复动量格林函数方法研究198Ce的单粒子能级结构

本文首先介绍了单粒子共振态的研究意义和研究方法以及Ce原子核的研究意义,其次给出了复动量格林函数(RMF-CMR-GF)方法的理论框架.重点采用此方法研究了¹⁹⁸Ce原子核包含束缚态和共振态的单粒子能级分布,详细研究了复动量空间的单粒子共振态分布、共振态对应的能级密度分布以及坐标空间内单粒子态密度分布,并证实了与共振态相关的参数均不随复动量空间中积分路径的改变而改变.采用RMF-CMR-GF方法计算得到的共振态能级密度,是在总哈密顿量对应的能级密度中,除去背景能量对应能级密度而得到的,并且通过共振峰可直观地展示出共振态的能量和宽度,这些共振态参数更加准确.由于费米面附近的单粒子共振态对奇特现象的形成有着重要作用,还计算研究了费米面附近共振态密度分布.本文较为准确地获取的共振态参数,对下一步研究奇特现象有着重要的意义.     

208Pb中单粒子共振态的赝自旋对称性

在相对论平均场理论框架下,用耦合常数的解析延拓方法研究了原子核的单粒子共振态,通过计算和比较208Pb单粒子束缚态和共振态的能级和宽度,发现208Pb的束缚态和共振态都具有较好的赝自旋对称性.     

附加δ势垒对一维半无限深势阱影响的研究

通过对添加δ势垒的一维半无限深势阱的薛定谔方程进行求解，得到了粒子运动的波函数和能级的相关公式，分析发现，δ势垒的添加以及它的强度与位置的变化对能级都有影响。对比不含δ势垒的一维半无限深势阱的能级，探究δ势垒的添加对原能级产生的影响，并利用Mathematica作图来直观显示这一影响。     

拓扑绝缘体表面台阶势垒的输运性质

利用传递矩阵的方法研究拓扑绝缘体表面台阶势垒的输运性质,发现台阶势垒的形状明显地影响了拓扑绝缘体表面的输运性质。拓扑绝缘体表面存在克莱因隧穿,透射概率取决于势垒的高度。随着费米能级的变化,电导出现了共振隧穿现象;而随着台阶势垒高低势能差的变化,电导出现了开关效应,可以通过调节费米能级和台阶势垒高低势能差来控制电导。     

一维有限长晶链的能级结构研究

本文应用有限长周期δ势垒和有限势垒边界模型计算了一维有限长晶链的能级结构，结果表明，有限长晶链能级与无限长晶链能级比较。其能级结构比较特殊，能级分散后相对集中，既形成了较窄的导带，又行成了较窄的禁带，这与实验上发现的微具有窄带结构的结果是一致的。     

Be+离子内壳激发态的能级、精细结构和跃迁波长

采用鞍点和鞍点复数转动方法计算了Be+离子双激发共振态的精细结构能级,用截断变分法进一步饱和函数空间得到更精确的非相对论能量.并进行了相对论效应和质量极化修正.得到了相关共振态的跃迁波长.计算结果较其他理论更符合实验值.     

非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨

本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷阱的形成是由于存在氧缺位缺陷和金属离子正电中心的观点.本文在实验分析的基础上提出了一种新的晶界势垒模型,认为晶界势垒分为主晶界势垒和次晶界势垒,两种势垒的物理性质相同,但形成和蜕变的温度不同。     

Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级

基于第一原理赝势能带计算。采用电中性能级和平均键能方法计算了7种不同半导体的Schottky接触势垒高度，结果表明2种方法都可用于计算金属-本征半导体的接触势垒高度。文中用于确定接触势垒高度的“本征半导体基态费米能级EF^S,i”不同于半导体物理中所指的“本征费米能级Ei”．n型半导体接触势垒、p型半导体接触势垒和本征半导体势垒，三者在接触界面附近的费米能级都是“钉扎”于本征半导体基态费米能级EF^S,i，是此三者的接触势垒高度大致相同的原因。     

W.K.B近似和δ势垒近似下_∧~(238)U超核裂变中∧超子能级的计算

本文用高斯势垒和W.K.B近似方法,以及&势垒近似方法分别计算超核裂变过程中的∧超子的能级。     

利用Schr(o)dinger表象和Heisenberg表象对束缚能级与散射波幅极点的再讨论

在波函数含时状态下,利用Schrodinger表象和Heisenberg表象对一维δ势阱束缚态及势垒散射问题进行了讨论,给出了一维δ势阱束缚能级是δ势垒散射波幅极点的更普遍性证明.     

