LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告

报道了应用双指数函数对大注量氧注入硅的背散射谱进行拟合,成功地分离出注入的氧峰.数据处理结果表明,氧注量的均匀性以标准偏差表示为7.8%,基本上达到了设计要求.计算了注氧层和表面硅层的厚度,并且还对注量进行了校正.     

PIXE技术在分析汽车尾气颗粒物中的应用

介绍了利用PIXE分析技术对汽车尾气颗粒物的分析,获得了尾气颗粒物中的元素组成以及元素含量;同时对环境污染有影响的元素如S,Pb以及对影响污染物排放的元素如Si和Mn等进行了分析和讨论,研究表明,不同型号的汽车尾气颗粒物中,有害元素含量差异很大,虽然使用了汽油,但探测到有些尾气颗粒物中的铅含量还是相当高的,某些车型的汽车尾气中,Si,Mn含量相对偏高,此研究为治理汽车尾气污染提供依据。     

北京师范大学大气颗粒物外束PIXE分析系统

北京师范大学串列加速器实验室建立了大气颗粒物外束PIXE分析系统,并利用标准样品获得了16种大气颗粒物常见元素的外束PIXE分析系统刻度因子.对Z≥15的大多数元素,刻度因子的重复性较好,相对标准偏差在2%左右.通过降低样品与探测器Be窗之间空气层的有效厚度来削弱空气对低能X射线的吸收作用并降低空气中Ar元素的峰面积,可使标准样品中Mg的探测限由9 157ng.cm-2降至331ng.cm-2,Al的探测限由645ng.cm-2降至191ng.cm-2.大气颗粒物样品中Al及原子序数高于Al的元素外束PIXE的探测限约为内束PIXE的2～6倍.     

高精度大尺寸硅晶片的双面研磨抛光机改进设计

随着IC设计技术和制造技术的发展和进步,集成电路芯片的集成度在不断提高,芯片密度呈指数增长趋势。硅晶片作为集成电路芯片的主要材料,尺寸越来越大。在分析国内双面抛光机典型机型原理和特点的基础上,针对运用于大尺寸甚至是直径400 mm的硅晶片,提出高精度双面研磨抛光机在机械结构和控制系统等方面的改进措施,很好地解决了国内目前对大尺寸硅晶片加工难、加工精度不高等难题。     

注入电压对Ti6A14V合金离子注氧层结构的影响

采用等离子体基氧离子注入技术对Ti6A14V合金进行表面处理。注入电压选取-30和-50kV。注入层的结构用X射线光电子能谱、小掠射角X射线衍射、Raman光谱进行表征。注入样品在注氧层中均形成了以TiO_2为主的键结构,-30kV低电压注入样品的注氧层中TiO_2为非晶态,经过500℃真空退火后,TiO_2结晶形成金红石。而-50kV高注入电压则可在注氧层中直接形成粒径为nm的金红石。     

强流离子束辐照加热过程的数值计算

考虑瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了强流恒定离子束辐照过程的温度效应.由温升曲线的计算可知,对中等以上的注量率(>10~(13)cm~(-2)s~(-1))来说,快速注入过程都将是非稳态的,由此可知对强流离子束辐照过程进行瞬态热传导分析是必要的.若注量固定,晶片表面温度与离子能量的关系在低能部分(<100keV)很平缓,在高能部分很陡峭,在大注量注入情况下,降低靶座温度以抑制晶片表面温升是可行的方法之一.     

重掺杂硅中的氧沉淀

采用X射线双晶衍射法对重掺硼、重掺锑样品中的氧沉淀行为进行了研究，分析了热处理条件、掺杂剂种类对重掺硅中氧沉淀的影响．实验结果表明：由于氧沉淀诱发缺陷间的相互作用、氧沉淀的重溶以及氧的外扩散等原因，在长时间高温热处理时，晶片表面完整性得到改善；重掺硼样品中的氧沉淀较重掺锑样品中的氧沉淀明显．实验中还观察到了氧沉淀重溶现象，进一步验证了理论分析结果．     

外束PIXE束流均匀性测量与改善

外束PIXE束流均匀性是对非均匀性样品进行PIXE定量分析的基础.利用IP板对北京师范大学GIC4117 2×1.7 MV串列加速器外束PIXE束流均匀性进行了测量.通过在准直光栏前改用5μm的铝箔散焦膜,并用刀口厚度仅为0.1mm的铝准直光栏代替原有的碳准直光栏,改善前外束PIXE束流中心直径3.6mm内的离散程度为-65%~50%,改善后为-4.9%~2.8%.改善后的PIXE可直接用于Tisch安德森8级气溶胶采样器样品的元素定量分析,以及PIXE公司的分级式撞击采样仪第1~7级样品的元素定量分析.     

