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相似文献
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1.
在低温条件下,利用化学溶液沉积法(CBD)成功在Si(100)衬底上生长出近一维ZnO纳米棒阵列.采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)对样品进行结构、形貌和光学性能分析.结果表明:产物为结晶良好的六角结构晶体.随着生长时间的增加,ZnO纳米棒的尺寸随之增大.PL测试表明产物有较好的光致发光性能,并且随着纳米棒尺寸的减小,紫外发射峰发生蓝移现象.  相似文献   

2.
利用溶胶-凝胶法制备了氧化锌(ZnO)纳米棒,通过测试样品的X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图像和光致发光谱(PL)研究了退火温度对ZnO纳米棒结构、形貌和光学性能的影响.结果表明:在900 ℃时会形成均匀的ZnO纳米棒.不同温度烧结得到的样品其光致发光峰不同但都有紫带和又宽又强的可见光带.当升高烧结温度时,由自由激子复合引起的紫外峰发生红移,这是由于晶粒尺寸的增加和应力的减少导致的.另外一个可见光发射峰是由过量的氧和结构缺陷引起的.最后根据实验结果研究了ZnO纳米棒的生长机制.  相似文献   

3.
采用水热法制备了稀土Eu掺杂的Zn0纳米片状材料(ZnO:1%Eu),在稀土Eu掺杂浓度一定的条件下讨论了不同水热反应温度对纳米片结构的影响,得出材料最佳生长温度,并研究了该反应温度条件下掺杂材料的光学性能.实验结果表明,稀土铕以正三价价态成功地掺入到ZnO晶格中.在反应温度为155℃时,材料的结晶质量最好.该反应温度下PL谱图显示出Eu3+的特征发射峰,分别位于579.6,587.8和614nm处,它们是V—V的跃迁,分别来源于Eu3+的5D0-7Fo,^5D0-7F1和^5D0-^7F2跃迁.  相似文献   

4.
采用水热法制备了稀土铈(Ce)掺杂的ZnO纳米棒,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征.结果表明:Ce成功的掺入到ZnO中,掺杂的ZnO纳米棒有较好的结晶质量,直径约为8nm.另外,随着Ce的掺入,紫外峰峰位发生红移,这是因为掺杂后带隙变窄,从而导致了紫外峰的红移.  相似文献   

5.
在常温、常压条件下,考察了平均粒径分别为14.3 nm,21.2 nm,24.1 nm,35.3 nm的ZnO和商品ZnO(约200 nm)对CH3SH的去除性能,通过FTIR和XPS等技术对脱硫反应后的试样进行了表征.结果表明,CH3SH主要以分子形式吸附于纳米ZnO表面,并随纳米ZnO粒径的减小,吸附在纳米ZnO表面上CH3SH的FTIR特征峰和硫物种XPS特征峰逐渐增强,CH3SH在纳米ZnO表面进一步脱质子,反应活性逐渐增大,脱硫性能逐渐提高.说明纳米ZnO的表面结构是影响脱硫性能的主要因素.  相似文献   

6.
杨静瑜  高岩 《河南科技》2013,(7):194-195
利用水热法制备了ZnO纳米片,通过X射线衍射谱(XRD)、扫描电镜(SEM)、光致发光(PL)和吸收光谱(ABS)研究了不同温度ZnO的微结构和光学性质。X射线衍射的结果表明实验样品具有六角纤锌矿结构。扫描电子显微镜观察到样品具有纳米片状结构,随温度升高,纳米片逐渐团聚为纳米球。在光致发光光谱中观察到两个峰,一个是中心波长位于380nm附近窄且强的紫外发光峰,另一个是520nm附近弱而宽的可见发光峰,结果表明温度为110℃时表面缺陷最少。紫外可见吸收谱给出了样品在110℃时,结晶性更好,紫外吸收更强。  相似文献   

7.
在500℃且不同退火气氛(氮气、氧气)条件下,我们通过化学沉淀法成功制备了ZnO纳米颗粒.采用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、光致发光(PL)和拉曼光谱(Raman)研究退火气氛对ZnO纳米颗粒结构和发光特性的影响.实验结果表明,制得样品为具有六角纤锌矿结构的ZnO.从Raman和PL光谱可以观测到,退火气氛对ZnO纳米颗粒的结晶和发光特性都有很大的影响,氮气气氛下退火得到样品发光特性较好,缺陷较少,文中对其影响机制进行了讨论.  相似文献   

8.
本文主要介绍ZnO纳米棒的生长及其优异的发光性能.分别采用低温(<100℃)和高温(-900℃)在p型衬底上生长ZnO纳米棒.ZaO纳米棒/p型衬底构成p-n结,从而制成发光二极管(LEO).利用光致发光(PL),点致发光(EL),以及电学性能测试仪等仪器设备测试LED的性能.结果表明,ZnO发射光的谱带很宽,可见光部分来源于深能级发射,预示ZnO在白光LED科技领域具有潜在的应用价值.  相似文献   

9.
利用低温液相法,成功制备出一种ZnO纳米花结构.分别改变溶液的反应温度、pH值、反应时间以及碱的种类等条件进行了一系列对比实验.讨论各实验条件对ZnO产物形貌和结构的影响.结果表明,在pH为8.35,温度为75℃及搅拌时间为12 h的条件下,ZnO纳米花形貌均匀.  相似文献   

10.
在低温条件下,利用化学溶液沉积法(CBD)成功在ITO导电玻璃衬底上生长出近一维ZnO纳米棒.本文不仅研究了生长条件,如Zn^2+摩尔浓度和生长时间对纳米棒结构和形貌的影响,还利用不同衬底(Si衬底、ITO导电玻璃和玻璃)进行实验,从而研究了同一生长条件下,衬底对样品形貌和光学性能的影响.结果表明,随着Zn^2+摩尔浓度的增大,纳米棒的尺寸也随着增大;当Zn^2+摩尔浓度为0.1M时,纳米棒的纵横比随着生长时间的增加而减小;衬底对样品的形貌和光学特性有一定影响.PL测试表明硅衬底上生长的纳米棒有较好的光学性能.  相似文献   

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