二元化合物半导体的禁带宽度

本文用LCBO MO法证明具有下述结构特征的二元化合物其禁带宽度Eg仅是键性质的函数,与结构的类型无关。这个结构特征是:两种组分原子交替配位,形成周期性和连通性的共价键网络。本文的结论从理论上支持了许多文献用键性质归纳二元化合物半导体Eg数值规律的工作。     

半导体材料禁带宽度测试装置的研制

根据光电导方法，研制了 ＤＢ－１型半导体材料禁带宽度测试装置。该装置经测 试验证及用户使用表明：整个测试系统具有测量数值精确、测试速度快、样品安装方 便、装置的稳定性和重复性好等优点，实现了对半导体材料禁带宽度的测定，可为进 一步研究半导体材料的能带模型提供实验数据。     

半导体禁带宽度、迁移率和热导率的计算

本文导出了可以统一计算元素半导体以及二元和多元半导体的禁带宽度E_g、迁移率μ和热导率r的经验表达式。特别是对近200种晶体的E_g实测值同计算值作了比较,并以同样的准确性,预计了218种材料的E_g值。     

Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算

使用简化相干势近似（SCPA）计算了Ⅲ-Ⅴ族三元混晶InGaN的禁带宽度，结果表明，该方法与实验数据吻合较好，可用于Ⅲ-Ⅴ族含氮三元混晶相关常数的计算。     

用光学方法测量半导体禁带宽度的温度系数

本文提出了一种测量半导体禁带宽度温度系数的方法,推导出一个求dEg/dT的公式。利用这一公式,在室温附近测量计算了砷化镓单晶的禁带宽度温度系数,得到结果为-3.97×10~(-4)ev/k,这与人们公认的-3.95×10~(-4)ev/k极其接近,说明作为一种基本测量方法,是切实可行的。     

变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度

文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77—400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为1g（｜RH｜T^3/2）-1／T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。     

一维光子晶体禁带宽度对折射率的响应

采用参数调节法研究了折射率对一维光子晶体禁带宽度的调制作用,通过数值计算得到禁带宽度的解析表达式及禁带宽度随光子晶体的折射率比(n1/n2)的增加而增加的结论,说明用调节一维光子晶体的折射率来实现对禁带宽度的调制是十分有效的。     

电容-电压法测定纳米硅的禁带宽度

在 p型单晶硅衬底上沉积1层n型纳米硅薄膜制成nc Si/c Si异质结二极管, 测量了异质结的 C V特性. 根据C V实验曲线, 计算出异质结的接触电势差, 再用接触电势差计算了导带的偏移量, 进而求得禁带宽度. 计算结果与其他文献报道的结果符合得很好.     

氧化物的禁带宽度与催化活性(英文)

文中归纳了氧化物禁带宽度与其电子结构、当量生成热和金属离子半径间的关系,闡明了当量生成热和金属离子半径这两个参数有明确的物理意义,与氧鍵能、金属性和原子间距有关,与氧化物的催化性质也有关。根据氧化、裂化等多种催化性质与禁带宽度的关系,指出了稀土氧化物由于有不同的禁带宽度,所以有不同的催化性质。     

Ga_(1-x)Al_xAs禁带宽度的计算

用分区变分法研究Ga_(1-x)Al_xAs的直接、间接禁带宽度随组分x的变化关系。计算中,假设合金中的各个原子的原子球球内势场为球对称;球面上用径向波函数对数微商的平均值;球外区用虚晶势近似。计算结果与实验结果符合较好。     

光学厚度对一维光子晶体禁带宽度的调制

采用参数调节法研究了光学厚度对一维光子晶体禁带宽度的调制作用,通过计算得到禁带宽度的解析表达式及禁带宽度随两层光子晶体光学厚度的变化规律。当两层光子晶体的光学厚度都等于λ0/4时,禁带宽度达到最大,说明用调节一维光子晶体的光学厚度来实现对禁带宽度的调制是有效的。     

加强宽禁带半导体材料的研发与应用

 宽禁带（一般指禁带宽度>2.3 eV）半导体材料的研发与应用方兴未艾,正在掀起新一轮的热潮;其中碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。     

硅晶体中禁带宽度与应力关系的光学研究

本文采用光电导光谱分布法和红外光弹法初步研究了硅晶体中禁带宽度与应力的关系。对数块硅晶体进行不同条件的热处理,测试了禁带宽度的变化以及应力状态的变化。发现半导体硅晶体中禁带宽度与应力有明显的对应关系:存在应力时,禁带宽度增加;清除应力后,禁带宽度减少。文中还对实验结果作了理论分析。     

半导体CdS/ZnS核壳结构纳米微粒的制备及光学特性

利用反胶团法合成CAS纳米微粒,并以ZnS对其进行表面修饰,得到具有CdS/ZnS包覆结构的纳米微粒,以紫外-可见吸收光谱(UV)证实了CdS/ZnS核壳结构的实现并表征其光学特征.透射电镜(TEM)表征其粒度和形貌,得到CAS/ZnS包覆结构粒径一般在2-3nm.通过陈化实验发现粒径随时间变化不大.     

用表面光伏方法研究半绝缘GaAs的禁带宽度

根据所建立的半绝缘 (SI)GaAs的禁带宽度EgΓ 公式 ,利用表面光伏 (SPV)方法的测量结果 ,计算了室温下 5种样品的EgΓ 值 ,并对其中之一进行了 2 1- 30 0K温度范围的EgΓ 计算 ,确认了SPV方法对研究SI -GaAs禁带宽度的可行性 .     

ZnS晶体中掺Cu2+的局域结构变化研究

对ZnS晶体中摻Cu2+的局域结构变化研究具有重要的现实意义.本文采用点荷偶极模型,从实验光谱测得的低对称分裂出发,通过晶体场理论,研究了Cu2+取代Zn2+的局域结构变化,确定了Cu2+取代Zn2+后S2--Cu2+-S2-的在[001]方向上夹角为107.20     

半导体氮化物的导电类型

本文用空位自补偿理论来研究半导体氮化物的导电类型,确定了未掺杂的铝、镓、铟的氮化物都是n型,并认为这些氮化物是具有一定自补偿的双极性材料。     

化合物半导体纳米复合材料的制备和结构及光学特性研究

利用溶胶－凝胶工艺和原位生长技术制备了Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体纳米复合材料，得到了ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄｘＨｇ－ｘＴｅ（ｘ＝１＝０．７）纳米微晶与多孔ＳｉＯ２凝胶玻璃的复合材料。用ＸＲＤ研究了不同复合材料的结构特点，利用吸收光谱和透射光谱研究了复合材料的光学特性，发现纳米微晶的禁带宽度大于其相应体材料的禁带宽度，并且复合材料具有明显的非线笥光特性。用简并四波混频测试了样品的三阶非线性     

AB型二元化合物晶体中的共轭结构与半导体键

本文用LCBO MO法探讨了由两组原子交替配位以单纯的共轭键网络结合的AB型单质和化合物晶体的电子态,这类单质和化合物分别属于层状BN结构、CsCI结构和NaCI结构。所得结果证明:如共轭的σ键或π键是非极性键,这种共轭键就是金属键,相应的单质是导体;如共轭的σ键或π键是极性键,这种共轭键就是半导体键,相应的化合物是半导体或绝缘体。这个判据与实验符合。本文还计算了上述三种结构的键级,所得公式园满地说明了相应的单质和化合物的键长关系。