在磁泡材料中作用在BL线和BL串上的动力学反作用力

本文讨论了含有BL线和BL串的磁泡畴壁的动力学.应用磁畴壁运动的基本方程推导出作用在单个BL线和正常磁泡畴壁的动力学反作用力并由含有BL串的畴磁壁运动的耦合方程给出这些力的合成形式.     

金属铁磁小粒子系统矫顽力温度依赖特性的研究

本文首先将经典的铁磁体畴壁运动方程量子化,然后从量子的畴壁运动方程和Egami的激活机制出发,给出了一些金属铁磁小粒子系统低温下矫顽力的温度依赖性,发现在极低温度区域,矫顽力是常数。这一结果至少定性地与实验相符合。     

金属铁磁小粒子系统矫顽力温度依赖特性的研究

本文首先将经典的铁磁体畴壁运动方程量子化，然后从量子的畴壁运动方程和Ｅｇａｍｉ的激活机制出发，给出了一些金属铁磁小粒子系统低温下矫顽力的温度依赖性，发现在极低温度区域，矫顽力是常数。这一结果至少定性地与实验相符合．     

在磁泡材料中作用在BL线和BL串上的动力学反应作用力

本文讨论了含有BL线和BL串的磁泡畴壁的动力学。应用磁畴壁运动的基本方程推导出作用在单个BL线和正常磁泡畴壁的动力学反应作用力并由含有BL串的畴磁壁运动的耦合方程给出这些力的合成形式。     

晶体畴反转过程中畴壁运动与极化电流特性研究

为了解晶体畴反转的动力学过程,利用马赫-曾德干涉实验系统,研究了外电场极化下掺镁铌酸锂和纯净铌酸锂晶体在畴反转过程中的畴壁运动和极化电流特性。实时记录了掺镁7 mol%、掺镁5 mol%铌酸锂和纯净铌酸锂晶体在畴反转过程中的畴壁特征和极化电流变化情况,发现离散的畴壁速度脉冲伴随着离散的极化电流脉冲,连续的畴壁速度脉冲对应着连续的极化电流脉冲。掺镁铌酸锂晶体正向反转和纯净铌酸锂反向反转的畴壁速度变化和极化电流变化比较尖锐,而掺镁铌酸锂晶体反向反转和纯净铌酸锂正向反转的畴壁速度变化和极化电流变化比较缓和。最后对实验现象进行了解释。     

KNbO_3 180°畴的第一性原理计算

利用第一性原理计算方法,考察铁电材料KNbO3的180°畴结构,并计算以K和Nb原子为对称中心的畴壁厚度、畴壁能及两种畴壁间移动的势垒高度.结果表明:该材料的畴壁厚度为1~2个晶胞常数;以K原子为对称中心的畴壁更稳定,其畴壁能为7.58 mJ/m2;以Nb为对称中心的畴壁不稳定,会逐渐变为以K为对称中心的畴壁,其畴壁能为15.16mJ/m2;畴壁移至最近邻晶格位置的势垒值为7.58mJ/m2.     

面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响

实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的.     

聚丁二炔的结构相变

利用一个简单的连续模型去研究聚丁二炔的结构相变,对于其中的σ电子和π电子分别处理.在聚丁二炔链上,当出现从PDB相向PDA相转变时,会出现一个畴壁和反畴壁,这个相变的出现主要是由于π电子重新分布的结果.我们把畴壁(反畴壁)当作元激发来处理,详细分析了相变过程,计算了畴壁(反畴壁)的结合能,成功能解释了如下的实验事实:在低温下PDA相比PDB相更稳定,并且会自发地发生从PDB向PDA的相变.     

微型薄膜磁阻传感元件的磁畴和畴壁状态的转变过程

用Ｂｉｔｅｒ粉纹技术研究了长×宽为４０μｍ×３００μｍ，厚度为４０ｎｍ的微型ＮｉＦｅ磁阻元件，在难轴方向反磁化过程中曲折状磁畴的转变过程，观察和分析了曲折状畴形成、Ｎｅｅｌ壁合并、封闭畴和钩形畴转变及Ｎｅｅｌ壁状态转变等一系列过程     

三类硬磁畴畴壁结构分析

实验研究了硬磁畴在不同温度下的静态性质，发现具有相同数目ＶＢＬ的硬碰畴在不同温度下的存在形式不一定相同，从而揭示了三类硬磁畴畴壁结构的一致性，证明了直流偏场作用下硬磁畴缩灭时ＶＢＬ间的平衡间距随温度的升高而增大。     

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中VBL对其缩灭场的影响

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中ＶＢＬ对其缩灭场的影响河北师范大学物理系唐贵德，孙会元，曹新国，聂向富本文以实验为依据，近似算出石榴石磁泡膜泡状硬磁畴的缩灭场及缩灭泡径与其畴壁中的ＶＢＬ数目的关系曲线，将这个多年来未能解决的问题向前推进了一步．在磁泡技术发...     

