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自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受到普遍的关注。非晶(纳米晶)软磁合金具有高的磁导率,在一定频率的交流驱动电流作用下,外加直流磁场阻碍了交流电流所感生的磁通量的变化,从而降低磁导率,提高趋肤深度,降低了交流阻抗,引起效应。及非晶薄带在不同的温度下热处理可以形成纳米级软磁合金,降低各向异性常数和磁致伸缩系数,提高磁导率,有利于GMI效应的出现。本文对以上三类材料进行不同温度下的热处理,研究GMI效应随外加磁场及驱动电流频率(f)的变化关系,并探讨GMI的来源。定义。 相似文献
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镀NiFeB膜的绝缘层包裹BeCu丝的巨磁阻抗效应和低频磁电阻效应 总被引:8,自引:1,他引:8
用化学镀方法制备了镀NiFeB膜的绝缘层包裹BeCu复合结构丝. 该复合结构丝在较低频率驱动电流下有较大的巨磁阻抗效应. 在10 kHz时磁阻抗效应(ΔZ/Z)max达31.4%, 500 kHz时(ΔZ/Z)max为250%. 同时在较低频率驱动电流下出现了磁电阻效应, 当频率为540 Hz时磁电阻效应(ΔR/R)max为–8.5%, 10 kHz时(ΔR/R)max达38.7%. 由于软磁NiFeB层的作用, 当交流驱动电流通过BeCu导电丝时产生了等效电阻和电感, NiFeB复合丝的巨磁阻抗效应特性和低频磁电阻效应与此密切相关. 相似文献
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Fe基软磁纳米微晶磁致电阻抗效应的研究 总被引:9,自引:2,他引:9
近年来,发现由Fe,Co,Ni和Cr,Ag,Cu所组成的二元复合膜和颗粒膜具有巨磁电阻效应,预期它在磁记录、磁传感器等方面有潜在的应用前景,引起各国科学家的广泛兴趣.但从目前的研究情况看,在很多情况下这些薄膜还需要有强磁场和低温才能显示出显著的效应.然而,最近,由Mohri等人从Co基非晶的丝或带可观察到巨磁致电阻抗效应,当频率几十kHz到几MH_z的电流通过非晶丝的截面时,在室温加80~800A/m的低磁场就能探测到△Z/Z(0)(=(Z(H)-Z(0))/Z(0))的变化在50%以上.我们在研究Fe基纳米微晶FeCuNbSiB中同样观测到巨磁致电阻抗效应,而且经不同温度退火后还会显示出不同的△Z/Z(0)值.当选取材料组分为Fe_(73)Cu_1Nb_(1.5)Mo_2Si_(13.5)B_9并在横向磁场退火后,磁致电阻抗效应可达~100%,灵敏度达~8%(A/m). 相似文献
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Fe基纳米微晶粉末的磁性与巨磁阻抗效应 总被引:10,自引:0,他引:10
研究了不同温度退火的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金粉末的宏观及微观磁性,并报道纳米微晶粉末的巨磁阻抗效应,实验结果表明,510℃退火粉末具有最佳软磁性能,而样品的纳向驱动阻抗效应(longitudinal driven giant magnetoimpedance,简称LDGMI)变化的大小不仅与其磁性能有关,与电性能也密切相关,600℃退火样品得到的最大阻抗变化为52.2%。 相似文献
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人们一般把磁性金属和合金的电阻随磁场大小而改变的现象称为磁电阻效应.磁电阻效应的大小通常用[ρ(H)-ρ(O)]/ρ(O)×100%来衡量,其中ρ(H)和ρ(O)分别是有磁场和无磁场时的电阻值.磁电阻效应,早在1857年就被英国的开尔文(L.Kelvin)发现了.不过,这种改变的幅度并不大,通常只在1%到2%之间. 相似文献
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巨磁阻(GMR)超晶格薄膜(如Co/Cu,Ni/Ag以及Fe/Cr等系统)的研究已取得许多重要成果,其中Co/Cu多层薄膜受到特别重视,因其具有较高的室温巨磁阻效应,而且重复性好和容易制备,极有希望首先得到应用,已报道的制备方法包括分子束外延、超高真空蒸发以及磁控溅射,其中,磁控溅射法所得到的GMR较大,采用较为普遍,普通磁控溅射中铁磁靶材引起的磁屏蔽导致溅射率低,而且靶面溅蚀不均匀以及存在对薄膜的二次溅射等问题.本文用 相似文献
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交流磁场作用下弥散硬化埃林瓦合金中的负△E效应 总被引:1,自引:0,他引:1
