基于贝叶斯神经网络分析质子引发的散裂反应产生的同位素截面

质子散裂反应产物截面数据是许多核应用领域的关键基础数据.不论在实验还是理论上,获得精确、完整的能量依赖的散裂产物截面都具有很大的挑战.运用贝叶斯神经网络方法(Bayesian Neural network,BNN)学习现有的质子散裂反应产生的同位素截面,并做出预测.BNN预测结果与实验测量截面吻合的很好,并展现出较好的模型泛化能力,可为核天体物理、加速器驱动的亚临界系统、质子治疗等领域提供参考价值.     

等离子体环境中正电子与氦原子碰撞电子偶素形成过程理论

正负电子偶素(Positronium, Ps)的形成是正电子-原子碰撞过程中独有的物理过程。为了探究正电子与氦原子散射过程中正负电子偶素形成的问题,应用屏蔽近似模型下的光学势理论方法研究了等离子体环境中正电子-氦原子碰撞的电子偶素形成过程,计算了0～100 eV入射能量区域内总的正负电子偶素形成截面(1s+2s)。在计算等离子体环境中靶原子体系的能级及波函数时,应用屏蔽的氦原子模型势描述了屏蔽效应对粒子间相互作用的影响。电子偶素形成截面计算结果与已有的其他理论、实验结果对比并进行了分析。验证了在中低入射能量下,屏蔽模型下的光学势理论方法对于处理正电子-氦原子散射问题具有有效性。     

400 A MeV ~(12)C诱发Pb靶核反应弹核碎裂研究

论文对最高束流能量为400 A MeV的~(12)C核诱发铅靶核反应弹核碎裂电荷变化反应总截面、弹核碎片产生分截面、弹核散射角及弹核碎片发射角分别进行了研究.实验结果表明弹核碎裂电荷变化总截面及电荷数Z=5的弹核碎片产生分截面在实验误差范围内与弹核能量无关,弹核碎裂反应电荷变化总截面的实验结果与Bradt-Peter半经验公式及PHITS,NUCFRG2理论模型计算结果一致;弹核粒子平均散射角小于电荷数Z=5的弹核碎片的发射角,且在所研究的束流能量范围内在误差范围内保持不变.     

290 A MeV ~(12)C与Al靶核碎裂反应截面研究

本文对最高束流能量为290 A MeV的~(12)C核诱发铝靶核反应射弹碎裂电荷变化反应总截面及碎片粒子产生分截面进行研究.结果显示射弹碎裂电荷变化总截面及碎片粒子产生分截面在误差范围内与束流能量无关,核碎裂电荷变化总截面计算结果与Bradt-Peter公式及PHITS,NUCFRG2理论模型预测值一致,碎片粒子产生分截面值与NUCFRG2理论模型预测值一致.     

~(6,7)Li快中子散射的光学模型分析

应用光学模型系统分析了~(6,7)Li的快中子散射资料,入射能量分别为4.83—15MeV(对~6Li)和7—15MeV(对~7Li),分析的资料包括总截面、弹性积分截面和角分布,所得结果与实验符合较好。所用的光学势为包含了面吸收和自旋轨道耦合项的Woods-Saxon型势。我们取实部(氵弥)散参数和面吸收深度为入射能量的线性函数,其它势参数均取为是能量无关的且对~6Li和~7Li还取为是一样的。发现实部(氵弥)散参数随入射能量增加而缓慢地减小。     

惰性气体原子与氘分子碰撞微分散射截面的计算

对惰性气体原子与氘分子系统建立T-T势能模型,并采用密耦近似方法,计算了原子入射能量分别为0.05、0.10、0.15、0.20、0.25eV情况下,系统00-00弹性碰撞微分截面及00-02转动激发微分截面.通过对计算结果的分析得到了弹性及非弹性碰撞微分散射截面随角度的变化规律以及入射原子能量和系统约化质量对微分截面的影响.     

惰性气体原子与氢的同位素分子D2碰撞分波截面理论研究

用T.T(Tang-Toennies)势模型和密耦计算方法分别计算了入射原子的相对碰撞能量E=0.05eV,0.15eV,0.25eV时He,Ne,Ar,Kr,Xe-D2碰撞体系的00-00弹性碰撞和00-02非弹性碰撞分波截面,得到了惰性气体原子与D2分子碰撞分波截面随量子数增加和体系相对碰撞能量增加的变化规律.结果表明对00-00弹性碰撞,分波截面随量子数J的增加不断振荡,并出现一些尾部效应;而随入射原子的相对碰撞能量的变化,振荡极大值位置、收敛分波数均不断变化.     

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术（PAT）是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术（PLAS）,对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.     

电子与硼、碳和氮原子碰撞角分布的理论计算

用模型势方法研究和计算了电子被B、C、N原子散射的微分截面 (角分布 ) ,入射电子能量从 0 .1～ 1.0eV ,计算的角分布从 0°～ 180°.从理论研究和计算中看到 ,随入射电子能量的增加 ,电子被B、C、N原子散射的微分截面有规律性变化 .     

