利用场效应管线性电阻区设计S—频段混频器

根据场效应管的输出特性，给出了１种利用它的线性电阻区牧场生设计的Ｓ－频段场效应的管混频器，与大多数采用器件非线性参数的混频器比较，采用器件的线性电阻区作为混频元件，通过适当的滤波和阻抗匹配电路，中频信号由漏极取出，可获得增益、低噪声和大动态范围的优良性能，这种混频器在电视工业中具有广泛的应用前景。     

新型高线性度双平衡CMOS混频器芯片的设计

设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片,该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项,具有高线性度.该混频器基于新型乘法器结构,在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源、漏两极加入差分射频信号,在其栅极加入差分本振信号,从而以低复杂度方式实现射频信号与本振信号的双平衡混频或相乘;采用差分推挽放大器及源随器作为芯片的输出缓冲接口,改善了芯片与片外电路之间的隔离度,提高了功率增益和输出匹配性能.芯片采用0.18 μm射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流片,实现超宽频带范围内的信号混频或相乘,1 dB压缩点2.9 dBm,三阶交调16 dBm,总功耗25 mW,芯片性能良好,可以满足高性能、超宽带、高速无线通信系统的要求.     

基于放大器的新型混频器设计

设计了一种低电压、低功耗的新型混频器,主要应用于2.4 GHz ISM频段的无线通信系统中.先设计了一个2级放大器,再在2级放大器的中间插入1对吉尔伯特开关,就构成了一个基于放大器的混频器.混频器的供电电压为0.8 V,功耗为1.05 mW,三阶交调点为3.82 dBm,芯片面积为0.429 mm².在7 dBm的本振信号下,混频器具有13 dB的转换增益.     

基于与分离电路相比较的单片集成混频器改进

本文结合混频器的主要性能指标,从工艺集成度、无源器件模型、电路原理组成和改进方法四个方面比较分析了单片集成混频器与其他分离混频器。在此基础上提出自己对单片集成CMOS RF混频器的改进电路,可作为2.4GHz频段IEEE802.11g无线局域网前端射频集成电路。     

基于混合电路模型的亚毫米波谐波混频器的实现

针对亚毫米波频段混频二极管管对模型获取困难的问题,提出了利用全波电磁场分析算法提取管对无源结构参数,并与管对直流电流-电压特性参数结合获取混合电路等效模型的建模方法.分析了谐波混频器原理,设计并实现了一个工作于2mm波段的二次谐波混频器.测试结果显示在116～120GHz频率范围内,其变频损耗小于20dB,与仿真数据基本吻合,证明本文提出的混合电路建模方法及所提取模型的有效性.     

基于ADS仿真的高线性CMOS混频器设计

提出了一种提高混频器线性度的方法：采用交叉差分的结构取代原有的混频器结构．改进后,输出信号的三次谐波会被消除,混频器的三阶截止点也得到改善．混频器工作电压1．8V,射频信号5GHz,电路采用0．18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的先进设计系统ADS（advanced design system）对电路进行仿真设计．仿真结果表明,经过改善后,混频器IP3提高3．5dB（线性度提高）,转换增益提高4．8dB．     

基于吉尔伯特型的CMOS射频混频器的设计

采用多晶电阻作为输出负载、开关对的源极注入电流、共源节点串联电感、驱动级的源简并阻抗方法,提出了一种新型的双通道正交混频器,并采用Candence完成了电路设计.仿真结果表明：在电源电压为1.8V,本振信号输入功率为3 dBm的时,混频器在1 MHz中频处的单边带噪声系数为7.47 dB,在100 kHz中频处为9.35 dB,在10 kHz中频处为16.39 dB;变频增益降为8.46 dB.提高了线性度,且其三阶交调点为8.42 dBm.     

无片上电感的低功耗高线性度CMOS混频器

物联网设备的数量将在不久的将来得到快速增长。延长电池寿命、提高信号动态范围是物联网通信系统射频前端的主要关注点。为解决射频前端功耗和线性度的问题,提出了一种改进型的吉尔伯特混频器。相比于传统吉尔伯特混频器,该混频器在跨导级采用工作在亚阈值区的PMOS/NMOS互补结构,结合了电流复用技术和导数叠加技术,实现了功耗和线性度的折中;并采用交叉电容耦合形成负阻抗,抵消了寄生电容的影响,从而在低功耗情况下提高了线性度。基于HHNEC 0.18 μm BiCMOS 工艺后仿真结果表明,该混频器在射频频率0.4~3 GHz时转换增益为6.2~7.6 dB, 在2.4 GHz频率下输入三阶交调点(input third-order intercept point,IIP3)为14.96 dBm,在电源电压为1 V的情况下功耗为1.8 mW。该混频器核心电路尺寸为460 μm × 190 μm。与相关工作对比,该混频器具有低功耗、高线性度的特点。     

一种新的单端输入迟滞比较电路

设计了一种结构特殊的迟滞比较器.电路为单端输入,翻转电压以及迟滞电压均由电路内部产生,通过对电路内部的参数调节即可改变翻转电压和迟滞电压的具体值.电路自身具有一个结构简单的电流源产生电路,不需要从外界获取偏置电压、仅由电源供电,因此有很强的独立性.通过0.6 μm CMOS工艺来实现,HSpice仿真结果表明:在3 V的工作电压下翻转电平可设置在100～240 mV之间,迟滞电压能精确到5 mV,瞬态响应时间小于1 μs.     