一、前言 铁磁性金属和合金的杨氏模量E由于试样被磁化而产生变化,这种现象称为△E效应.在弱磁场范围,试样因磁化其E值减小或△E/E为负称为负△E效应.文献[1,2]研究了纯金属Ni在直流和交流磁场作用下的负△E效应,文献[3]研究了直流磁场作用下弥散硬化 相似文献
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由于氧化物巨磁阻薄膜具有十分巨大的巨磁阻效应,因而越来越受到了人们的重视.然而其巨磁阻产生的机理却至今仍不甚清楚,有关这方面的研究显得迫切需要.在多层膜或颗粒膜中其巨磁阻产生的本质通常被理解为一种自旋相关的表面散射的结果.若磁阻比定义为MR=Δρ/ρO=(ρO-ρH)/ρO,其中ρO为零场下的电阻率,ρH为磁场H时的电阻率,则在铁磁转变温度以下MR与磁化强度M之间应该有如下的关系:MR(T,H)=[ρ(O,T)-ρ(H,T)]/ρ(O,T)=A(T)F[│M/M_S│~2],(1)其中M_S为饱和磁化强度,F是│M/M_S│~2的单调函数其值介于0与1之间,当M→0时,F[│M/M_S│~2]=0,而当M→M_S时,F[│M/M_S│~2]=1,(1)式中的A(T)只是一个与温度有关的函数.由该式可以得到如下两个结论:首先,MR的温度关系应该是由(1)式中的A(T)的温度关系来决定,与磁场无关,也即MR(H1,T):MR(H2,T)应该为一常数;其次,对于某一特定的温度,MR(T,H)=CF[│M/M_S│~2],其中C为常数,由此决定了MR的磁场依赖关系.本文将对La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_z巨磁阻薄膜中的MR的温度关系和磁场关系作一较详细的实验研究.1 实验 相似文献
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使用表面磁导率法得到任意偏置磁化金属覆层波导中的静磁波传播方程, 并结合磁光理论分析了接地效应对基于静磁表面波的磁光Bragg衍射的影响. 计算表明, 通过恰当设置金属与磁性YIG薄膜间距可以大幅提高磁光衍射效率; 而调整偏置磁场方向还可以进一步增强接地效应对磁光衍射的影响; 同时分析发现, 由接地效应引起的衍射效率峰值对应的频率点与静磁表面波零色散点基本重合, 即表现出弱色散特性; 而该效应也可提高基于磁光Bragg单元的射频频谱分析能力. 因此, 接地结构的磁光衍射器件在微波通信、光信号处理等方面具有广泛的应用前景. 相似文献
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巨磁阻氧化物材料的低频1/ƒ噪声 总被引:1,自引:0,他引:1
自从Jin等人发现氧化物薄膜中存在令人惊讶的巨磁阻(giant magnetoresistance,GMR)效应后,这类氧化物材料引起了人们极大关注。现已清楚,锰离子(Mn~(3 )/Mn~(4 )) 相似文献
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近年来研究发现,由磁性材料和非磁性材料交替沉积而构成的金属多层膜和三层(Sandwich)结构系统中,非磁性层厚度发生变化时,相邻磁性层之间出现铁磁性耦合和反铁磁性耦合的交替变换,这种现象称为层间耦合的振荡.零场时若多层膜的相邻磁层呈反铁磁耦合,在外磁场作用下将导致多层膜电阻的大幅度下降,即产生巨磁电阻(Giantmagnetoresistance)效应.巨磁电阻效应最初在Fe/Cr多层膜系统中发现,随之在Fe/Cu, 相似文献
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<正>目前有关磁性多层膜的巨磁电阻效应许多理论在处理时虽然并不尽相同,但就其物理本质和机制来说都源于自旋相关散射,这一点是大家普遍公认的.巨磁电阻的产生来自于自旋散射的不对称,也即散射势与自旋有关,然而更为重要的是依赖于自旋的散射势究竟是怎样产生的,这个问题至今尚无定论,是当前人们所关注的焦点. 相似文献
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Cu掺杂石榴石薄膜中矫顽力提高的机理分析 总被引:1,自引:0,他引:1
Bi置换石榴石磁光薄膜具有好的结构稳定性和化学稳定性及在短波长具有大的法拉第旋转角,因而成为下一代有希望的磁光记录材料之一.制备石榴石薄膜可采用溅射法,也可采用热分解法.热分解法设备简单,对薄膜的成分易于控制和调节.要获得好的记录畴,要求薄膜在室温下有高的矫顽力.现已报道,添加元素W,Mo,Ba和Cu对提高H_c有效.到目前为止,H_c最高为432kA/m,其矫顽力的提高归因于钉扎效应. 相似文献