固相反应形成硅化钛薄膜性质的研究

在超大规模集成技术中,有关自对准硅化钛MOS器件工艺的研究正在日益深入.这一工艺通过对淀积的难熔金属膜进行适当的热处理,形成自对准的MOS器件的栅互连电极与源漏区接触.在Ti/Si系统热处理过程中,氧玷污是一个影响硅化钛形成及其性质的重要因素.本工作提出了用表面覆盖层抑制氧玷污而使形成优良硅化钛薄膜的方法,同时也试验了用快速退火技术形成硅化钛薄膜的工艺. 实验中采用的衬底材料为:P-(111)、P-(100)单晶硅和氧化层上淀积的n~+掺杂多     

应用射频磁控溅射方法制备声表面波器件用ZnO薄膜

采有RF平面磁控溅射技术在单昌Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜。对退火前后ZnO薄膜的结构特性、化学组份以及缺陷特性进行了详细的研究。结果表明：在纯氧中高温退火（600℃）是改善ZnO压电薄膜的结构特性、化学组份并减少缺陷的良好方法。     

稀土Yb~＋注入硅单晶所产生非晶层的快速热退火固相外延结晶研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了３５０ｋｅｖＹｂ＋注入Ｓｉ（１００）所产生的表面非晶层在不同快速热退火温度下的固相外延结晶过程．实验结果表明，在８００℃－１０００℃的快速热退火温度下，在Ｙｂ＋射程范围以外的非晶层很容易固相外延结晶；但在同样退火温度下，在Ｙｂ＋射程分布范围内非晶层的团相外延结晶则非常缓慢．只有在退火温度高于１２００℃时，整个表面非晶层才完全消失．射程末端附近的复杂缺陷和缺陷杂质复合体是导致这两个不同结晶区域的主要原因．     

Ti／莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究

在２００℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发２００ｎｍ的Ｔｉ膜,并在高真空中退火。首次利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）,研究了从２００￣８５０℃Ｔｉ与莫来石的固相界面反应,并用热力学解释了实验结果。结果表明,在淀积过程中,最初淀积的Ｔｉ与衬底表现的氧形成Ｔｉ－Ｏ键,界面区很窄,４５０℃退火１ｈ后,有少量元素态Ａｌ、Ｓｉ原子析出,界面区有所展宽,但变化不大;６５０℃退火１ｈ后,界     

AM混合相Si：P：H薄膜的制备与分析

本文介绍了SiH4/PH3混合气体的高频辉光放电法，在硅、玻璃衬底上淀积的掺P氢化非晶硅膜的结构和特性，并对样品作了高温退火试验，应用x射线衍射和红外吸收，对淀积膜的结构性质作了探讨和分析。结果表明，所淀积的是一种微晶－非晶混合相掺P氢化非晶硅膜（AM－Si:P:H)。这种膜具有良好的光电性能，较高的掺杂效率。经退火后，光电性能有所改善，是P－i-n太阳能电池所希望n^ 材料。     

退火对非晶ErAlO高k栅介质薄膜特性的影响

利用射频磁控溅射法在P型Si(100)衬底上成功制备了非晶Er2O3-Al2O3(ErAlO)栅介质薄膜,得到了电学特性优异的薄膜样品,对薄膜的退火研究发现,600℃氧气氛退火可使ErAlO薄膜的介电常数得到了提高并使其漏电流特性也得到改善,退火后样品的有效介电常数达到了15,在-1.5V偏压下,漏电流密度仅为2.0×10-7A/cm2.氧气退火消除了薄膜中原有的缺陷,并使得薄膜更加致密,表面更加平整.     

C-Si/GD μC-Si:H异质结的一些性质

在单晶硅衬底上淀积掺硼(或磷)的μC—Si:H 薄膜可制成 C—Si/GDμC—Si:H 异质结。掺杂μC—Si:H 薄膜是由辉光放电制备,它的电导率约 1000S/m 光学带隙是1.6eV,淀积温度是280℃。该结具有好的 I—V 特性曲线,可以用整流扩散理论解释它。反向击穿电压取决于晶态衬底的电阻率。退火实验指出,在650℃以下,该结的 I—V 特性是稳定的。讨论了异质结的有关性质。     

CoSi_2/Si异质结的形成及其电子结构的研究

利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10~(-3)Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃下进行真空(6.67×10~(-3)Pa)退火,能形成有害杂质(O、C等)含量少且界面区域过渡陡峭的CoSi_2/Si异质结。本文利用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)对样品的组分、化学相和电子结构进行了分析。     

相变型光存储薄膜的脉冲激光制备

系统地探索脉冲激光闪蒸法制备相变型光存储薄膜的工艺,发现激光脉冲能量的大小和淀积衬底的温度都是影响薄膜质量的重要因素.当激光能量高时,膜粗糙、成份与靶材保持一致;而当激光能量较低时,膜均匀、光滑,而成份与靶材有偏离.当衬底温度在约25℃时,形成非晶膜;而当衬底温度较高时,可形成多晶膜;衬底温度过高,则不能形成连续膜.     

