导电性高分子材料 用途广泛

导电性高分子材料一般分为复合型和结构型两大类。复合型导电高分子材料,它是由导电性物质与高分子材料复合而成。这是一类已被广泛应用的功能性高分子材料。复合型导电高分子材料分类有很多种,根据电阻值的不同可分为:半导电体、除静电体、导电体、高导电体;根据导电填料的不同可分为:抗静电剂系、     

导电高分子材料

介绍了新型导电高分子材料的分类、性能、导电机理，对提高导电高分子材料的导电性及力学性能的途径、应用以及发展前景作了探讨。     

导电高分子在光电材料领域中的研究进展

综述了近年来国内外导电高分子材料在光电材料领域中研究进展情况．论述了聚乙炔、聚苯胺、聚噻吩、聚对苯乙烯撑(PPV)及其衍生物等导电高分子材料作为非线性光学材料所具有的优良性能，介绍了导电高分子电致发光材料和发光材料在实际领域中的应用．     

三氟化硼乙醚及其混合电解质中导电高分子的电化学合成

电化学沉积是制备导电高分子材料的有效途径. 三氟化硼乙醚(BFEE)溶液用作电化学聚合芳香性化合物的电解质能有效地降低单体的氧化聚合电位，制得各种高性能导电高分子材料. 文中综述了十多年来在BFEE及其混合电解质溶液体系中导电高分子电化学合成的研究进展，并介绍了在该体系中制备的各种导电高分子的应用前景.     

导电塑料的应用

导电塑料是一种高分子材料,是目前国际上一个十分活跃的研究开发领域,已从初期的纯实验室研究发展到应用研究阶段,成为新一代电子材料。导电高分子材料按照其导电机理可分为结构型和复合型两大类。目前,结构型导电高分子材料的合成工艺较复杂,成本较高;而复合型导电高分子材料加工简单、成本低,因而被广泛应用于电子、汽车、民用等领域。电磁屏蔽导电塑料具有防静电的特性,因此可以用于电磁屏蔽,而其成本低,是非常理想的电磁屏蔽材料替代品,可以应用在计算机房、手机、电视机、电脑和心脏起搏器上。从20世纪80年代起,美、德、日等国先后制定…     

导电高分子材料的进展

导电高分子材料是最近十年内发展起来的一类新型功能高分子材料。这种材料除具有一般高分子的特性外,还有一个显著的特征是具有类似金属的导电性。因此,在国外亦被人们称为合成有机金属。与标准金属相比,导电高分子材料具有重量轻、比强高、易成型、成本低、电阻率可调节的特点,并可通过分子设计合成多种多样的结构类型而获得多方面的特点和优点,从而引起了人们极大的兴趣。特别是随着电子工业、情报信息科学技术的发展,对于导电高分子材料的需求越来越大。美、日和西欧各国均在积极开展研究。日本通产省甚至把导电高分子材料的研究列为“下二十年产业基础技术研究开发规划”中十二项优先科研项目之一。我国中国科学院北京化学所、长春应用化学研究     

新型导电高分子材料

本文阐述了导电高分子材料的概况,着重论述了结构型导电聚合物的导电机理——类似石墨的导电结构及孤子跳跃理论;叙述了聚乙炔的合成和结构、聚乙炔掺杂以及近年来新开拓的导电聚合物-聚荼、硅-酞菁聚合物及聚噻吩薄膜;介绍了这些结构型导电聚合物可应用于大功率的蓄电池、太阳能电池、电磁屏蔽材料以及电色材料等方面;最后指出当前导电高分子材料的发展方向——既要发展新的结构型导电聚合物又要确立切实的指导理论。     

导电高分子膜材料制备及其生物医用研究进展

电信号是生物体调节细胞、器官和组织生理活动的重要途径之一,导电高分子具有导电性和生物相容性,可直接向细胞或组织传递电信号,能够实现组织的修复与再生.在简要介绍导电高分子种类及其材料特性的基础上,聚焦导电高分子膜材料,深入分析该膜材料的电化学合成和化学合成法(包括溶液浇铸、静电纺丝、原位聚合和界面聚合法)的优缺点与适用范...     

不饱和聚酯树脂固相磺化制备高分子导电材料

研究了用不饱和聚酯树脂磺化制备离子型导电高分子材料的方法，比较了磺化时间、磺化深度与单位重量导电率的关系，介绍了此种高分子材料在成型及磺化过程的特点．     

有机无机复合温差电材料的无机掺杂剂

有机导电高分子因其低的热导率在温差电方面受到广泛的关注,但低电导率限制了其发展.掺杂无机半导体或CNT等纳米材料可有效改善有机导电高分子的热电性能.以PEDOT/PSS有机高分子为代表介绍有机无机复合温差电材料的无机掺杂剂的最新进展,并展望有机无机复合温差电材料未来的发展与应用.     

密度对声子晶体带隙的影响

从弹性波动方程出发,利用平面波展开法计算二维（三维）声子晶体的带结构,研究散射体与基体的密度比对最低带隙的影响,得出了最低带隙宽度和带隙边界随密度比的变化规律.数值计算结果显示随着密度比的增加,带隙下边界的频率降低,而上边界的频率升高,从而增加带隙宽度,且带隙能级不变.     

