽试验,分析了这三种材质绝缘子的闪络电压、闪络电压梯度随盐密变化的规律以及不同盐密下串长与闪络电压的关系;以此为基础,得到了不同盐密下绝缘子闪络电压与饱和盐密下绝缘子闪络电压之间的具体关系,并给出了利用不同盐密下监测得到的闪络电压估算饱和盐密情况下绝缘子闪络电压值的表达式。试验结果表明:复合绝缘子受污秽的影响程度小于玻璃、瓷绝缘子,且其闪络电压梯度较高;不同材质的绝缘子串长与闪络电压大致成线性关系;不同盐密下的闪络电压与饱和盐密下的闪络电压呈线性关系,不同材质绝缘子的估算系数大致相同。     

窗口条形半导体激光器中结温升和光输出热饱和特性分析

本文在考虑热沉影响和多热源作用的基础上,对条形半导体激光器中的热传导方程和包含结温升变量的光输出功率方程进行了求解,得到了不同器件材料、结构参数下的窗口条形激光器的结温升及非线性光输出特性。计算结果与实验结果相符。     

半导体PN结温度特性实验

讨论了不同温度下PN结的正向压降和伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向压降及伏安特性曲线随温度变化的实验,定性分析了PN结正向压降及伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行曲线拟合测定了正向压降随温度变化的灵敏度、玻尔兹曼常数以及PN结的反向饱和电流,从而定量描述了PN结的伏安特性,取得了较为准确的实验结果。     

A GaAs polariton light-emitting diode operating near room temperature

The increasing ability to control light-matter interactions at the nanometre scale has improved the performance of semiconductor lasers in the past decade. The ultimate optimization is realized in semiconductor microcavities, in which strong coupling between quantum-well excitons and cavity photons gives rise to hybrid half-light/half-matter polariton quasiparticles. The unique properties of polaritons-such as stimulated scattering, parametric amplification, lasing, condensation and superfluidity-are believed to provide the basis for a new generation of polariton emitters and semiconductor lasers. Until now, polariton lasing and nonlinearities have only been demonstrated in optical experiments, which have shown the potential to reduce lasing thresholds by two orders of magnitude compared to conventional semiconductor lasers. Here we report an experimental realization of an electrically pumped semiconductor polariton light-emitting device, which emits directly from polariton states at a temperature of 235 K. Polariton electroluminescence data reveal characteristic anticrossing between exciton and cavity modes, a clear signature of the strong coupling regime. These findings represent a substantial step towards the realization of ultra-efficient polaritonic devices with unprecedented characteristics.     

高功率半导体激光器的电噪声

对高功率量子阱半导体激光器的爆破噪声和可能来自相 同缺陷源的产生复合噪声（g-r噪声）进行了研究. 实验结果表明, 如果老化电流远高于阈 值电流I_th, 爆破噪声和g-r噪声将会被引入, 甚至会出现多重g-r噪声. 通过 对比样品老化前后光电导数的特征参量发现, 老化后产生爆破噪声和g-r噪声的器件为失效 器件, 表明高功率量子阱半导体激光器在使用和老化过程中有时会伴有爆破噪声和g-r噪声 . 通过缺陷能级理论和p-n结势垒高度变化, 讨论了爆破噪声、 g-r噪声及多重g-r噪声 产生的原因.     

利用正向电压下的导纳检测半导体二极管的新方法

提出了一种利用正向电压下的导纳—电压(A—V)特性检测半导体二极管的非破坏性新方法，并给出了它的一般分析．利用这种方法，可以判断一个二极管有无界面层存在，并测量在不同正向电压下串联电阻、结电容、结电压、理想化因子和界面层阻抗的数值．用A—V方法研究了采用不同的欧姆接触的Ni／n—GaN肖特基二极管，观察到肖特基二极管的负电容现象，并确认是一种结的效应．研究还发现，无论缺乏n^ 层还是缺乏适当的退火都能够导致界面层的形成，界面层应被看作具有非线性电阻和电容的层状结构．     

PN结正向伏安特性随温度变化的实验设计

讨论了不同温度下PN结的正向伏安特性的测量方法,设计了利用TH-J型PN结正向压降温度特性测试仪研究PN结正向伏安特性曲线随温度变化的实验,定性地分析了PN结正向伏安特性随温度变化的规律;利用Excel进行指数拟合测定了波尔兹曼常数,并确定了常温下PN结的反向饱和电流,从而定量地描述PN结的正向伏安特性曲线,取得了较为准确的实验结果。     

铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁多层膜隧道结的隧穿磁电阻的温度和偏压特性研究

采用Slonczewski的近自由电子模型, 利用转移矩阵的方法, 研究了铁磁/绝缘层/有机半导体/铁磁隧道结的自旋极化载流子隧穿的温度和偏压特性. 计算了T=4 K和T=300 K时, 隧穿磁电阻(Tunneling Magnetic Resistance, TMR)随偏压的变化关系, 同时还研究了零温时在有限偏压下隧穿磁电阻TMR与绝缘层厚度、有机半导体层厚度以及铁磁/有机半导体界面势垒U的变化关系. 我们的计算结果较好地解释了有关的实验 结论.     

大功率P沟道VDMOS器件设计与工艺仿真

作为现代电力电子核心器件之一的P沟道VDMOS(vertical double-diffuse,MOS)器件,一直以来由于应用领域狭窄而并未得到足够的研究。以P沟道VDMOS器件为研究对象,为一款击穿电压超过-200V的P沟道VDMOS设计了有源区的元胞结构及复合耐压终端结构,并开发了一套完整的P沟道VDMOS专用非自对准工艺流程。最后通过仿真得到器件的击穿电压超过-200V,阈值电压为-2.78V,完全满足了设计要求,也为下一步流片提供了有益的参考。     

脉冲功率器件RSD热阻的计算与研究

热阻是半导体功率器件的基本特征和重要参数。本文首次提出RSD热阻的计算,根据RSD热阻网络模型,引入加热、测量电流合二为一的方法计算RSD的热阻,最终得到RSD的热阻值为0.3℃/W。较小的热阻可使RSD应用于重频脉冲功率领域而不发生热失效。实验得到了500Hz频率下RSD的开通特性,RSD运行时间为20s,以保证器件达到热平衡。波形显示RSD重复开通特性良好,通过对电流电压积分得到RSD消耗的功率约为8W。据此,可得到RSD在1.2kV峰值电压下运行20s时的结温为60.8℃(RSD运行频率为500Hz)。结果表明RSD是理想的脉冲功率开关,其工作频率可大幅提高。     

强调制半导体激光超短光脉冲

从理论上讨论了强调制半导体激光器产生的超短光脉冲，解释了用微波强调制半导体激光器产生超短光脉冲的实验结果．