注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响

选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。     

一个采用外束的扫描质子探针

在质子X荧光(PIXE)分析的基础上发展起来的扫描质子微探针(又称质子显微镜),是离子束分析技术中的一个重要分支.自从1970年J.A.Cookson等人在质子显微镜方面的开创性工作以来,许多国家的有关实验室纷纷竞相研制,特别是1978年以后,发展迅速,迄今为止,全世界已有25台质子显微镜(束点直径≤20μm). 采用磁、电聚焦系统或者针孔限流器,把加速器产生的质子束收缩成为很细的质子微束,对样品进行扫描分析,就可以获得样品表面元素的分布图象.同一般的PIXE分析相比较,质子显微镜不仅能给出样品中元素的种类和含量信息,而且能给出元素在样品表     

颗粒物标准样品分析的PIXE方法

报告了用质子激发X荧光分析（PIXE）对国际原子能结构组织的实验室分析比对的颗粒物标准样品的测量结果，讨论了此结果和各实验室的PIXE和中子活化分析（NAA）测量结果与用不同方法测定值的平均值，参考值的比较，表明对颗粒物样品分析，PIXE的准确度很好。     

用质子激发X射线能谱分析技术测量FVAPD装置合成薄膜均匀性

采用质子激发的X射线能谱分析(PIXE)方法对磁过滤阴极真空弧沉积(FVAPD)装置在Al板上合成Ti膜相对厚度进行了测量,给出了沉积靶室中不同位置大面积合成薄膜的均匀性.通过同背散射分析(RBS)测量结果的比较表明:利用在轻衬底上合成重元素薄膜的PIXE分析可以快速、无损和精确地测量FVAPD装置合成薄膜的均匀性.     

氢氧注入在GaAs器件中的应用

从３个器件说明氢，氧注入在不同方面的应用：（１）用氧注入制备高质量Ｎ－ＳＩ－Ｎ埋层，应用于源栅面对ＭＥＳＦＥＴ中，克服源、栅、漏引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应；（２）用氢注入了Ｐ＾＋－Ｎ＾－－Ｎ＾＋层的Ｎ＾－层，减小ＨＢＴ的ＢＣ结电容，以提高其高频特性；（３）用氢、氧注入制作平面结构的ＨＰＴ，以减小复合电流，提高光电增益，其中尤其强调了选择离子注入的能量、注量及退火温度。     

石英谐振器力灵敏度温度系数特性分析

力灵敏度温度系数是石英谐振器产生温漂的主要原因之一，而且这种温漂不能用差频方法消除，因此，它是影响石英谐振式力传感器测量精度的主要原因．文中给出了测量误差与力灵敏度温度系数之间的定量关系，并得到实验验证．阐述了力灵敏度温度系数的物理意义，分析确定了标定温度的方法．在一定温度范围内使用的石英晶体谐振器，既要有一定的分辨率，又要使其测量结果不受温度影响，为此提出了石英谐振器最佳取向选取原则．根据这一原则，找出了ＡＴ切型晶片用作力敏元件时的最佳施力方位角．为提高石英谐振式力传感器的测量精度提供了一个理论基础．     

甲酸钡晶体结构的测定

用X射线衍射法测定了甲酸钡的晶体结构,其晶体结构属正交晶系,空间群P_(212121),晶胞参数为a=679.1(9)pm,b=889.6(2)pm,c=764.3(2)pm,晶胞体积V为4.6172×10~8pm~3,晶胞分子数z=4,晶胞密度D_c=3.271g/cm~3,钡原子周围有8个氧原子配位组成六面体,每个氧原子分属于每个甲酸根,即每个甲酸根只提供一个氧原子与钡配位,B_a—O键键长为274.1～287.4pm,甲酸钡具有较好的光学倍频效应。     

氧对铸铁材质的影响

铁水的纯净度是衡量铁水质量的重要指标之一,纯净度主要指铁水中的含氧量.由于在铁水中含有一定量的氧,必将对铸铁材质产生影响.作者应用固体电解质浓度差电池测定铁水中的溶氧量,并通过试验证实了在铸铁凝固过程中,氧对石墨形态、共晶团大小、共晶过冷度、综合机械性能以及不同壁厚的断面敏感性等方面均有明显的影响.试验所得结论明确了铁水质量与铸件内在质量的关系,这对提高铸件质量具有重要的现实意义.     

氧对纳米ZnO薄膜晶体结构和光致发光的影响

ZnO是一种直接带半导体材料，在光电领域中和GaN一样受到关注．ZnO不仅有与GaN相似的晶体结构，而且它的激子结合能高达60meV，是GaN的2．4倍．采用射频(RF)磁控溅射法在n-Si(001)衬底上生长ZnO薄膜，XRD谱测量显示出氧压对ZnO薄膜的晶体结构有显著影响，用波长为325nm的激光激发，观察到在445nm处有一强的光致发光峰，它来自于氧空位浅施主能级上的电子跃迁到价带，分析了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响。     

施主态氧沉淀的微观分布

本文利用扩展电阻研究了低温退火及低-高温二步退火后P-CZ硅中新施主的微观分布。指出在新施主的氧沉淀界面模型下,通过扩展电阻法测量新施主的分布提供了确定氧的微小沉淀的一个灵敏的方法,其灵敏度取决于原始电阻率,新施主的分布可以通过讨论氧沉淀的分布,氧沉淀动力学过程以及晶体生长的液流模型得到解释。