单电子输运器件及其研究进展

单电子输运器件是指能在基本电荷层次上控制电子输运的器件.器件在周期时钟信号的作用下,每个周期有n个(通常是一个)电子从源端搬运到漏端,产生量子化电流.单电子输运器件在量子计量和量子信息处理领域存在广泛的应用前景.为此,人们在实验和理论方面做了大量研究工作,力求研制出高精度(10~(-8))、大电流(nA量级)的单电子输运器件,真正达到应用要求.主要从实验研究的角度介绍近20年来单电子输运器件的研究进展,描述各种单电子输运器件的工作原理和实验结果.     

量子盒中的极化子特性

本在考虑电子与局域体纵光学模声子相互作用的情况下，运用有效质量近似和变分方法，推出了量子盒中电子自能随量子盒大小的变化关系，并对GaAs量子盒作了具体的数计算。计算表明，声子的局域效应随量子盒的形状，大小而变化，此结果对超晶格量子盒的研究提供了理论依据。     

一种单电子晶体管的Spice模型

基于单电子晶体管数学分析模型，提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较，该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型，分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。     

传统单电子近似计算法的局限性

在密度泛函理论的基础上,通过理论分析和实际计算三个双原子团簇,证明传统单电子近似计算法只能得到扩展的和绝对化的两类“无相互作用单电子”,简单分析了这种局限性对计算结果的影响。     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

关键词

正在药监局官网公示的《国家食品药品监督管理局关于进口药品实施电子监管有关问题通知》规定，境外制药厂及其《进口药品注册证》载明的生产厂或包装厂部应该加入中国药品电子监管网，这也意味着今后每一盒进口药都将贴上药品电子监管码，有了专属的电子身份证．     

电子声子相互作用对Graphene能带的修正

研究了电子声子相互作用对Graphene电子能带的影响,把电子和LO光频声子相互作用当作微扰,用微扰论方法计算了电子声子相互作用对电子能带的修正.计算结果表明,在费米面附近,Graphene电子能带下移,电子费米速度下降.计算结果和实验测量基本符合.     

低气体放大倍数下单电子和少数电子在正比管内产生的脉冲分布

本文探测了由紫外辐射和超软X射线在正比计数管内形成单电子和少数电子引起电离雪崩所形成的脉冲高度分布,分析了实验结果并给出了理论解释。     

硅单电子晶体管制备及特性

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流，电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单子隧穿效应，该器件的工作温度可达到77K。     

基本电子结构（修订版）

本书提供了一个对解析的电子结构的说明，以便与计算的电子结构相互区分。这两者都是建立在单电子近似、局部密度理论和量子机理电子态确定的基础之上的。这两种方法都是以这些状态为基础。寻求合成的固体或者分子性质的预测。本书是1999年出版的教课书《固体的电子结构与性质》一书的修订版。书中增加了有关玻璃的一章，并且重新撰写了有关旋转轨道耦合、磁合金与锕系元素的章节。     

单电子转移反应

本文对有机化学反应之一的单电子转移过程作了综述，讨论了由单电子转移反应引发的游离基链式亲核取代反应和链锁反应的机理。     

向管制模式信息化、规范化、一体化迈进——浅析西安咸阳塔台电子进程单系统的研发与利用

伴随航班量的迅猛增长,空中交通管制方式日益革新,手段更加先进,电子辅助化程度也越来越高,管制电子进程单也应运而生,其系统结构合理,运行模式科学,突破了传统纸质进程单的局限性,具有成本低、效率高、主动预警等诸多优点,从长远看,电子进程单模式势必更加符合民航空管业的现代化发展的需要.     

碱基分子中单电子作用势判断化学键强弱的研究

碱基是遗传物质DNA和RNA的基本结构单元,与基因突变、癌症及遗传疾病许多健康问题息息相关.使用MELD精密从头计算及自编程序,计算了常见碱基分子腺嘌呤、鸟嘌呤、胸腺嘧啶、胞嘧啶和尿嘧啶中沿各化学键方向上的单电子作用势,并根据单电子作用势势垒——Dpb对各化学键的强弱进行了比较.结果表明,N—H键的Dpb值明显高于C—H键的Dpb值,且胸腺嘧啶分子的C7—H键的Dpb相对于其他分子的C—H键明显偏低.由于Dpb可以用来表征化学键的强弱,因此,碱基分子中N—H键要强于C—H键,且胸腺嘧啶中的C7—H键最弱,在DNA中易被自由基或其他基团进攻,该结论与实验结果一致,为进一步探讨碱基分子的相关性质奠定了基础.     

单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟

建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影响,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法。计算结果表明,当温度越低、隧道结电容越小、电路中隧道结的数目越多时,存储时间越长,器件工作越稳定。     

基于泰勒展开的定态Schrtidinger方程的数值计算方法

根据泰勒展开定理从而获得体系的单中心单粒子近似的变分函数．在这个基础之上，提出了同轨道的双电子近似方法，即：首先根据类氢变分函数获得一个同轨道的双电子的中心势场的近似值公式，然后根据Hyller~s变分函数的正交函数计算同轨道的双电子体系的能量，从而获得体系的总能量．该方法由于采用双电子近似进行了进一步的近似处理，因此计算的精度要高于自洽势场近似方法．     

双电子体系(H_2O)_(12)~(2-)的结构及额外电子定位研究

采用密度泛函结合对称性破损(DFT-UBS)方法研究了水分子团簇(H_2O)_(12)~(2-)双电子体系的结构、稳定性及电场诱导下的额外电子定位。计算显示(H_2O)_(12)~(2-)的两种结构(1和2)都以单态为稳定态,其中2是独特的开壳型单态双自由基,其两个自由基电子(HOMO(α)和(β))分居于分子的两端。在外电场(0.0033≤Fz≤0.0256 au)的诱导下,一端的自由基电子可以迁移到另一电子一端而不明显改变体系的单态双自由基特征。     

辉光放电等离子体特性的实验研究

针对Langmuir单探针测量空气辉光放电等离子体特性实验中,探针的伏安特性曲线不理想这一问题,分析了两种数据处理方法,并通过了实验验证;对影响等离子体参数分布的因素(放电电压、气压)进行了考察。结果表明:放电电压越高,电子的温度越低,密度越高;气压越高,电子的温度越低,密度越高。     

单片微机及电子交流无触点开关在低压（0．4KV）智能型配电柜设计中的应用

本文主要介绍了单片微机及电子交流开关在低压（0.4KV）智能型配电柜设计中的应用，重点介绍了智能型配电柜的控制原理、关键部件一大功率电子交流无触点开关的工作特性和作用。     

量子盒中的极化子特性

本文在考虑电子与局域体纵光学模声子相互作用的情况下 ,运用有效质量近似和变分方法 ,推出了量子盒中电子自能随量子盒大小的变化关系 ,并对 Ga As量子盒作了具体的数计算。计算表明 ,声子的局域效应随量子盒的形状 ,大小而变化 ,此结果对超晶格量子盒的研究提供了理论依据。     

一种单电子晶体管的模拟新方法

基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET—CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义。