自动栏杆机的优化调整

典型自动栏杆机的打开,关闭(抬杆/落杆)状态由机械式限位开关来实现,运行调整困难.介绍了一种采用位置传感器连续检测栏杆臂位置及速度,并采用一维搜索算法实现栏杆机自动优化调整的方法.     

一类偶对称势垒透射系数的数值解法

把薛定谔方程的散射态和驻波态联系起来，发展了一种用来求解一些偶对称势垒透射系数的数值方法．对于一些势垒，透射系数的精确解析表达式是无法得到，而利用该方法既可以精确地求出透射系数，又可以求出偶宇称和奇宇称波函数的位相．对于双势垒，利用透射系数可以准确地给出束缚态能级．作为例子，我们利用该方法求解了一种单势垒和一种双势垒的透射系数和对应的偶宇和奇宇称波函数的位相．这些结果清楚了显示了微观粒子在受到势垒散射时的运动性质．     

单电子量子同心环的基态特性

给出了单电子量子同心环基态能量随其半径和势垒的变化规律, 并根据动力学和不确定关系对变化规律进行分析,  通过密度函数显示基态的电子几率分布. 结果表明, 即使基态能量小于势垒, 电子在势垒中的几率也不为零.     

~（221）Ac核裂变及转动态的连续介质模型计算

应用密度可变连续介质模型计算了２２１Ａｃ核的裂变及高速转动态的某些宏观性质。结果表明裂变位垒高度与角动量的关系与实验数据符合较好。预言了鞍点态电荷的双重心分布。而对密度分布明显偏离均匀分布的大形变态计算位能曲面与转动液滴模型结果显著不同。     

载流子表观扩散长度与偏置光强关系的计算机模拟——a-Si∶H表面光生电压(SPV)实验的若干分析

在均匀连续分布的隙态密度假设下,用指数势垒模型来描述a-Si:H的表面势垒,在此基础上理论计算拟合了实验上观测到的载流子表观扩散长度与偏置光强度的依赖关系,改善了Moore的有关SPV实验的解释。     

半导体／液结费米能级钉着的理论分析

在半导体/金属接触的肖脱基结理论和半导体/溶液界面结构的 Gerischer-Nozik模型的基础上,推导出半导体/液结势垒高度的关系式,并定量地分析无表面态和高密度表面态两种极限情形中的势垒高度。结果表明前者决定于半导体的亲合能和氧化还原对的电位,后者不随氧化还原对的电位和外加电位而变化,费米能级钉着在表面态。n-GaAs 电极的光电效应和电反射效应的实验结果证明理论分析的合理性。     

Tunnelling between the edges of two lateral quantum Hall systems

The edge of a two-dimensional electron system in a magnetic field consists of one-dimensional channels that arise from the confining electric field at the edge of the system. The crossed electric and magnetic fields cause electrons to drift parallel to the sample boundary, creating a chiral current that travels along the edge in only one direction. In an ideal two-dimensional electron system in the quantum Hall regime, all the current flows along the edge. Quantization of the Hall resistance arises from occupation of N one-dimensional edge channels, each contributing a conductance of e2/h. Here we report differential conductance measurements, in the integer quantum Hall regime, of tunnelling between the edges of a pair of two-dimensional electron systems that are separated by an atomically precise, high-quality, tunnel barrier. The resultant interaction between the edge states leads to the formation of new energy gaps and an intriguing dispersion relation for electrons travelling along the barrier: for example, we see a persistent conductance peak at zero bias voltage and an absence of tunnelling features due to electron spin. These features are unexpected and are not consistent with a model of weakly interacting edge states. Remnant disorder along the barrier and charge screening may each play a role, although detailed numerical studies will be required to elucidate these effects.     

一类耦合超晶格系统中的电子局域态

理论研究了一类耦合超晶格系统中的电子局域态,该系统是由两个半无限GaAs/AlAs超晶格通过隔离层AlyGa1-yAs耦合而成,数值计算表明y＝1时系统仍存在局域态,但要求隔离层的厚度比规则垒层的厚度小许多,比较了只有一个阱层不规则的不规则超晶格系统的局域态和耦合超晶格中局域态的区别,发现后存在两支局模,分别对应于偶宇称态和奇宇称态,而在相同参数下,前仅存在偶宇称态,还给出了产生上述区别的原因。     

闪锌矿InGaN耦合量子点中的激子态

在有效质量近似下,用变分法研究了受限于闪锌矿InGaN耦合量子点中的激子态.数值结果显示了量子点的结构参数和铟含量对闪锌矿InGaN耦合量子点中的激子态有明显的影响.激子结合能随着垒层厚度的增加有个最小值,而随着点高和半径的增加单调地降低.