二维旋转复式晶格光子晶体绝对带隙的研究

设计一种二维旋转复式晶格光子晶体,利用平面波展开方法计算其带隙结构.结果表明,通过优化参量,该结构具有较大的绝对光子禁带,带隙宽度为0.08538(ωa/2πc),禁带宽度与中心频率比值达到17.91%.相对于其它光子晶体结构,该结构更容易产生绝对带隙.     

Extrusion Freeforming of Millimeter-Wave Electromagnetic Bandgap (EBG) Photonic Crystals

Extrusion freeforming can be used for the rapid prototyping of millimeter-wave electromagnetic bandgap (EBG) structures. In this work, an alumina-polymer paste with a relatively high volatility solvent (propanol) was used and the characteristics of the ceramic paste, particularly the rheological features are described. The advantage of high volatility solvent is that the viscosity and elastic modulus of the paste are increased sharply as the solvent evaporates. Thus, the rigidity of the extruded filament is quickly increased as a small amount of solvent evaporates. Finally, by employing this procedure, different EBG structures such as 2-D, 3-D woodpile and aperiodic structures were fabricated and their bandgaps were measured. The experimental results show that extrusion freeforming is a relatively simple and easy method to fabricate these woodpile structures with a bandgap in the 90–110 GHz region.     

硅芴-芴共聚物的合成、表征和光电性能

合成了硅芴与芴的共聚物.系统研究了该新型共轭聚合物的溶解性、热稳定性、电化学性能、光物理性能和电致发光性能等.研究发现,无规嵌入少量具有高能隙、低LUMO能量的硅芴单元到聚芴主链中可有效调控聚合物的光电性能.     

柱体截面不同三角晶格二维光子晶体完全带隙的研究

采用平面波展开法(PWM),研究以Ge为背景的空气柱构成的三角形结构二维光子晶体的带隙结构,考虑空气柱截面为圆形和六边形2种情况.结果表明:在介电常数和晶格常数不变的情况下,前者比后者更容易形成完全带隙,并且带隙宽度和相对带隙宽度也较大,前者完全带隙的最大宽度是后者的2.4倍,最大相对带隙宽度是后者的4倍.     

Large-scale synthesis of a silicon photonic crystal with a complete three-dimensional bandgap near 1.5 micrometres

Photonic technology, using light instead of electrons as the information carrier, is increasingly replacing electronics in communication and information management systems. Microscopic light manipulation, for this purpose, is achievable through photonic bandgap materials, a special class of photonic crystals in which three-dimensional, periodic dielectric constant variations controllably prohibit electromagnetic propagation throughout a specified frequency band. This can result in the localization of photons, thus providing a mechanism for controlling and inhibiting spontaneous light emission that can be exploited for photonic device fabrication. In fact, carefully engineered line defects could act as waveguides connecting photonic devices in all-optical microchips, and infiltration of the photonic material with suitable liquid crystals might produce photonic bandgap structures (and hence light-flow patterns) fully tunable by an externally applied voltage. However, the realization of this technology requires a strategy for the efficient synthesis of high-quality, large-scale photonic crystals with photonic bandgaps at micrometre and sub-micrometre wavelengths, and with rationally designed line and point defects for optical circuitry. Here we describe single crystals of silicon inverse opal with a complete three-dimensional photonic bandgap centred on 1.46 microm, produced by growing silicon inside the voids of an opal template of dose-packed silica spheres that are connected by small 'necks' formed during sintering, followed by removal of the silica template. The synthesis method is simple and inexpensive, yielding photonic crystals of pure silicon that are easily integrated with existing silicon-based microelectronics.     

一维光子晶体带隙结构研究

光子晶体材料的介电常数在空间中呈周期分布，这种材料存在光子带隙，引入缺陷对光有局域效应，为更好地控制光和利用光提供了新的方法。文章利用传输矩阵法计算了一维光子晶体不同结构的带隙特征，计算表明光子带隙的宽度受到材料介电常数及介质层厚度的影响。随材料介电常数及介质层厚度的增加，光子带隙宽度存在一个极大值，对于确定材料构成的光子晶体，两介质等厚时带隙最宽。     

基于硅带隙能量的1.2V基准电压源设计

基于0.35μm CSMC(central semiconductor manufacturing corporation)工艺设计,并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片,可输出不随温度变化的高精度基准电压。电路包括核心电路、运算放大器和启动电路。芯片在3.3V供电电压,-40~80℃的温度范围内进行测试,结果显示输出电压波动范围为1.212 8~1.217 5V,温度系数为3.22×10-5/℃。电路的版图面积为135μm×236μm,芯片大小为1mm×1mm。     

一种高阶温度补偿的CMOS带隙参考源

介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和与温度无关的电流,提供了一种对基极-发射极电压V_BE的高阶温度补偿。它还采用共源共栅结构以提高电源抑制比。在5V电源电压下,温度变化范围为-20～100℃时,该带隙参考源的温度系数为5.6ppm/℃。当电源电压变化范围为4～6V时,带隙参考源输出电压的变化为0.4mV。     

一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源

提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源．采用上海贝岭的1．2μm BiCMOS工艺进行设计和仿真,spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1．254V,在2．7V-5．5V电源电压范围内基准随输人电压的最大偏移为0．012mV,基准的最大静态电流约为11．27μA;当温度-40℃-120℃范围内,基准温度系数为1mV;在电源电压为3．6V时,基准的总电流约为10．6μA,功耗约为38．16μW;并且基准在低频时具有100dB以上的电源电压抑制比（PSRR）,基准的输出启动时间约为39μs．