抗坏血酸在纳米金/石墨烯复合物修饰电极上的电化学行为研究

根据Hummers方法制备了石墨烯(GR),通过在石墨烯修饰玻碳电极(GR/GCE)表面电沉积纳米金粒子(Au NPs)制备了纳米金/石墨烯复合物修饰电极(Au NPs/GR/GCE),采用扫描电镜表征了电极形貌;并用循环伏安法研究了抗坏血酸(AA)在此修饰电极上的电化学行为,在p H=4.0的磷酸氢二钠-柠檬酸缓冲溶液中,AA在复合物修饰电极上产生一灵敏的氧化峰,氧化峰电流显著高于裸玻碳电极(GCE)和石墨烯修饰玻碳电极(GR/GCE);在优化实验条件下,建立了循环伏安法测定AA的方法,氧化峰电流与AA的浓度在7⁵00μmol/L和1500μmol/L和1³0 mmol/L范围内呈良好的线性,检出限为5μmol/L(信噪比=3);用该方法测定维生素C片中AA的含量,回收率在97.69%30 mmol/L范围内呈良好的线性,检出限为5μmol/L(信噪比=3);用该方法测定维生素C片中AA的含量,回收率在97.69%¹03.5%之间.     

石墨烯/壳聚糖修饰玻碳电极 测定水样中痕量铜离子

采用控制电位电解法,在玻碳电极((GCE)上进行石墨烯(GN)/壳聚糖(CS)修饰膜的电沉积,将制得的膜修饰电极GN/CS/GCE在0.1 mol·L-1的HAc-NaAc电解液(pH=4.2)于-0.5 V(vs.SCE)电位下富集Cu2+,并用差分脉冲溶出伏安法测定.结果表明,该膜修饰电极对Cu2+的富集作用明显强...     

石墨烯/Nafion膜修饰电极对痕量核黄素的测定

采用Hummers法制备石墨烯对玻碳电极进行修饰,表面修饰效果采用电子显微镜进行表征,对测定条件进行优化。用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)对核黄素(RF)的电化学行为进行了研究。实验结果表明,与裸玻碳电极相比,石墨烯/Nafion膜修饰电极显示出很好的催化作用,核黄素在修饰电极上得到的氧化还原峰电流显著增强。还原峰电流与核黄素的浓度在3.0×10-6～2.0×10-5mol.L-1范围内成线性,线性关系数R=0.9946,检测限为1.0×10-6mol.L-1。用此方法测定了维生素B2片中维生素B2的含量,效果较好。     

基于石墨烯复合材料的5-羟色胺电化学传感器

以水热法制备了聚苯胺/还原氧化石墨烯复合材料,将其超声分散于乙醇溶液中,滴涂在聚对氨基苯磺酸修饰玻碳电极表面,得到聚苯胺/还原氧化石墨烯/聚对氨基苯磺酸修饰玻碳电极.采用循环伏安法考察了5-羟色胺(5-HT)在修饰电极上的电化学行为.实验结果表明该电极对5-HT的氧化反应过程表现出良好的催化活性.最佳条件下,氧化峰电流与5-HT的浓度在0.10~100.0μmol/L范围呈良好线性关系,其线性方程为I_p(μA)=-0.0419C(μmol/L)-0.4171(R=0.996),检出限为0.032μmol/L.当抗坏血酸和多巴胺的浓度增大到5-HT的50倍时,5-HT峰电流几乎不受影响,表明该修饰电极对5-HT检测具有良好的选择性.     

石墨烯-双壁碳纳米管/酸性黄9修饰电极电化学检测鸟嘌呤和尿酸

制备了石墨烯-双壁碳纳米管/酸性黄9修饰玻碳电极(DG/AY/GCE),在浓度为0.1mol/L、pH为4.0的磷酸缓冲溶液中,探讨了鸟嘌呤(Guanine,GA)和尿酸(Uric acid,UA)在该修饰电极上的电化学行为。结果表明:GA和UA在该修饰电极上氧化电流可得到明显增强,过电位得以降低。利用计时电流法测定GA和UA,与GA和UA氧化电流呈线性关系的浓度范围分别为2.0×10-9～6.8×10-5 mol/L和5.0×10-9～9.5×10-5 mol/L,检测限(s/n=3)分别为6.67×10-10mol/L和1.67×10-9mol/L。该修饰电极已经成功应用于人类尿液中GA和UA的含量分析,结果令人满意。     

