半导体应变超晶格及其应用

介绍了力学平衡模型和能量平衡模型，分析了半导体应变超晶格的临界厚度，及半导体超昌格在光电学中的应用。     

半导体超晶格及其应用

半导体超晶格是凝聚态物理的前沿领域之一.对半导体超晶格物理的历史、现状以及未来做了简单的回顾与展望,并介绍了它的若干应用.     

GaAs—AlAs准晶超晶格振动特性研究

研究了人工晶体GaAs-AlAs准晶超晶格的振动特性,并与GaAs-AlAs的周期超晶格、一维准晶链的振动特性作了比较,对态密度作了进一步约化,所得结果与实验所测喇曼谱符合得很好。     

半导体超晶格结构中电子的量子磁隧穿

将厄密函数作为包络波函数解析地求解了电场和磁场同时垂直作用在超晶格结构上的一维有效质量方程，利用传递矩阵方法求得电子隧穿双势垒结构的传输系数，并对计算结果作了讨论．     

半导体表面吸附分子的表面增强喇曼散射

本文介绍了半导体材料表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)研究工作.至今,人们主要在二类半导体材料表面进行了SERS 实验:一类是半导体材料表面吸附分子的SERS 实验;另一类是被银修饰了的(silver-modified)半导体材料表面吸附分子的SERS 实验.文章还简单介绍了对半导体材料表面SERS效应所作的理论解释.最后对半导体材料表面SERS 研究的发展和应用前景作了展望.     

稀磁半导体超晶格中的隧道磁电阻

关于GaMnAs/AlAs/GaMnAs磁单结的隧道磁电阻有着广泛的研究,利用转移矩阵的方法研究了稀磁半导体超晶格中隧道磁电阻。数值模拟表明:系统会发生共振隧穿,并且共振峰会劈裂。系统的隧道磁电阻随着势垒宽度的增减逐渐减小。     

掺杂超晶格电子结构的模型研究

本文利用两种极限下的模型近似,详细描述了沿(100)、(110)和(111)方向调制生长的Si—nipi掺杂超晶格中低亚带结构和费米能级的情况。给出了(?)(-(?))》(?)和(?)(-(?))《(?)的假设(?).这类材料的电子和空穴亚带能量随掺杂浓度、掺杂层厚度及自由载流子浓度变化的普遍规律.并将两种模型下的结果进行了深入比较。     

钨酸铕钠晶体晶格振动的群论分析和喇曼光谱

本文对新型激光晶体钨酸铕钠[Na_5Eu(WO_4)_4]的晶格振动进行了群论分析.给出了该晶体在(?)点晶体格振动的对称性分类.它们是:18Ag+20Bg+20Eg+20Au+18Bu+20Eu.其中喇曼和红外都是非活性的模为18Bu.声学模为Au+Eu,喇曼活性模为18Ag+20Bg+20Eg,红外活性模为19Au+19Eu.首次测量了该晶体不同几何配置的喇曼光谱,利用群论分析结果对谱图进行了识别和讨论.     

三元准周期半导体超晶格的电子态

用紧束缚方法研究了三元准周期半导体超晶格的电子态,讨论了杂质对三元准周晶格系统的电子隧穿透射率谱及电子态几率分布的影响。结果表明,杂质的存在对系统的电子隧穿透射率有明显的影响,杂质所处位置和杂质性质的不同都会使系统的电子态发生变化。     

非晶半导体超晶格薄膜的光声谱研究

本文对a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格薄膜进行了光声谱研究.在光声谱中可以观察到由于量子尺寸效应所引起的吸收边“兰移”现象.将超晶格系列样品的光声谱与它们的光吸收谱以及本征硅的光声谱作了比较,研究表明,在a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中光生载流子(电子和空穴)的非辐射复合比本征硅要大得多.光生载流子在带间的跃迁主要属于辐射跃迁,在带尾间的跃迁,主要属于非辐射跃迁.     

子带重叠对兆兆赫场驱动下的电阻分流半导体超晶格中直流偏置电压产生的影响

研究了处于外加高频交变场下的半导体超晶格中两个重叠子带内的弹道电子的运动。我们应用半经典的平衡方程途径来决定自发产生的直流电压和电流对于外加场的频率的依赖关系。数值模拟结果显示,在该频率范围的中段,直流电流的绝对值的包络线近似地随频率线性地衰减,然而在较高的外加交变场的频率下,如果在两个子带的电子平衡能量和电子占据几率之差达到一定的数值,自发的直流偏置电流的绝对值成为常数,而与外加交变场的频率无关。本文讨论了这一常数偏置电流和两个子带结构之间的关系,这对研究这种材料在超高频信息处理中的应用有一定意义。     

超晶格结构与特性

本文简要论述了半导体超晶格的分类、结构特性、能带结构与光电特性，以及它们的发展与应用。     

超晶格材料研究进展

介绍了超晶格材料的种类、性质、制备方法及其应用的研究进展，并对超晶格材料研究的发展前景进行了展望。     

一维晶格振动

晶体内的原子围绕其平衡位置作振动,整个晶格可以来作是一个互相耦合的振动系统。本文介绍了具有代表性的一维晶格的振动,并着重讨论了其格波解的特点及相应的色散关系。     

一类耦合超晶格系统中的电子局域态

理论研究了一类耦合超晶格系统中的电子局域态,该系统是由两个半无限GaAs/AlAs超晶格通过隔离层AlyGa1-yAs耦合而成,数值计算表明y＝1时系统仍存在局域态,但要求隔离层的厚度比规则垒层的厚度小许多,比较了只有一个阱层不规则的不规则超晶格系统的局域态和耦合超晶格中局域态的区别,发现后存在两支局模,分别对应于偶宇称态和奇宇称态,而在相同参数下,前仅存在偶宇称态,还给出了产生上述区别的原因。