14MeV能区中子诱发~(232)Th(n,f)~(138)Xe裂变截面的测量

利用中子活化法,精确地测量了14 Me V能区中子诱发的232Th(n,f)138Xe裂变截面.在测量中用27Al(n,α)24Na反应出射的α射线监督中子通量,中子的能量由90Zr(n,2n)89Zr反应与93Nb(n,2n)92mNb反应的截面之比给出.在中子能量为14.1±0.3和14.7±0.3 Me V下,其裂变截面分别为12.72±1.24和11.82±1.13 mb.     

14Mev中子的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应截面测量

本文用活化法分别以~(56)Fe(n,P)~(56)Mn和~(63)Cu(n,2n)~(62)Cu反应截面为标准,测量了14.61Mev中子的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应截面,其值分别为190.1±5.3mb和196.3±7.7mb。又以~(27)Al(n,P)~(27)Mg反应截面为标准,测量了14.13Mev、14.61Mev和14.85Mev三个能点的~(64)Zn(n,2n)~(63)Zn反应戡面,其值分别为116.0±8.7mb、189.4±14.2mb和197.2±14.8mb。活化生成核发射的γ射线用高纯锗(HPGc)γ谱议进行测量。     

利用密耦法对惰性元素原子与双原子分子转动激发截面的理论研究

作者运用密耦近似方法,计算了能量在64.0meV下,He原子和基态N2分子碰撞的态-态转动激发微分截面和入射能量分别在27.3meV,40.0meV,64.0meV和80.0meV下的弹性、非弹性和总微分截面;总结了该碰撞体系微分散射截面的变化规律.研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,转动激发非弹性散射主要发生在大角部分.     

He—H2（D2、T2、HD、HT、DT）碰撞体系积分截面的理论计算

采用量子化学从头计算方法,在CCSD（T）／AUG—CC—PV5Z＋bf（3s3p2d1f）水平下,计算了He—H2（D2、T2、）碰撞体系在不同入射角时的相互作用能数据,运用质心变换一拟合方法、采用Tang—Toennies势模型和非线性最小二乘法拟合、构造了He—H2（D2、T2、HD、HT、DT）碰撞体系各向异性势在不同方向上的径向系数和振转相互作用势。通过密耦近似方法计算了入射原子能量分别为60、90和120meV时,各碰撞体系的积分截面。根据计算结果,进一步分析讨论了积分截面随体系约化质量和入射能量变化的规律及各类积分截面的特点。     

He原子的低能(e,2e)过程中的极化和关联效应

用包含后碰撞作用和极化效应的扭曲波玻恩近似理论计算了共面不对称几何条件下入射电子能量为50eV时He原子的低能(e,2e)反应的三重微分截面,并同实验测量结果进行了比较。指出后碰撞作用和极化效应在共面不对称几何条件下He原子的低能(e,2e)过程中均起着重要的作用。     

氦原子与氮分子体系转动激发截面的理论计算

利用密耦近似方法对He－N2碰撞体系的微分截面、分波截面进行了量子力学计算，研究表明：低能散射时，He－N2碰撞的弹性散射主要在小角部分，而非弹性转动激发主要发生在大角部分，并通过系统的研究和计算，发现了分波散射截面不同的能量下的变化规律。     

（e,2e）反应中初通道相互作用强度的理论研究

在前期工作的基础上，用修正后的BBK理论研究了共面等能几何条件下，电子入射离化氢原子三重微分截面的结构，讨论了低能（e,2e)反应中的Rutherford散射效应，揭示了(e,2e)反应中初通道相互作用强度是怎样随入射能的增加而改变的。     

Ar原子与H_2低能碰撞分波截面的理论研究

使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似(Close-Coupling)方法计算了Ar原子与H2分子在碰撞能量分别为E=0.15eV、0.25eV、0.35eV时的分波截面,对计算结果进行了讨论,总结了该碰撞体系的弹性微分截面(00-00)以及分波散射截面在弹性散射00-00和非弹性散射00-02、00-04的变化规律。     

(e,2e)反应中剩余电子的屏蔽效应对三重微分截面的影响

在考虑了He原子(e,2e)过程中,剩余电子对核的有效屏蔽之后,用修正后的BBK理论计算了入射能为40eV时,共面不对称几何条件下电子入射离化He原子的三重微分截面(TDCS).结果表明:该文得到的理论曲线更接近实验数据.     

ISOSPIN EQUILIBRIUM AND NONEQUILIBRIUM IN INTERMEDIATE ENERGY HIC

采用同位旋相关的ＱＭＤ模型探讨了同位旋的平衡与非平衡．此ＱＭＤ模型包含了同位旋相关的对称能、库仑能、Ｎ－Ｎ截面和Ｐａｕｌｉ阻塞．观察到随着入射能量超过某一阀能存在着同位旋由平衡到非平衡的跃迁，发现这种现象是由不同反应机制的共存与竞争所导致的，即当ＩＣＦ（非完全熔合）分量占主导时同位旋平衡能够达到，而当碎裂分量占主导时同位旋平衡受到破坏．     

不共面对称条件下电子离化He原子的三重微分截面

运用修正后的BBK理论计算了入射能E0=64.6eV,不共面对称等能条件下电子入射离化氦原子的三重微分截面,所得结果与实验进行比较,符合较好.指出:对3C波函数进行索末菲参量的修正是成功的,这一修正使得BBK模型也能对不共面对称等能条件下的低能(e,2e)过程给出很好的描述.