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1.
掺杂Sb的SnO2基陶瓷导电薄膜的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
对 Sn O2 陶瓷导电薄膜的特性、导电机理、制备、应用进行了叙述 ,并且利用喷涂热解工艺制备了 Sn O2 陶瓷导电薄膜 ,探讨了掺杂剂Sb的掺杂量、喷涂溶液的浓度对 Sn O2 导电薄膜电阻值的影响 相似文献
2.
透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。本文介绍了掺锑氧化锡(ATO)薄膜的导电机理和光电性能。掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈+4价,掺杂的Sb分别以+5和+3价形式存在。对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。 相似文献
3.
郝晶 《大众科学.科学研究与实践》2007,(4)
透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。对SnO2薄膜电学性能的研究表明.适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。 相似文献
4.
透明导电氧化物薄膜具有良好的光电性能.作为前电极,此类半导体材料薄膜广泛应用于半导体器件.本文以典型的掺杂TCO薄膜为切入点,综述了透明导电氧化物薄膜的发展历史及应用,重点阐述了几种典型掺杂TCO薄膜的结构特征、光电特性、制备方法及应用展望. 相似文献
5.
本文中报道优质SnO_2:F透明导电薄膜的制备方法,通过对薄膜透射率和电导(方块电阻)的测量分析,研究薄膜特性与工艺条件的关系,探讨最佳工艺条件和薄膜形成规律。提出一种SnO_2:F 晶体缺陷结构模型,可以较好解释电导随 F掺杂浓度的变化结果。 相似文献
6.
射频溅射法研制SnO2纳米薄膜 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频溅射工艺制得细小均匀的β-Sn纳米锡膜,然后通过氧化处理工艺获得组织非常细小均匀的纳米级二氧化锡薄膜。X-衍射实验结果表明Sn和SnO2晶粒尺寸分别约为6nm和5nm,采用该工艺获得的SnO2纳米薄膜结构比较稳定,为薄膜型SnO2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。 相似文献
7.
SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜的制备及其性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2∶(Sb,In)薄膜,优化了制备工艺参数,应用差示扫描量热仪-热重分析仪(DSC-TGA)、X射线衍射仪(XRD)等手段对薄膜进行了表征.结果表明,氯化亚锡、乙醇和水摩尔比为1∶20∶4时成胶状态最佳,当锑和铟的掺杂量分别为7 %和4 %时,在500 ℃氮、氢混合气氛下煅烧2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为40.5 Ω,紫外-可见光透射率达88 %. 相似文献
8.
ZnO基透明导电薄膜与掺锡氧化铟薄膜(ITO)相比,不仅性能与其相似,还具有ITO很多无法比拟的优点.因此,制备ZnO基透明导电薄膜成为当今研究热点.综述了ZnO基透明导电薄膜制备方法的研究进展,并对各自的优缺点进行了讨论. 相似文献
9.
本文概述了ZnO基透明导电薄膜在硅基薄膜太阳电池中的应用前景及其最新研究进展。介绍了利用透明导电薄膜绒面结构提高薄膜太阳电池效率的方法,并对绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法和研究进展做了详细的阐述.重点讨论了近期关于制备工艺和薄膜绒面结构、电学及光学特性关系的研究结果。 相似文献
10.
主要介绍了制备透明导电氧化物薄膜的方法,其中包括磁控溅射法、脉冲激光沉积法(PLD)、喷涂热解法、分子束外延法(MBE)、溶胶-凝胶技术(sol-gel)法,总结了各种方法的优缺点,并对透明导电氧化物薄膜的研究进行了展望。 相似文献
11.
溶胶-凝胶法制备纳米SnO2 总被引:2,自引:2,他引:2
运用溶胶-凝胶法合成前驱物Sn(OH)4胶体,在不同温度下加热分解得到一系列纳米SnO2试样,并用X-射线衍射(XRD)图谱和透射电子显微镜(TEM)表征不同温度下热处理得到试样的结构和形貌,研究了分解温度与产物粒径大小之间的关系以及微晶生长动力学。 相似文献
12.
