SIMOX材料结构,电特性及杂质分析

用扩展电阻（ＳＲＰ）,二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等方法,测量了ＳＩＭＯＸ样品的各层结构、电特性和杂质分布。讨论了不同方法的测量,说明了ＳＩＭＯＸ材料顶部硅层的扩展缺陷和杂质的施主作用。用制作适合器件需要的ＳＯＩ材料,必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤。     

焦磷酸锶镁：锡荧光体的发光特性

用高温固相反应法合成了（Ｓｒ１－ ｘ Ｍｇｘ ）２ Ｐ２Ｏ７ ∶Ｓｎ（３．３×１０－ ２ ）和（Ｓｒ０．９Ｍｇ０．１ ）２ Ｐ２Ｏ７ ∶ｘＳｎ两个体系系列样品,在紫外线激发下,详细地测量了它们的发射光谱,讨论了Ｍｇ 含量对（Ｓｒ１－ ｘ Ｍｇｘ ）２Ｐ２Ｏ７ ∶Ｓｎ 和Ｓｎ 含量对（Ｓｒ０．９ Ｍｇ０．１ ）２Ｐ２ Ｏ７ ∶ｘＳｎ 体系发光性能的影响,认为（Ｓｒ０．９Ｍｇ０．１ ）２Ｐ２Ｏ７ 是Ｓｎ２＋ 较好的一种基质材料．     

MOPECVD法制备超微颗粒SnO2薄膜

以ＳｎＣｌ４液体为锡源用ＭＯＰＥＣＶＤＥ方法制备出了ＳｎＯ２薄膜,用Ｘ射线衍射仪和透射电镜（ＴＥＭ）分析了薄膜的晶体结构和ＳｎＯ２晶体的颗粒度,优化出制备超微颗粒ＳｎＯ２薄膜的最佳工艺,并给出此膜蒸发上电极,制成ＳｎＯ２气敏器件,测量其对乙醇的气敏特性,实验证明减小ＳｎＯ２晶体的粒度可以改进元件的气敏特性。     

MFS和MFOS结构的C—V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构。利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管。     

MFS和MFOS结构的C－V特性研究

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法分别在Ｓｉ和含有ＳｉＯ２的衬底上制备出ＰＺＴ铁电薄膜，并获得了ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构．利用ＭＯＳ结构常用的Ｃ－Ｖ特性分析方法，对ＭＦＳ和ＭＦＯＳ结构进行了高频Ｃ－Ｖ特性测试分析，研究了Ｆ／（Ｏ）Ｓ的界面特性，结果表明，金属／ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的ＭＦＯＳ结构具有较低的界面态，可实现极化存储，并可望制成铁电场效应晶体管．     

MgSO_4:Dy,Mn磷光体的热释光和ESR特性研究

通过双掺杂制备杂质浓度不同的ＭｇＳＯ_４：Ｄｙ,Ｍｎ磷光体,经~６０Ｃｏγ辐照后,研究其热释光（ＴＬ）发光曲线、热释光动力学特徵参量,热释光剂量响应和电子自旋共振（ＥＳＲ）谱。从ＴＬ发光曲线观察ＭｇＳＯ_４：Ｄｙ,Ｍｎ只有一个在３８０℃附近的主剂量峰,辐射剂量响应（０．１Ｇｙ～２０ｋＧｙ）为超线性。并观测到热释光剂量响应的非线性与磷光体中掺入的Ｍｎ浓度相关．在室温下测量了掺入不同Ｍｎ浓度的ＭｇＳＯ_４：Ｄｙ,Ｍｎ样品的ＥＳＲ谱,观测和确认了各向异性ＳＯ_３~－基,该硫酸氧基与Ｍｇ空位和掺入的杂质有关．还对掺入Ｄｙ杂质的ＭｇＳＯ_４系列磷光体的热释光发光机制进行了初步探讨。     

MgSO4:Dy,Mn磷光体的热释光和ESR特性研究

通过双掺杂制备杂质浓度不同的ＭｇＳＯ４：Ｄｙ,Ｍｎ磷光体,经＾６０Ｃｏγ辐照后,研究其热释光（ＴＬ）发光曲线、热释光动力学特微参量,热释光剂量响应和电子自旋共振（ＥＳＲ）谱,从ＴＬ发光曲线观察到ＭｇＳＯ４：Ｄｙ,Ｍｎ只有一个在３８℃附近的主剂量峰,辐射剂量响应（０．１Ｇｙ－２０ｋＤｙ）为超线性,并观测到热释光剂量响应的非线性特性与磷光体中掺入的Ｍｎ浓度相关,在室温下测量了掺入不同Ｍｎ浓度的ＭｇＳＯ     

MX-MnSO4中间化合物的研究

本文在计算机模式识别和神经网络对卤化物和硫酸盐的中间化合物生成与否进行模拟和预报的基础上,对ＣｓＣｌ－ＭｎＳＯ４、ＲｂＣｌ－ＭｎＳＯ４ 和ＫＢｒ－ＭｎＳＯ４ 是否能形成中间化合物进行了实验验证,证实了ＣｓＣｌ－ＭｎＳＯ４ 及ＲｂＣｌ－ＭｎＳＯ４ 能形成中间化合物,而ＫＢｒ－ＭｎＳＯ４ 则不能形成中间化合物．同时对ＭＣｌ·ＭｎＳＯ４ 中间化合物进行了讨论     