一步电化学还原氧化石墨烯-壳聚糖复合膜固定的辣根过氧化物酶的直接电化学及对过氧化氢的传感检测

为构筑出一种新的辣根过氧化物酶(HRP)第三代电化学生物传感器并将其用于H_2O_2的有效检测,采用循环伏安法将滴涂于玻碳电极(GCE)表面的壳聚糖(CS)-氧化石墨烯(GO)复合膜一步还原成壳聚糖(CS)-电化学还原氧化石墨烯(ErGO)复合膜,然后结合一层CS-辣根过氧化物酶(HRP)复合物,制备出CS-HRP/CS-ErGO/GCE,其中内层CS用于吸附HRP,外层CS用于阻止HRP泄漏。利用复合膜中Er GO良好的导电性和电催化性能,实现HRP与电极表面的直接电子转移。此外,CS/CS-ErGO还为HRP提供一个生物相容性微环境,使得修饰在电极上的HRP能保持其生物活性。结果表明:该修饰电极在空白磷酸盐缓冲液(PBS)溶液中出现一对氧化还原峰,式量电位为-0.11 V(vs.Ag/Ag Cl),说明包埋在CS/CS-ErGO膜中的HRP与玻碳电极之间发生了直接电化学行为。此外,该修饰电极对H_2O_2的还原具有电催化作用,能快速、灵敏地响应H_2O_2的浓度变化,其线性范围为1.0×10~(-5)~7.0×10~(-4)mol/L,检测限为3.0×10~(-6)mol/L(3S/N)。该传感器具有制备方法简单、成本低廉且稳定性良好的特点。     

石墨烯/酞菁钴复合材料对亚硝酸根的催化性能

研究石墨烯/酞菁钴复合材料的制备方法及电催化性能,采用微波合成法,以石墨烯(GR)、氯化钴和邻苯二腈为原料,原位合成了石墨烯/酞菁钴(GR/CoPc)复合材料. 通过紫外-可见光谱(UV-vis)、透射电子显微镜(TEM)、拉曼(Raman)光谱、X射线衍射(XRD)、红外光谱(FT-IR)对其结构、微观形貌进行表征,酞菁钴呈棒状均匀分布于石墨烯的片层表面. 制备了GR/CoPc/GCE修饰电极并研究了亚硝酸根在修饰电极上的电化学行为及其作用机理. GR/CoPc/GCE修饰电极对NO₂-的电催化性能较单独的CoPc和GR修饰电极相比明显提高. 在实验条件下,亚硝酸根在GR/CoPc/GCE修饰电极上的响应电流与其浓度在1.67～644.27μmol/L的范围内呈良好的线性关系,检测限可达0.6μmol/L. 该修饰电极对亚硝酸根的检测有良好的稳定性、抗干扰性及重现性.      

Ag/聚L-甲硫氨酸复合修饰电极的制备及其用于果蔬中维生素C的测定

采用循环伏安法将Ag和L-甲硫氨酸(L-Met)聚合在玻碳电极表面,制得Ag/聚L-甲硫氨酸复合修饰电极(AgPLM/GCE),并对维生素C在此电极上的电化学行为进行研究,建立测定维生素C的新方法。在pH 3.0的磷酸盐缓冲溶液中,扫描速率为220mV/s时,维生素C在修饰电极上,产生一灵敏的氧化峰,峰电位为0.326V(s Ag/AgCl),峰电流与维生素C的浓度在2.00×10-4~3.00×10-2 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为5.00×10-6 mol/L。用于部分水果蔬菜中维生素C的测定,结果满意。     

石墨烯/纳米纤维素/亚甲基蓝电极同时检测抗坏血酸和尿酸

直接采用电化学还原法在玻碳电极上成功制备石墨烯(graphene,GN)修饰的电极和石墨烯/纳米纤维素/亚甲基蓝(graphene/nano-crystalline cellulose/methylene blue composite,GN/NCC/MB)复合材料修饰电极,并利用循环伏安法研究了这两种电极在PBS(phosphate buffered solution 0.1 mol·L-1,pH=7.0)溶液中的对抗坏血酸(ascorbic acid,AA)和尿酸(uric acid,UA)在该电极上的电化学行为.实验结果表明:在AA和UA共存体系中,GN/NCC/MB/GCE修饰的玻碳电极能够将AA和UA的氧化峰电位明显分开,峰电位相差300mV.并且用两种形式,研究了AA和UA两种物质峰电流与其物质的量浓度的关系,发现AA、UA的氧化峰电流与其浓度分别在40.0~700.0μmol·L-1、4.0~120.0μmol·L-1范围内呈线性关系.在AA和UA共存时,两者的最低检测限度分别为17.644 2μmol·L-1和3.251 1μmol·L-1.GN/NCC/MB复合材料修饰的玻碳电极可以实现AA和UA共存时两种物质的定量检测.     

