半导体温度计的制作与特性研究

对半导体热敏电阻的温度特性进行了研究,确定了半导体电阻的两个性能参数a,b的值,计算出了半导体材料的激活能,得出了各种不同温度下的半导体电阻的温度系数,确定了半导体电阻的经验公式,给出了一元线性回归方程,介绍了制作半导体电阻温度计的方法。     

流水线ADC中MDAC开关电阻的优化

针对流水线模数转换器中余量增益数模转换器的快速建立,提出了在放大阶段带开关电阻的余量增益数模转换器的电路级模型和系统级模型,通过数学分析和图形分析给出了开关电阻对于余量增益数模转换器建立的影响,并提出了开关电阻的优化方案.分析和仿真结果表明,在开关电阻有变动的情况下,优化方案能够保证快速建立的有效性.     

巨磁电阻的若干问题

本文综述了各向异性磁电阻(AMR)．巨磁电阻(GMR)，特大磁电阻效应(CMR)以及隧道磁电阻效应(TMR)的实验结果及理论模型     

BCD码D/A电阻网络及其应用研究

BCD码D／A转换器在电子电路领域中应用十分广泛，因此，研制一款电路结构简单、精度高且成本低的BCD码D／A转换器便具有了实用价值．分析了常见BCD码并行D／A转换器电阻网络的优缺点，提出了一种新颖的Ⅱ型D／A电阻网络，该电路克服了一般权电阻网络的缺点，并给出了一个BCD码D／A转换器的具体应用实例。     

半导体放电管多元胞结构模型研究

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图．对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证，结果表明合理设计多元胞版图尺寸和ｐ 基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性，从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据．     

高低温电阻、磁电阻测量系统的研制

根据研究La1/3(CaxBa1-x)2/3MnO3多晶材料温度及磁场特性的要求，设计一套高低温电阻、磁电阻测量系统。测量结果分析表明该系统是可行的，且满足实验的要求，系统的建立将为研究其它磁性材料的温度、磁场特性提供良好的实验条件。     

半导体陶瓷湿度变送器线性电路的设计

分析半导体陶瓷湿敏电阻的阻值特性,采用湿敏电阻并联等效电路进行湿度线性化设计,利用函数极值分析法找出等效湿度信号曲线的最佳线性湿区及其实现条件,给出具体的设计实例.最后提出扩展线性范围的一种方法.     

铁磁/半导体/铁磁隧道结中的隧穿磁电阻

采用相干量子输运理论和传递矩阵方法研究了具有不同自旋指向的极化电子渡越铁磁/半导体/铁磁隧道结的隧穿几率和隧穿磁电阻。研究表明隧穿几率和隧穿磁电阻随半导体长度的改变发生周期性变化、随Rashba自旋轨道耦合强度的改变发生准周期变化,并且在两铁磁电极中磁矩取向平行时,选择适当的半导体的长度和Rashba自旋轨道耦合强度可以得到较大的隧穿磁电阻。     

铁磁金属纳米点接触的磁电阻

分析和比较了运用不同制作方法制作的铁磁金属纳米点接触样品的弹道磁电阻现象,探讨了由于磁致伸缩或微磁力等机械因素引起的力致电阻效应对纳米点接触样品电阻的变化所产生的影响,在实验中得出了样品在磁场作用下所观察到的大比例的弹道磁电阻效应可能与力致电阻效应相关.     

磁致电阻效应的最新研究进展及其在信息存储领域的应用

介绍了磁致电阻效应在信息存储领域的研究现状和发展趋势,总结了巨磁电阻效应、隧道巨磁电阻效应以及自旋传输矩效应的理论模型,分析了这些磁致电阻效应的物理机制。     

音响中几种固定电阻的选用

介绍了音响器材中的几种固定电阻的性能，制作方法，阻值范围的标示，提出了音响中选用电阻的原则；要根据器材的特性来确定，给出了几种电阻选用的方法。     

烧结型SnO_2传感器的气敏机理

本文讨论了气体与半导体表面的相互作用，指出了ＳｎＯ２传感器电阻对还原性气体的响应主要由于半导体表面的氧离子吸附、化学反应及势垒效应等三种过程引起的，导出了传感器电阻响应的一般关系式，与实验结果相符。     

半导体陶瓷湿敏机理的探讨

对多孔半导体陶瓷的湿敏机理做了定量分析．我们把整个湿度范围分成高湿区和低湿区，针对不同的湿度区，建立了两种不同的电导模型．通过理论推导，得出了电阻与相对湿度关系的解析表达式．     

激光三角法轮廓测量

研制了一种激光单光点式三角法测头，以半导体激光器作光源，位置敏感器件为光电转换器件，测头的测量分辨率２μｍ，测量范围１０ｍｍ。适于对工件，模型表面轮廓或位移量进行快速在线测量，对测头结构进行了优化分析，对牙模型的三维形貌进行了实例。     

纳米级磁性多层膜的巨磁特性

磁性多层膜是人工设计制作的新材料,表现出许多新的性能,巨磁电阻电阻疚２是最具有吸引力的,简要地介绍了磁性多层膜中的巨磁电阻效应,并指出可能的应用领域。     

稀磁半导体超晶格中的隧道磁电阻

关于GaMnAs/AlAs/GaMnAs磁单结的隧道磁电阻有着广泛的研究,利用转移矩阵的方法研究了稀磁半导体超晶格中隧道磁电阻。数值模拟表明:系统会发生共振隧穿,并且共振峰会劈裂。系统的隧道磁电阻随着势垒宽度的增减逐渐减小。     

Co/Cu/Co结构中纳米氮化物界面掺杂研究

研究了纳米氮化物(NNL)界面掺杂对Co/Cu/Co磁电阻的影响.当NNL在下界面(Co/Cu)掺杂时,得到了反常磁电阻为-0.043%;当NNL在上界面(Cu/Co)掺杂时,磁电阻近似为0;当NNL同时在上、下界面掺杂时,得到的反常磁电阻为-0.005%.运用Camley-Barnas的玻尔兹曼半经典理论模型,通过调整界面参数计算其磁电阻,发现改变界面自旋相关散射系数能对实验结果给出合理解释,证明了NNL掺杂确实能改变界面自旋相关散射系数.     

基于AT89C51单片机微电阻测量系统

以AT89C51微处理器为核心组成智能型微电阻测量系统。该设计依据四引线测量法,采用具有很好稳流特性及低漂移、低噪声的直流放大器和AD转换器MAX197构成测量电路。     

硒薄膜太阳电池串联电阻

导出半导体太阳电池串联电阻计算公式,凭据串联电阻值判别电池背接触电阻的大小。指出:在铋、金、镍三种材料中,铋与硒的接触电阻较小。文章还对串联电阻的计算和在实验中调整电池硒层厚度的问题作了讨论。     

铁磁性Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的正磁电阻效应

对天然多层膜材料Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物(441 K以下为铁磁性)磁电阻和热容进行了测量,结果表明,使用50 kOe的外磁场,Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的磁电阻值在45 K以下为正,随着温度的降低,磁电阻逐渐增大,最大磁电阻达5.89%.本文对于铁磁体中出现正磁电阻给出了解释.