反应烧结碳化硅的显微组织

对不同生坯进行硅化处理后得到的反应烧结碳化硅的显微组织进行了研究。结果表明：选用α－ＳｉＣ＋Ｃ粉的混合物作为生坯，ＳｉＣ相的体积分数随生坯中ｗＣ的增加而增加，但过大的ＷＣ将使硅化后的试样出现残碳；选用碳毡作为毛坯，反应烧结碳化硅的显微组织特点是Ｃ／ＳｉＣ反应生成的碳化硅颗粒均匀细小，并呈线状分布在游离硅中，浸渍过树脂的碳毡硅化处理后的显微组织特点是反应生成的碳化硅颗粒粗大呈不均匀分布。Ｘ射线衍射结     

反应烧结碳化硅的显微组织气孔率及电阻率

研究了反应烧结碳化硅及随后经１６５０℃和１８００℃除硅处理后,材料的显微组织与电阻率之间的关系。反应烧结碳化硅显微组织中有约２０％的游离硅存在,气孔率极低,电阻率也很低。     

工艺参数对反应烧结碳化硅导电性的影响

对碳化硅颗粒尺寸,工艺参数与反应烧结碳化硅导电性的关系进行了研究,试验结果表明,随着碳化硅颗粒尺寸的减小,生坯成型压力增加,烧结气氛压力增大,碳化硅电阻率也增大,且烧结温度对电阻率的影响不大,同时,对不同烧结工艺下显微结构与电阻率的关系进行了分析讨论。     

制备工艺对Si_3N_4-SiC材料生坯性能影响

采用氮化硅作为碳化硅材料的结合相的方法制备氮化硅结合碳化硅耐火材料 ,通过对氮化硅结合碳化硅的生坯制备过程的探讨 ,分析了生坯密度、原料粒径级配及制备过程各工艺参数之间的关系 .实验结果表明 ,合适的颗粒级配、较好的颗粒球形度 ,是获得高生坯密度 ,均匀、致密、低气孔率、高强度、高硬度的氮化硅结合碳化硅材料的有效途径     

烧结助剂和工艺对RBSN性能的影响

本文介绍了新型非金属材料Si3N4利用反应烧结方法（简称RBSN）的制取过程,并以MgO、AlO3、Y2O3和ZrO2为助剂,探讨烧结助剂和成型工艺对制品性能的影响;温度和助剂对氨化率的影响;ZrO2含量、烧结时间和气氛对制品烧结性能的影响。为提高制品的致密度和机械强度等方面做了一定的工作。     

多孔SiC陶瓷的两种制备方法

采用两种不同的方法制备多孔SiC陶瓷,讨论了其显微组织对性能的影响,探索了由天然木材经炭化、渗硅处理制造多孔SiC陶瓷的新方法。研究结果表明,半干压法制得的SiC陶瓷的气孔率随SiC粒度的增大而降低,且强度升高。由天然木材制得的多孔SiC陶瓷的新方法。研究结果表明,半干压法制得的SiC陶瓷的气孔率随SiC粒度的增大而降低,且强度升高。由天然木材制得的多孔SiC陶瓷的气孔形状较规则,且分布均匀,其表观气孔率可达40％以上,是制备高气孔率SiC陶瓷的一种可行技术。     

烧结工艺对含硅锰烧结钢性能与组织的影响

研究了烧结温度和时间对Ｆｅ－３．１Ｍｎ－１．２Ｓｉ－０．４Ｃ烧结刚性能与组织的影响，实验结果表明：提高烧结温度和延长烧结时间都能改善Ｆｅ－３．１Ｍｎ－１．２Ｓｉ－０．４Ｃ烧结钢的机械性能；并使烧结试样由膨胀逐渐向收缩过渡，Ｆｅ－３．１Ｍｎ－１．２Ｓｉ－０．４Ｃ烧结网在１１００℃以上烧结时，由于有液相的出现，合金化过程可以被大大地提高，在烧结过程中，只有那些较小的硅锰母合金颗粒才能全部熔化，而那些尺     

烧结工艺对Si3N4陶瓷显微结构及性能的影响

文章研究了烧结温度、时间对Ｓｉ３Ｎ４陶瓷材料显微结构与性能的影响，微观结构与断裂韧性、抗弯强度的关系．结果表明：在一定烧结温度下，随保温时间增加，材料体积密度、β相相对含量增加，断裂韧性显著提高，使相变过程滞后，并在试样断口上发现了明显的棒状组织拔出和折断痕迹，保温时间一定时，存在最佳烧结温度     

烧结工艺对TiB2增强铜基复合材料性能的影响

利用机械合金化Ｃｕ（Ｔｉ,Ｂ）过饱和固溶体在真空加压烧结炉中进行加压烧结,制备了ＴｉＢ２增强铜基复合材料,对ＴｉＢ２增强铜基复合材料烧结工艺和性能的研究结果表明：ＴｉＢ２增强铜基复合材料的最佳烧结工艺是烧结温度为８９０℃,烧结压强为５０ＭＰａ,保温和加压时间为２．５ｈ,ＴｉＢ２增强铜基复合材料的硬度随ＴｉＢ２含量的增加有所提高,导电率随ＴｉＢ２含量的增加有所下降,软化温度基本保持在９００℃左右。     

烧结温度对细晶粒Ti(C,N)基陶瓷组织和性能的影响

采用真空烧结工艺制备超微、纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷．研究了烧结温度对超微、纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷的显微组织、性能的影响，并用SEM观察试样的断口形貌．结果表明，随着烧结温度的升高，陶瓷材料的显微组织逐渐变得均匀致密，晶粒长大不明显，环形相逐渐变得完整；当烧结温度超过1450℃，晶粒会明显长大，环形相变厚、变脆，导致材料的性能下降．进一步分析表明，超微和纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷的最佳烧结温度分别为1410℃、1450℃．     