表面活性剂对普鲁士蓝复合修饰电极性能的影响

使用滴涂的方法制备多壁碳纳米管(MWNTs)修饰电极(MWNTs/GCE),并利用循环伏安法在该电极表面沉积普鲁士蓝(PB),从而得到普鲁士蓝-多壁碳纳米管复合修饰电极(PB/MWNTs/GCE),相对于相同条件下在裸玻碳电极表面制备的PB修饰电极,该电极表现出更优良的电化学性质。通过使用不同性质的表面活性剂对MWNTs进行分散,制备了系列MWNTs基PB修饰电极,并研究了表面活性剂对PB复合修饰电极性能的影响。实验结果表明,表面活性剂的加入提高了PB/MWNTs/GCE基修饰电极对过氧化氢的检测范围。     

图wn*pk的优美性

提出图wn*pk的概念,并在n≡0(mod 2)且n≥4,k≡1(mod 2),k≡0(mod 2)和n≡1(mod 2)且n≥5,k≡1(mod 2),k≡0(mod 2)时,证明图wn*pk是优美的.     

广义Zakharov-Kuznetsov方程的动力学行为和解析解

研究了等离子体中用于描述低频静电离子-声波的广义Zakharov-Kuznetsov方程的动力学行为和解析解.分岔和相图分析结果表明,平衡点类型为鞍点和中心点,存在一系列周期轨线和同宿轨线,不同的非线性项、色散项系数会影响平衡点的类型和稳定性.此外,还得到了广义Zakharov-Kuznetsov方程的解析解,包括周期解、孤子解和冲击波解.     

玻色型反氢原子结构及氘核PB+1nB0和PF+1nF0结构函数的矩

摘要：根据费米型质子PB^ 1、中子nF^0、电子e^-1的超对称性伴子玻色型PB^ 1nB^0、-↑Ue^-,1↑B粒子,讨论反氢原子的结构,计算费米型氘核PF^ 1nF^0和玻色型氘核PB^ 1nB^0结构函数的矩,结果发现反氢原子的结构与目前观测到费米型反氢原子不同,氘核PB^ 1nB^0结构函数的矩的理论值与实验数据较好相符,PB^ 1nB^0结构函数的矩的计算结果比PB^ 1nF^0要大,增大的值是由于费米型中性矢量反轻子-↑l0F,T结构函数的贡献所致。     

关于差分方程xn=(A+xn-1p)/(B+xn-kp)正解的有界性

证明差分方程x_n=(A x_(n-1)~p)/(B x_(n-k)~p),n=0,1,2,…,(其中k≥2,A,B,p∈(0, ∞))在p~(k-1)≥k~k/(k-1)~(k-1)时,有无界的解,并且当p~(k-1)相似文献   

荷花图Dn,4*2 pm* St的优美性和奇强协调性

给出荷花图Dn,4^2＊pm＊St的概念,并证明当m≡0,1（mod4且m≥4）时,荷花图是优美且奇强协调的.     

关于Zm的尾数问题

引入尾数的定义，讨论Z^m的尾数问题，得到几个关于尾数的定理．这对研究整数的整除性、整数运算结果的检验及丢番图方程的求解具有一定的参考价值．     

多项式xn-bx-a的二次不可约因式

设n>4,fb(x)=xn-bx-a∈Z[x],其中a,b≠0,n∈N,a,b∈Z.讨论b=±1时fb(x)的二次不可约因式.证明x6-x-a在Z[x]中没有二次不可约因式;若f-1(x)在Z[x]中有二次不可约因式,除了n≡2(mod 3),a=-1,g(x)=x2+x+1情况外,必有n=5,a=±6或n=13,a=±90,且g(x)=x2±x+2.     

广义商高数的纯指数Diophantine方程ax+by=cz的解

运用Gel’fond-Baker方法证明,在m≥105r3时,丢番图方程ax+by=cz仅有正整数解（x,y,z）=（2,2,r）.其中r和m为正偶数,（a,b,c）=（|V（m,r）|,|U（m,r）|,m2+1）,V（m,r）+U（m,r）（-1）^1/2=(m+（-1）^1/2)r.     

关于fPn[f(k)]-c的零点

讨论fP”[f(k)]的值分布问题,其中f为超越亚纯函数,证明了在适当条件下fPn[f(k)]取任意非零有穷复数无穷多次.     

氧化钽/氧化铝薄膜的阻变特性和突触特性

通过微电子加工工艺,制备出具有ITO/TaO_x/AlO_x/Ti结构的双介质层阻变存储器.器件中引入的氧化铝介质层有效地减小了器件的运行电流,降低了高/低阻态间切换所需的功耗,并增大了高/低阻态电阻比值.研究表明,器件的高低态电阻与其切换电压均有良好的稳定性和均匀性,且器件表现出可靠的擦写性能与保持性能.进一步研究表明,器件高阻态导电受肖特基发射机制主导,低阻态导电受空间电荷限制机制主导.器件还具有连续可调的电阻渐变行为,利用反复电脉冲刺激下的器件电阻变化来表征突触的权值,可以模拟突触行为.