VDMOS-NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散窗口过程形成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶硅互连线．对ＭＯＳ电路中的小跨导器件图形的设计及ＶＤＭＯＳ与Ｅ／ＥＭＯＳ的界面设计进行了分析和讨论     

用滴定量热法测定钨磷酸与二甲亚砜或N,N—二甲基甲酰胺…

调试了美国Ｔｒｏｎａｃ公司生产的Ｍｏｄｅｌ １２５０滴定热量计。用环境恒温法和等温补偿法在２５℃测量了盐酸与三羟甲基氨基甲烷（Ｔｒｉｓ）溶液反应及盐酸与晶体Ｔｒｉｓ反应的反应热。用环境恒温法测量和计算了盐酸与邻溴苯氨反应的反应热和化学平衡常数。还测量了水溶液中钨磷酸与二甲亚砜（ＤＭＳＯ）（或Ｎ，Ｎ－二甲基甲酰胺，ＤＭＦ）的加合反应热，结果表明，ＤＭＳＯ加合物的配位键略弱于ＤＭＦ加合物，这与红外光谱     

注塑模CAD/CAE系统面向对象的设计

建立了基于ＯｐｅｎＧＬ的用户界面管理系统ＵＩＭＳ,ＵＩＭＳ提供了直接操作图形对象的语义反馈机制．阐述了ＵＩＭＳ中由对象操作集建立和编辑图形对象集的运作过程,以及图形对象集的组织形式——数据有向无环图的特点．以ＵＩＭＳ为基础,采用继承的构造方式建立了高级图形对象集和专业图形对象集及其相应的操作集,提供了高级用户交互的界面及高级Ｉ／Ｏ 接口．设计和实现了面向对象的有限元方法（ＯＯＦＥＭ）,介绍了在ＦＥＭ 领域中实施面向对象思想的策略．ＯＯＦＥＭ 计算结果的可视化由系统的ＵＩＭＳ和高级图形对象主题实现．集成了ＵＩＭＳ和ＯＯＦＥＭ 等五个主题,开发出应用于注塑模ＣＡＤ／ＣＡＥ的商品化软件包ＨＳＣ．     

离子注入MOS结构少子产生寿命的确定

本文分析了非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应，采用较精确的产生区模型，提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测量非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构电容少子产生寿命的方法，本方法无需计算图形积分和衬底的杂质分布，因而简单实用。     

求解大型稀疏最小二乘问题的MSOR方法及其收敛性

文章讨论了求解大型稀疏最小二乘问题的ＭＳＯＲ方法，考虑了２－ＢＭＳＯＲ和３－ＢＭＳＯＲ方法的收敛区域，并且基于‖Ａ２Ａ－１１‖２给出了最佳２－ＢＭＳＯＲ松弛参数和相应的收敛谱半径     

3－甲基－4－甲氧基－4’－硝基二苯乙烯的三阶非线性光学性质

在四氢呋喃溶液中测量了３－甲基－４－甲氧基－４’－硝基二苯乙烯（ＭＭＯＮＳ）的三阶非线性光学效应．发现其在１．０６μｍ处具有较大的非共振二阶非线性光学超极化率，并据此计算了其晶体的三阶非线性光学系数，χ（３）＝２．５２ｎｍ２／Ｖ２，与著名的ＰＩＳ同数量级．非线性光学响应时间小于５０ｐｓ，表明ＭＭＯＮＳ的非线性光学效应是由于分子中π－电子的极化引起的．此结果表明ＭＭＯＮＳ可能成为有价值的非线性光学材料．     

OOT在EMS/DMS软件开发中的应用及有关问题

简要回顾了ＯＯＴ及其用于电力系统的发展概况,对ＯＯＴ在ＥＭＳ／ＤＭＳ软件开发中取得的各方面应用作了较为详细的分类介绍。最后,对ＯＯＴ用于ＥＭＳ／ＤＭＳ软件开发的几个重要问题作了讨论。     

VDMOS—NMOS兼容功率集成电路结构

提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法。该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＾＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有源区，利用ＶＤＭＯＳ工艺中刻双扩散口有成ＮＭＯＳ器件的栅区及多晶性互连线。     

CaO-SiO_2-MgO-H_2O体系的热力学研究

本文研究了ＣａＯ－ＳｉＯ２－ＭｇＯ－Ｈ２Ｏ体系的热力学,结果表明：ＳｉＯ２ 优先与ＣａＯ水热形成水化硅酸钙,多余的ＳｉＯ２ 才会与ＭｇＯ直接水热形成水化硅酸镁。当没有ＳｉＯ２ 时,ＭｇＯ才会水化形成Ｍｇ（ＯＨ）２。     

对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析．结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成．     

对接沟道NMOS结构杂质分布的二维数值模拟

针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＾＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给出了不同工艺条件下的模拟结果，并且进行了分析。结果表明，对接沟道ＮＭＯＳ结构能较好地实现ＶＤＭＯＳ与ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。     

特征主元提取与自组织影射的剖析

剖析了用神经网络实现特征主元提取（ＰＣＥ）、自组织特征影射（ＳＯＦＭ）、类扩展自组织语义影射（ＳＯＳＭ）和改进的特征细化自组织影射．通过对运载工具的特征压缩，进行可视性分析，结果表明ＰＣＥ和ＳＯＦＭ都能显示事物间的类似程度和关系结构，具有语义影射的功能．特征细化的ＳＯＦＭ同样能达到类扩展ＳＯＳＭ细化分类的功能，它克服了类扩展的ＳＯＳＭ增加输入特征的维数、增加不必要的计算量、输入特征与影射结果不相一致的缺点．