单端输入差动电路的性能分析与讨论

对单端输入差动电路的性能指标作了较为深入的分析和讨论，并与差动输入时的指标进行比较。当射极不是理想电流源时，两者的电路性能指标并不完全相同。     

一种新型电磁搅拌器计算机控制系统

介绍一种电磁搅拌器分布式计算机控制系统，下位机以内含式PLC为核心控制多台电磁搅拌器；上位机可进行工况设置，存储和远程现场监控，上位机和下位机采用串行联接，为保证实时性，本系统采用双字节通信编码技术。     

一种适用于近程毫米波雷达的混频器设计

研究一种用于近程雷达的毫米波混频器设计,通过环行器来实现本振和信号的输入,环行器的功率分配可根据雷达的作用距离来进行设计。采用鳍线结构来实现混频器的匹配输入。经测试。当工作频率为30GHz时,变频损耗仅为6dB。     

光发射功率自适控制系统中CMOS低噪声跨阻放大器设计

设计了一种应用于光发射功率自适控制系统中的低噪声宽带跨阻放大器,用0．6μm CMOS工艺实现,在156MHz-3dB带宽范围内最小均方根等效输入噪声电流为130pA／√Hz,在无光状态时电路的总电流为3．3mA,功耗低于国外同类产品。     

X射线透视对MOS电容性能的影响

MOS电容在计算机电路中有着广泛的应用,受X射线辐射后的平带电压和阀电压的飘移,对计算机性能的稳定有着很大的影响.作者利用SOFRON-1505C型X光机,对3种MOS电容CD130,CE28,CG28受X射线后的平带电压和阀电压的飘移量进行测试和分析,从而分析X射线辐射对MOS电容的影响.     

新型混合澄清槽的澄清性能

混合澄清槽是稀土生产过程中应用最广泛的萃取设备,其单级的澄清室与混合室体积比多在25∶1以上,造成生产过程中占地面积大、稀土存槽量大、夹带损失高等不利影响.为解决此问题,设计了一种新型混合澄清槽,在澄清室增加搅拌圆筒,创新性采用紫外可见光分光光度法考察不同条件下的水相夹带量以衡量其澄清性能,并与实际生产线测定结果对比.结果表明:适当的搅拌转速、离底高度和环盖尺寸等条件均有利于两相分离.环盖直径30mm、离底高度13cm及搅拌转速低于300r/min时,所测水相夹带量均小于实际生产线夹带量的050%,满足实际生产要求.     

8 mm集成平衡混频器新结构实验

描述了圆型混合环结构和跑道型的混合环结构的Ka波段集成平衡混频器.通过对两者测试结果的比较,后者降低了混频损耗,改善了工作带宽.其设计方法和过程对其他频段的平衡混频器的设计有一定的参考价值.     

单片接收机射频前端电路设计与仿真

无线通信对射频接收机的低功率、低成本、小型化要求较高。本文提出了基于 IEEE 802．16协议的低电压接收前端系统和模块的设计方案,给出了三级级联的低噪声放大器和双正交下变频混频器的设计电路。仿真结果显示该放大器在增益、噪声、线性度等指标上均达到要求,双正交下变频混频器镜像抑制度达52 dB以上,对低噪声放大器和混频器级联电路的仿真结果表明,该级联电路能够达到接收机RF前端电路的设计要求。     

中量真空树脂灌注机新型混合器的研究

讨论了真空树脂灌注机新型静态混合在的结构及小孔小自由射流混合机理。通过对小孔射流的动力学分析,得出了射流速度发布图并推导出混合器压力损失的数学模型。分析了流体速度和混合器单元个数对混合效果的影响,给出了混合器混合效果的评介方法,并依据此评价方法对理论分析结果和混合效果进行了实验验证,结果表明,新型静态混合器的混合效果良好。     

一种有源双平衡微波混频电路的设计与分析

采用系统分析的方法,从微波混频器基本原理入手,分析了本振反相型平衡混频器性能参数;在此基础上,采用芯片LT5522设计了一种有源双平衡微波混频器;对该接收机实物电路进行测试分析。设计的混频器在输入端添加了镜像抑制滤波器,在前级添加了低噪声放大器,因而使整个下变频电路具有良好的噪声系数,链路噪声系数小于1.2dB,结果满足要求。     

一种新的基于输入相容的低功耗内建自测试架构

为了降低测试成本,提出了一种降低平均异动次数的低功耗内建自测试架构,以降低单位时间异动的次数.同时应用输入相容的原理来减小测试长度,结果表明所用方法是有效的.