反应蒸发制备的TiN薄膜特性研究

本文利用反应蒸发方法在NH_3气氛中淀积了TiN薄膜。俄歇电子谱(AES)、X射线衍射技术和电特性测量等方法分别用来分析了在不同NH_3气压和不同衬底温度条件下所淀积的TiN薄膜的组分、晶体结构和电特性。Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟退火,卢瑟福背散射研究结果表明,TiN是一种有效的扩散势垒材料。     

磷离子注入硅的 CWCO_2激光退火的研究

本文应用剥层椭偏光法对硅中大剂量P~ 注入形成的非晶层在CWOO_2激光退火时的固相外延模型进行静态实验证明.获得CWCO_2激光退火的固相外延生长平均速率达到4.2×10~3(?)/sec.本文并应用隐式差分方法计算了退火样品的体内温度的径向分布T(r,t)及离子注入非晶层外延再结晶厚度的径向分布ξ(r,t)的离散值,得到选择退火条件的一些依据.     

早期妊娠大鼠子宫中胶原酶活性的变化

本实验运用酶谱(Zymography)法,研究了大鼠妊娠早期子宫中胶原酶活性的变化规律。结果显示,妊娠第一天激活和酶原两种形式的胶原酶活性都很高,特别是酶原形式胶原酶,第二天迅速下降到很低的水平,一直到第五天时,又出现了酶活性高峰,而第四天和第六天胶原酶活性都显著低于第五天。大鼠子宫着床点酶原形式的胶原酶显著高于非着床点,但是,激活形式的酶活没有显著性差异。大鼠在动情后期注射E_2(0.1/只),24小时后的胶原酶活性与间情期相比,激活形式胶原酶显著升高,而酶原形式胶原酶活性没有显著性差异;在动情前期注射P_4(0.4mg/只),15小时后的胶原酶活性与动情期比较,两种形式胶原酶活性都没有显著性变化。结果提示:胚泡植入前后胶原酶活性有显著性变化,这种变化受到甾体激素的调控。     

离子注入聚合物介质损耗机理的研究

本文进一步讨论离子注入聚合物具有巨大的介质松弛损耗的形成机理和理论公式.作者首先评论了离子注入聚合物可能形成的损耗机理,在否定现有损耗模型的基础上,根椐霍尔效应对导电载流子的鉴别、介质损耗松弛时间温度关系与电导温度关系的一致性,以及隧道效应作用下,电子运劝具有一定速度的概念.推断介质损耗的形成在于隧道效应作用下,导电粒子之间电子的迁移.按照电子迁移形成极化性概念,考虑到电场作用下电子隧道穿透率的差异,建立极化强度的静态和动态方程,导出离子注入聚合物介质松弛损耗的公式。理论分析得到了实验结果的验证.     

离子注入吸杂技术中杂质的转移

研究了高剂量(7.5×10~(15))氩离子注入硅片背面的吸杂效应;吸杂效果由npn晶体管的漏电流,Iceo的降低得到证实;分别用SIMS及DLTS法测量吸杂前后杂质分布的变化。结果表明,Fe、Cr及Au等重金属杂质经吸杂处理后有效地从硅片正面的有源区转移到背面的损伤区,揭示了吸杂的实际过程。     

注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响

选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。     

氧注入制成SOI材料的研究

采用加热靶和少量氮离子注入制成了 SOI 材料,在1180℃、氮气保护下进行了2小时的退火。离子沟道背散射测量和电子通道花样观测结果表明:加热靶和少量氮离子注入能有效地改善顶部硅层的单晶质量.     

Si^＋和Ti^＋注入H13钢注入层微观结构的研究

利用透射电子显微镜，分析了Ｓｉ＾＋（１００ｋｅＶ，５×１０＾１７ｃｍ＾－２）和Ｔｉ（１００ｋｅＶ，３×１０＾１７ｃｍ＾－２）注入Ｈ１３钢注入微观结构的变化，结果表明，离子注入后板条状马氏体完全消失，Ｓｉ＾＋注入导致注入层晶粒细化，而Ｔｉ注入导致注入层非晶化。     

强流离子束辐照加热过程的数值计算

考虑瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了强流恒定离子束辐照过程的温度效应.由温升曲线的计算可知,对中等以上的注量率(>10~(13)cm~(-2)s~(-1))来说,快速注入过程都将是非稳态的,由此可知对强流离子束辐照过程进行瞬态热传导分析是必要的.若注量固定,晶片表面温度与离子能量的关系在低能部分(<100keV)很平缓,在高能部分很陡峭,在大注量注入情况下,降低靶座温度以抑制晶片表面温升是可行的方法之一.     

LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告

报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合,成功地分离出注入的氧峰.数据处理结果表明,氧注量的均匀性以标准偏差表示为7.8%,基本上达到了设计要求.计算了注氧层和表面硅层的厚度,并且还对注量进行了校正.     

双注入匹配的计算机模拟和Ti^＋＋N^＋双注入的实验结果

为在金属中形成所需要的合金或金属间化合物而采用双重离子注入技术.2种注入离子注入能量和注量需要合理匹配.还考虑了溅射效应和扩散效应存在时的各种修正.在计算机模拟的基础上,对 Ti~++N~+双注入 H13钢中 Fe_2Ti,TiN 和 Fe_2N 等化合物进行了测量.这些合金相和金属间化合物的形成提高了钢表面抗磨损特性.还讨论了双注入金属表面的硬化机理.