水合五氧化二锑—磷钼酸铵的性能与复合机理

以水合五氧化二锑（ＨＡＰ）为基本合成了水合五氧化二锑－磷钼酸铵（ＨＡＰ－ＡＭＰ）复合无机离子交换剂,并研究了基体陈化时间对复合交换剂性能与结构的影响。通过傅里叶红外分析（ＦＴＩＲ）Ｘ射线衍射（Ｘ－ＲＡＹ）、Ｘ射线光电子能谱分析（ＸＰＳ）等方法的研究,探讨复合机理。结果表明,复合交换剂性能稳定;复合并未导致新物质产生,但ＡＭＰ原子已深入ＨＡＰ晶格,且界面上有Ｎ－Ｈ氢键生成。     

不同酸掺杂对聚苯胺导电性能的影响

采用元素分析,Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）,以及直流电导率σｄｃ（Ｔ）与温度关系等方法对三种聚苯胺ＰＡＮＩ－ＨＣｌ,ＰＡＮＩ－Ｈ２ＳＯ４和ＰＡＮＩ－Ｈ３ＰＯ４进行了研究,在Ｃｌ（２ｐ）谱中,可以分辨四个二重态的自旋轨道裂分偶极子Ｃｌ（２ｐ１／２）和Ｃｌ（２ｐ２／２）Ｓ（２ｐ）－ｃｏｒｅ－ｌｅｖｅｌ谱显示了二重态自旋轨道的裂分偶极子Ｓ（２ｐ１／２）和Ｓ（２ｐ３／２）,而Ｐ（２ｐ）－ｃｏｒｅ－ｌｅｖｅｌ,     

过氧杂多化合物的合成与催化性能（I）：Dawson结构的过氧钽杂多化？…

合成了过氧磷钨杂多酸盐α２－Ｋ７－ｍＨｍ（Ｐ２Ｗ１７（ＴαＯ２）Ｏ６１）．ｘＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｋ,ＴＭＡ,ＴＥＡ,ＴＢＡ）并且极谱－循环伏安,ＩＲ,ＵＶ吸收光谱,ＸＰＳ,ＸＲＤ,＾３１ＰＮＭＲ,＾１８３ＷＮＭＲ谱进行表征。     

不同酸掺杂对聚苯胺导电性能的影响

采用元素分析、Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）以及直流电导率σｄｃ（Ｔ）与温度关系等方法对三种聚苯胺ＰＡＮＩ－ＨＣｌ,ＰＡＮＩ－Ｈ２ＳＯ４和ＰＡＮＩ－Ｈ３ＰＯ４进行了研究．在Ｃｌ（２ｐ）谱中,可以分辨四个二重态的自旋轨道裂分偶极子Ｃｌ（２ｐ１／２）和Ｃｌ（２ｐ３／２）．Ｓ（２ｐ）－ｃｏｒｅ－ｌｅｖｅｌ谱显示了二重态自旋轨道的裂分偶极子Ｓ（２ｐ１／２）和Ｓ（２ｐ３／２）,而Ｐ（２ｐ）－ｃｏｒｅ－ｌｅｖｅｌ谱仅在结合能为１３４．０３ｅＶ时显示单一的峰值．室温时ＰＡＮＩ－ＨＣｌ和ＰＡＮＩ－Ｈ２ＳＯ４的σｄｃ比ＰＡＮＩ－Ｈ３ＰＯ４的σｄｃ高数倍．ＰＡＮＩ样品的导电性与温度的关系表明它们是半导体,而且符合准一维的变程跳跃（Ｑ１Ｄ－ＶＲＨ）模型     

用D／max－rBX光机实现EXAFS测量

分析了同步辐射和普通Ｘ射线源的巨大差别，计算了在Ｄ／ｍａｘ－ｒＢＸ光机上进行ＥＸＡＦＳ（ＥｘｔｎｄｅｄＸ－ｒａｙＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎＦｉｎｅＳｔｒｕｃｔｕｒｅ）测量光强计数、能量分辨率、高次谐波等主要参数的限度。为了获得能够用于结构研究的ＥＸＡＦＳ谱线，采取了一系列措施，如选用合适的靶材、工作电压电流、单色器晶体、狭缝、单道分析器等。作者强调探测器的有限线性范围是产生系统误差的主要原因之一，在实验室ＥＳＡＦＳ测量中，总存在ｘ射线光强与分辨能力的矛盾与协调问题，为此，计数率必须控制在２×１０４ＣＰＳ以下。最后，报道了在ＲｉｇａｋｕＤ／ｍａｘ－ｒＢＸ射线衍射仪上的一个实例结果。并分析了实验室测量的局限性。     