PTCR陶瓷材料的半导化及显微组织的研究

研究了PTCR陶瓷半导化过程。使用sol-gel法合成（Ba0.8Sr0.2)TiO3超细微粉,掺入钇元素及烧结助剂,在合理的温度制度下浇成PTCR陶瓷。为跟踪陶瓷半导化过程,在不同温度阶段冷却陶瓷样品和在升温阶段不同温度点冷却陶瓷样品,利用SEM、XRD进行分析陶瓷的结构,利用交流阻抗仪分析陶瓷施主浓度,结果表明PTCR陶瓷半导化仅与升温阶段有关。     

SiC-WC复相陶瓷的力学性能与显微结构

在α-SiC和β-SiC超细粉末中,以Al、B、C为烧结助剂,分别添加0～24vol%WC,研究了SiC—WC复相陶瓷的力学性能和显微结构,获得了一种室温弯曲强度和断裂韧性分别达700MPa和8.6MPa·m(1/2)的SiC-WC复相陶瓷.     

工艺因素对SiCp／Mg复合材料中颗粒分布的影响

对机械搅拌法制备ＳｉＣ颗粒增强镁基复合材料的工艺过程进行了探索，着重研究了搅拌温度、搅拌头位置，搅拌速率以及搅拌时间等工艺因素对复合材料中ＳｉＣ颗粒分散性的影响。形成了一种制备微细ＳｉＣ颗粒增强Ｍｇ－３Ａｌ基复合材料的工艺方法，并获得相应工艺参数。     

炭泡沫中Si含量对碳化硅多孔陶瓷 组织和性能的影响

研究炭泡沫预制体中Si添加量的变化对碳化硅多孔陶瓷的组织及性能的影响. 以中间相沥青添加一定质量分数的Si粉为原料,经发泡工艺制备含Si的炭泡沫预制体并结合反应烧结工艺制得碳化硅多孔陶瓷. 对碳化硅多孔陶瓷的微观形貌、相组成、孔隙率、孔筋密度和抗弯强度进行分析与测试. 结果表明:随着炭泡沫预制体中Si量的增加,碳化硅多孔陶瓷的孔隙率下降,孔筋密度增加,抗弯强度提高. 当Si的质量分数为50%时,多孔陶瓷孔筋完全由SiC相组成,孔筋密度为3.14g/cm3,多孔陶瓷的抗弯强度达到23.9MPa,对应孔隙率为55%.     

电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究

研究了Al，B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响。室温电阻率测定表明，加入Al，B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率，随着Al，B和Zr加入量的增加，试样的室温电阻率下降。讨论了Al，B和Zr在碳化硅中的存在形式，并分析了试样的导电机理。     

纳米尺度碳的微结构及电化学性质

采用高分辨透射电镜、X射线衍射表征了3种不同纳米尺度碳的石墨碎片微结构及其石墨化程度,并采用线性扫描、交流阻抗方法对由纳米尺度的碳粒制备电极的电化学性质进行了研究.结果发现:随纳米尺度碳粒石墨化度的减小,石墨碎片卷曲形态的清晰度增加,对应电极对甲醇的电化学氧化能力增强,氧化峰电流及电容值增加.由此认为:石墨碎片的卷曲和石墨化属于两种不同形式的碳原子有序化,二者均可对纳米尺度碳粒的电化学性质产生影响.     

高黏结相硬质合金与因瓦合金焊接组织性能

为了提高硬质合金与因瓦合金的焊接性能,开发了一种新型因瓦合金的焊接工艺,利用钨极氩弧焊接方法获得因瓦合金在无填充及不开坡口条件下的焊接接头,利用光镜、扫描电子显微镜观察焊接接头界面的组织形貌,并分析了焊接接头的硬度分布.结果表明:利用开发的焊接工艺,能够实现因瓦合金焊接接头的冶金结合;焊接接头硬度为16.3~72.6HRC,且过渡平滑.     

聚变堆面向等离子体SiC/Cu梯度材料的制备与评价

用超高压梯度烧结法制备出了成分分布从0－100％的接近理论密度的SiC/Cu聚变堆面向等离子体功能梯度材料,化学溅射实验表明其CD4产额与二次纯化石墨相比降低了80％,热解吸收气率约为石墨的10％,在398MW/m2的激光热冲击下,材料表现出现疲劳裂纹和化学分解现象,原位等离子体辐照结果显示陶瓷材料表面出现一定程度的溅射损伤。     

碳含量对纳米硬质合金组织和性能的影响

该文研究碳含量对纳米硬质合金组织和性能的影响 .通过对添加不同碳含量合金的组织观察和机械性能比较 ,发现碳对硬质合金的 WC晶粒度、相组织和机械性能都有着极其重要的影响 .研究结果表明 ,通过控制碳的含量可以控制 WC晶粒在烧结过程中的长大 .     

微结构对纳米碳纤维氧阴极还原性能影响

在制备微结构可控纳米碳纤维基础上,研究纳米碳纤维微结构对氧气电催化还原反应(oxygen reduction reaction,ORR)性能的影响.利用化学还原法合成了Pt电催化剂,研究了纳米碳纤维微结构对Pt/CNFs电催化剂电催化性能的影响.研究发现,相对于基于活性炭的电催化剂,载于纳米碳纤维的电催化剂具有较高的ORR活性;同时,基于板式纳米碳纤维的电催化剂表现出最高的ORR活性.