ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

Cr3+离子在SrLaAlO4中电子顺磁共振参量的理论研究

电子顺磁共振谱(electron paramagnetic resonance,EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等.从晶体场理论出发,用高阶微扰公式和晶体结构数据和重叠模型获得晶场参量,计算出Cr3+离子在八面体晶体SrLaAIO4中的的自旋哈密顿参量g因子和零场分裂参量D,计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据较为符合,并对计算结果进行了分析.     

CaF2晶体中四角对称的Yb3+- F-中心的电子顺磁共振参量的理论研究

作者用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由光谱获得的晶场参量，计算了CaF2晶体中四角对称的Yb^3 -F^-中心的电子顺磁共振参量(g因子和超精细结构常数Ai)，计算结果与实验结果符合较好。     

Co(OH)2晶体吸收光谱的研究

采用点电荷模型, 以平均共价因子N作为拟和参量, 并用Bkq作为晶场参量, 运用配位场理论和完全对角化方法对Co(OH)2晶体的吸收光谱重新进行了理论计算. 同时对其光谱首次进行了识别, 并从理论上解释了所测Co(OH)2晶体的吸收光谱.     

Al2O3：Ni^2＋晶体的局域结构研究

应用配位场理论、微扰理论以及叠加模型，建立了零场分裂(Zero-Field Splitting)参量D与Al2O3：Ni^2 晶体局域结构之间的关系式，并通过计算零场分裂参量D值，发现掺Ni^2 离子的Al2O3晶体上、下三棱锥分别产生了沿C3轴的压缩畸变和伸长畸变，零场分裂参量计算结果与实验符合．     

KMgF3：Mn^2＋晶体自旋晶格—耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下，建立了轴对称（三角和四角）晶场中3d^5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式，进而得出相应的自旋-晶格耦合系数G11和G44，并将上述公式应用于KMgF3：Mn^2 晶体，在不引入调节参量的情况下，得到的计算值G11和G44与实验结果符合较好。     

KNbO3:Ir4+ 晶体自旋哈密顿参量和缺陷结构的研究

采用低自旋态(2T2)d5离子在三角对称中的公式, 计算了KNbO3:Ir4+ 晶体的自旋哈密顿参量g因子g//,g⊥和超精细结构常数A//,A⊥. 计算结果与实验值符合较好. 同时, 计算还获得了Ir4+离子在KNbO3晶体中的缺陷结构信息,对上述结果进行了讨论.     

KMgF_3∶Mn~(2 )晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下 ,建立了轴对称 (三角和四角 )晶场中 3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式 ,进而得出相应的自旋 晶格耦合系数G11和G4 4.并将上述公式应用于KMgF3 ∶Mn2 晶体 ,在不引入调节参量的情况下 ,得到的计算值G11和G4 4与实验结果符合较好 .     

高温超导材料的电子顺磁共振理论研究

为了合理解释含稀土离子的高温超导材料的电子顺磁共振谱,从晶体场理论出发,给出晶体材料中稀土离子的微扰公式,阐述了高温超导材料中稀土Kramers离子的自旋哈密顿参量理论,并计算给出了稀土离子Re3+ 的电子顺磁共振（electron paramagnetie resonance,EPR）参量g因子和超精细结构常数A。计算结果与实验谱线符合较好,说明所采用的微扰公式和理论处理方法是有效和合理的。研究表明,对高温超导材料中Re3+的自旋哈密顿参量进行精确解释,通常应该考虑到二阶微扰项的贡献。     

KMgF3:Mn2+晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下,建立了轴对称(三角和四角)晶场中3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式,进而得出相应的自旋-晶格耦合系数G11和G44.并将上述公式应用于KMgF3Mn2+晶体,在不引入调节参量的情况下,得到的计算值G11和G44与实验结果符合较好.