过氧杂多化合物的合成与催化性能(Ⅰ)──Dawson结构的过氧钽杂多化合物的合成与表征

合成了过氧磷钨杂多酸盐α２Ｋ７－ｍＨｍ［Ｐ２Ｗ１７（ＴɑＯ２）Ｏ６１］·ｘＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｋ,ＴＭＡ,ＴＥＡ,ＴＢＡ）,并且用极谱－循环伏安、ＩＲ、ＵＶ吸收光谱、ＸＰＳ、ＸＲＤ、３１ＰＮＭＲ、１８３ＷＮＭＲ谱进行表征     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。     

NSRL光电子能谱实验控制软件设计及其应用

介绍一种同步辐射光电子能谱实验的软件．软件对光束线的控制由罗兰圆模式改为ＤＲＡＧＯＮ模式［１］，光通过率提高２～３倍．软件不仅可以做以Ｘ射线枪为激发源的Ｘ射线激发谱（ＸＰＳ），还可以做以同步辐射光为激发源的能量分布曲线谱（ＥＤＣ）、固定终态谱（ＣＦＳ）和固定初态谱（ＣＩＳ）．软件使用图形的菜单界面，可视化操作，运行稳定，满足科学实验的要求     

氧化镁作亚硫酸镁盐浆氧漂的保护剂

进行亚硫酸镁盐法浆（下称镁盐浆）的氧气漂白（Ｏ）试验，氧漂浆的过氧乙酸（ＰＡ）预处理和Ｈ２Ｏ２漂白（Ｐ）试验，以及样品的傅立叶变换红外光谱、Ｘ－射线衍射研究．结果证明，添加ＭｇＯ的氧漂浆，在白度、粘度、结晶度等方面均优于添加ＭｇＳＯ４的氧漂浆；应用Ｏ′ＫＩ法红外结晶指数及Ｘ－射线衍射法结晶度均能较好地反映样品的结晶结构变化．Ｏ－ＰＡ－Ｐ漂白流程为实现镁盐浆全无氯、短序、高白度漂白提供一种有效途径．     

几种SF6混合气体的耐电强度及分析

在Ｅ／Ｐ值为１５．０～９４．０ｋｖ（ｍｍ．ＭＰａ）范围内采用稳态汤逊法（ＳＳＴ）测量了ＳＦ６／Ｎ２，ＳＦ６／ＳＯ２，ＳＦ６／Ｈｅ，ＳＦ６／Ｎｅ，ＳＦ６／Ａｒ，ＳＦ６／Ｋｒ，ＳＦ６／Ｘｅ等混合气体的电子崩电流，确定了电离系数α吸附系数η和有效电离系数α，用最小二乘法求出了α／Ｐ与Ｅ／Ｐ值的关系，给出了在各混合比下这些混合气体的临界耐电强度值（Ｅ／Ｐ）ｌｉｍ并分析和比较了这些混合气体的绝缘特性。     

对向靶磁控溅射纳米氧化钒薄膜的热氧化处理

采用直流对向靶磁控溅射方法制备低价态纳米氧化钒薄膜,研究热氧化处理温度和时间对氧化钒薄膜的组分、结构和电阻温度特性的影响采用X射线光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对氧化钒薄膜的组分、结晶结构和微观形貌进行分析,利用热敏感系统对薄膜的电阻温度特性进行测量．结果表明,经300～360℃热处理后,氧化钒薄膜的组分逐渐由V2O3和VO向VO2转变,薄膜由非晶态变为单斜金红石结构,具有金属半导体相变性能;增加热处理温度后,颗粒尺寸由20nm增大为100nm,薄膜表面变得致密,阻碍氧与低价态氧化钒的进一步反应,薄膜内VO2组分舍量的改变量不大;增加热处理时间后,薄膜内VO2组分的含量明显增加,相变幅度超过2个数量级.     