采用化学沉积和电镀的方法在ITO导电玻璃表面制备SnO2/TiO2纳米半导体薄膜电极,用SEM,XRD进行了物性表征,并用光电流时间曲线、循环伏安法研究了薄膜电极光电流响应随时间、电压的变化情况。研究结果表明,SnO2的掺杂有助于TiO2薄膜表面产生的气孔孔径增大,数量变多。此法可制备具有多孔、粒径小于100nm的纳米SnO2/TiO2半导体薄膜电极。与纯纳米TiO2薄膜电极相比,在光照条件下SnO2的掺杂使得复合薄膜电极在阳极峰电位下的阳极峰电流的响应程度明显大于纯纳米TiO2薄膜电极响应程度,有利于提高光生载流子的运输和分离效率,并从机理上阐述了光电流响应的提高归因于不同能级半导体之间的耦合效应。 相似文献
13.
采用静电纺丝的方法,通过调节前驱体液中SnCl2·2H2O的质量分数,制备了直径为90~180nm的SnO2纳米线,经TiCl4溶液水解处理制备得到了SnO2/TiO2薄膜电极。使用SEM和EDS对薄膜电极进行表征,通过线性扫描伏安法和光电催化测试,分析研究了SnO2/TiO2 纳米复合薄膜电极的光电化学性质。结果表明,当SnCl2·2H2O质量分数为3%时,SnO2/TiO2 复合薄膜电极的光电流密度达到最大;随后将其与TiO2、SnO2薄膜电极相比,SnO2/TiO2 复合薄膜电极产生的光电流明显增大;复合薄膜电极对罗丹明B(RhB)的光电催化降解率在90min后可达到95%,而TiO2仅为56%、SnO2为58%。 相似文献
14.
射频反应溅射纳米SnO2薄膜气敏特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用射频反应溅射在瓷管上制备了SnO2气敏薄膜元件,以及用传统方法制备了SnO2厚膜元件.两种元件经测试表现出对乙醇较高的灵敏度,对两种元件进行了性能对比测试.测试表明,无论在灵敏度、响应恢复时间,还是在检测浓度范围上,SnO2气敏薄膜元件都比传统的厚膜元件性能优越.SnO2气敏薄膜元件经过表面修饰,在200×10-6体积浓度下接近30.对薄膜元件加热温度及选择性进行了研究,初步探讨了元件稳定性及其敏感机理. 相似文献
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16.
采用离子交换除氯水解法和有机溶剂共沸干燥方法制备得到导电性好的掺锑二氧化锡纳米粉末,用XRD对掺锑二氧化锡纳米粉末的结构进行表征;采用粉末微电极技术,对掺锑二氧化锡纳米粉末的电化学性质进行了研究. 相似文献
17.
MO-PECVD SnO2气敏薄膜的制备及表征 总被引:2,自引:0,他引:2
目的 探索制备SnO2薄膜的最佳工艺,研究氧分压与其薄膜元件气敏性能间的关系。方法 以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)。利用X射线衍射仪和扫描电镜(SEM)对薄膜的晶体结构、SnO2晶体的颗粒度进行了表征,对不同样品的气敏性能做了测试分析。结果 优化出制备SnO2薄膜的最佳工艺。结论 氧分压是影响SnO2颗粒尺寸大小及薄膜元件气敏性能的重要因素。 相似文献
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用硅胶、二氯化锡为原料,经浸渍、焙烧后在硅胶里形成二氧化锡纳米粒子,在室温下,用40%HF酸将硅胶溶解,可获得尺寸为10nm的二氧化锡纳米粒子。 相似文献
19.
我们用PECVD方法制备出SnO_2薄膜,透射电镜TEM分析表明沉积温度由高到低时,SnO_2膜从多晶态转变为非晶态,并且其电阻率随之增加;沉积时氧气流量增加时,SnO_2的电阻率增加。 相似文献