温度对IID畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第II类哑铃畴(IID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,IID畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T)相似文献   

温度对第二类哑铃畴畴壁中VBL的影响

实验研究了非压缩状态下第二类哑铃畴（ⅡＤ）畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的温度稳定性，发现了与材料参量有关的两个重要温度（Ｔ）（ⅡＤ）与（Ｔ０）（ⅡＤ）当温度达到（Ｔ　）（ⅡＤ）时，ⅡＤ畴壁中的ＶＢＬ开始丢失；当温度达到（Ｔ０）（ⅡＤ）时，所有ⅡＤ畴壁中的ＶＢＬ链全部解体。在（Ｔ　　）（ⅡＤ）与（Ｔ０）（ⅡＤ）之间，温度越高，ⅡＤ畴壁中丢失的ＶＢＬ数目越多。     

磁学中的混沌

从一维铁磁体的Landau-Lifshtz-Gilbert方程入手,推出磁学中的Ginzburg-Landau方程并求出其混沌解,进而分析了磁学领域内的磁畴壁、铁磁共振、磁流体中发生混沌的物理机制及实验设计.     

磁泡条畴头 Bloch 线产生的三维模拟

用改进的Ｄｕｆｏｒｔ－Ｆｒａｎｃｋｅｌ显示格式差分法求解条畴头畴壁运动时中心位置ｑ（ｚ，β，ｔ）和畴壁中心磁化矢量方位角（ｚ，β，ｔ）的耦合微分方程组．讨论了畴壁膨胀及杂散面内场对畴壁运动的作用以及脉冲驱动磁场Ｈｚ和薄膜材料阻尼因子对Ｂｌｏｃｈ线产生的影响．     

温度对ⅡD畴壁中VBL解体临界面内场的影响

实验研究了温度和面内场对液相外延石榴石磁泡薄膜内,第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)链稳定性的影响.研究发现,在室温到T0′的任一温度下,ⅡD畴壁中VBL的消失都存在一个临界面内场范围[H(1)ip(T),H(2)ip(T)].当Hip≤H(1)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL稳定存在;当H(1)ip(T)＜Hip＜H(2)ip(T)时,ⅡDD畴壁中VBL变得不稳定;随着Hip的增大VBL丢失得越来越多,当Hip≥H(2)ip(T)时,ⅡD畴壁中VBL完全丢失.并且随着温度的升高,临界面内场值H(1)ip(T)和H(2)ip(T)逐渐减小.     

磁泡条畴头Bloch线产生的三维模拟

用改进的Ｄｕｆｏｒｔ－Ｆｒａｎｃｋｅｌ显示格式差分法求解条畴壁运动时中心位置ｑ（ｚ，β，ｔ）和畴壁中心磁化矢量方位角φ（ｚ，β，ｔ）的耦合微分方程组。讨论了畴壁膨胀及杂散面内场对畴壁运动的作用以及脉冲驱动磁场Ｈ和薄膜材料阻尼因子对Ｂｌｏｃｈ线产生的影响。     

外磁场作用下缺陷区的磁畴变化

运用磁力显微镜观察外磁场作用下缺陷处的微磁场变化,通过分析缺陷附近磁畴的变化特征得出材料中存在缺陷时,缺陷对畴壁形成钉扎,使得缺陷两侧形成反向势垒,阻碍了畴壁运动,在缺陷边缘附近导致磁荷聚集,形成微磁固定结点,由于微磁固定结点内磁化强度的法向分量不连续,缺陷区形成泄漏微磁场,泄漏微磁场的奇异特征包含了缺陷信息,为缺陷微磁生成机理和微磁检测研究提供了理论和实验支撑.     

3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的温度稳定性

研究了温度作用下3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失过程，发现和证实了普通硬磁泡(OHBs)，第Ⅰ类哑铃畴(IDs)和第Ⅱ类哑铃畴(IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围，对同一样品而言，3类硬磁畴的起始临界温度是相同的，而VBL完全解体的最低温度却是依次增加的，在临界温度范围内，3类硬磁畴畴壁中的VBL是不稳定的，而且是逐步消失的。     

磁泡材料中硬磁畴与物性的关系

利用法拉第偏光显微镜观测了磁畴,通过显微照相技术拍摄了硬磁畴随温度变化的典型照片,这些照片揭示了硬磁畴的物理性质与温度之间的关系:VBL间的最小平衡间距随温度的升高逐步增大;较硬的普通硬磁泡(OHB)可以随着温度的升高转变为较软的第1类哑铃畴(ID),而较软的第1类哑铃畴(ID)又可以随着温度的升高转变为较软的第2类哑铃畴(IID);为3类硬磁畴畴壁结构的一致性提供了直接证据.此外,VBL的这些温度特性反映出BLM方案的不足.