氧化钒薄膜的掺锆实验研究

以V2O5和Zr（NO3）4．5H2O为原料，采用无机溶胶-凝胶法制备了掺Zr^4＋的VOx（2≤X≤2．5）相变薄膜。通过对掺杂薄膜的物相组成、价态、相结构的XPS和XRD分析及电阻突变量级和电阻突变温度的测试，结果发现：所制备的掺杂薄膜其主要成分是VO2，所掺入的Zr与VOx完全互溶，但其中Zr的价态未发生改变。掺杂薄膜随Zr含量的增加其电阻突变温度下降．同时其电阻突变量级也随之降低。     

氧化法在石英衬底上制备氧化钒薄膜及氧化过程和性能的研究

采用直流溅射法在石英衬底上沉积不同厚度的金属钒(V)膜,在空气氛围中进行不同温度热氧化处理获得性能最佳的退火温度和薄膜厚度。用X射线衍射仪(XRD),傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)和X射线光电子能谱仪分别研究了薄膜的晶体结构,红外透射性和表面组分。结果表明:厚度约为100 nm的金属钒膜在空气中370°C下氧化60 min制得VO2含量较高,相变温度45℃,热滞宽度约10℃,高低温光透过率变化41%的氧化钒薄膜。     

退火条件对氧化钒薄膜电学性能的影响

文中采用射频反应溅射法制备氧化钒薄膜,并用三段式控温退火炉对薄膜进行快速升降温退火处理.文中重点就退火条件对氧化钒薄膜的电学性能的影响进行了研究.研究结果表明:退火时间和退火温度均对薄膜电学性能有较大影响,考虑到氧化钒薄膜热敏性能要求,兼顾微测辐射热计制备工艺(即微电子机械系统(简称MEMS)工艺)要求,退火时间约1～...     

微波等离子体化学气相沉积β-C_3N_4超硬膜的研究

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,用高纯氮气（９９．９９９％ ）和甲烷（９９．９％ ）作反应气体,在多晶铂（Ｐｔ）基片上沉积Ｃ３Ｎ４ 薄膜。利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）观察薄膜形貌表明,薄膜由针状晶体组成。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析了这种晶态Ｃ－Ｎ膜的化学成分。对不同样品不同区域的分析结果表明,Ｎ／Ｃ比接近于４／３。Ｘ射线衍射结构分析说明该膜主要由β－Ｃ３Ｎ４ 和α－Ｃ３Ｎ４ 组成。利用Ｎａｎｏ ｉｎｄｅｎｔｅｒ Ⅱ测得Ｃ３Ｎ４ 膜的体弹性模量Ｂ达到３４９ ＧＰａ,接近ｃ－ＢＮ（３６７ ＧＰａ）的体弹性模量,证明Ｃ３Ｎ４ 化合物是超硬材料家族中的一员。     

Effects of deposition parameters on the properties of VO_2 thin films

Up to now, much attention has been paid tovanadiumoxide (VOx) thinfil ms due to their exten-sive applications in the infrared microbolometers .Incontrast tothe conventional photon detectors ,the mi-crobolometer using VOxthinfil ms as sensitive materi-als can offer decreased systemcost ,i mproved reliabil-ity,low power-consumption and high sensitivity inthe spectral range of 8—14μm.Vanadiumoxides have various crystal structuresand valency states ,such as VO, V2O3, VO2, V2O5,whichleads tol…     

用Read X射线相机分析薄膜织构的方法研究

提出用ＲｅａｄＸ射线相机照相制作多晶薄膜极图,进而确定薄膜织构的方法,并推导出相关公式。     

CN_x薄膜的制备及电子结构

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ;ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子,所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键,而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在,说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．     

应力对La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3薄膜电输运性能的调控研究

采用脉冲激光沉积技术,在LaAlO3和0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3两种单晶基片上外延生长了La0.8Ca0.2MnO3薄膜.X射线衍射分析表明两种薄膜皆为单取向生长,且面内分别受到压应力和张应力作用.晶格失配造成的应力对薄膜的电阻和金属-绝缘相转变温度Tp影响很大.对LCMO/PMN-PT施加外电场,从而调节薄膜所受应力也可以调制其电阻和Tp.