零温极性－极性晶体中界面磁极化子的性质

计入电子与纵光学（ＬＯ）声子和界面光学（ＩＯ）声子的互作用，进一步研究了界面磁极化子的性质，并给出了磁极化子的能级，重整化回旋质量和自陷能的表达式．结果表明，重整化回旋质量也依赖于纵向量子态和磁场强度；而自陷能也与横向量子态和磁场强度有关．     

零温极性—极性晶体中界面磁极化子的性质

计入电子与纵光学（ＬＯ）声子和界面光学（ＩＯ）声子的互作用，进一步研究了界面磁极化子的性质，并给出了磁极化子的能级，重整化回旋质量和自陷能的表达式。结果表明，重整化回旋质量也依赖于纵向量子态和磁场强度，而自陷能也与横向量子态和磁场强度有关。     

量了阱内磁极化子自陷能的温度关系

采用推广的Ｌａｒｓｅｎ微扰理论，在有限温度情况下，对量子阱内的电子－体Ｏ声子耦合系统进行研究，得到了磁极化子自陷能的解析表达式，并以ＧａＡｓ量子阱为例，进行数值计算，结果表明，磁极化子自陷能随阱宽的增大而增大；随的变化受磁场的影响特别显著，“低磁场”时，磁极化子自陷能随温度升高而变大；“高磁场”时，却随温度的升高而小。     

存在色散时表面极化子的基态能自陷能,重整化质量

存在色散时表面极化子的基态能自陷能，重整化质量陈国应，沈仲钧（大连大学工学院物理教研室大连１１６０２４）（华东师大物理系上海２０００６２）０引言自从黄昆研究离子晶体中光学支长波振动以来［２］，人们讨论ＬＯ声子与带电粒子相互作用时，一直将声子频率看成常...     

分数维方法研究有限深抛物量子阱中的极化子

采用分数维方法研究了有限深抛物量子阱中的极化子自陷能及其有效质量.得到在阱宽很小或很大时,极化子自陷能和有效质量趋向于三维体材料的情况;在量子阱分数维取极小值时,极化子的自陷能和有效质量取极大值.     

GaAs—GaAlAs量子阱中光极化子

本文计及子带跃迁和双声子过程,计算了限制在量子阱中光极化子能级,给出了自陷能和重正化质量数值计算结果,它是阱宽的函数.发现自陷能和有效质量在二维结果和三维结果之间,子带跃迁和双声子过程对自陷能的贡献不是很重要的.     

对称量子阱中电子—界面声子相互作用对极化子性质的…

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

对称量子阱中电子─界面声子相互作用对极化子性质的影响

采用Ｈａｇａ方法，对量子阱中极化子的有效质量和自陷能进行了研究。考虑到量子阱中电子波函数的束缚和界面声子的影响，计算了不同支声子与电子相互作用对自陷能的贡献，讨论了极化子的有效质量和自陷能随量子阱宽度的变化关系，进一步说明了量子阱的尺度和界面声子的重要性。     

量子阱中极化子基态自陷能的耦合求解方法

用一种新的变分方法研究准二维量子阱中极化子系统的自陷能等问题．只有纵光学声子和表面声子的对称模对极化子的基态能量有贡献．作为例子,对ＧｓＡｓ／ＡｌＡｓ量子阱中极化子的基态波函数和自陷能进行了数值分析．与先前的结果相比,当有效耦合常数稍大时极化子具有更低的自陷能．     

量子阱内磁极化子自陷能的温度关系

采用推广的Larsen微扰理论,在有限温度情况下,对量子阱内的电子体LO声子耦合系统进行研究,得到了磁极化子自陷能的解析表达式,并以GaAs量子阱为例,进行数值计算.结果表明,磁极化子自陷能随阱宽的增大而增大;随温度的变化受磁场的影响特别显著,“低磁场”时,磁极化子自陷能随温度升高而变大;“高磁场”时,却随温度的升高而变小     

极化子自陷能的温度依赖性

本文讨论了界面磁极化了自陷能的温度依赖性。     

Shallow Impurity States in Ternary Mixed Crystals

利用微扰－变分法研究了极性三元混晶中束缚在浅库仑杂质中心的极化子．采用改进的无序元胞独立位移模型和有效声子模近似，计及电子和两支光学声子的相互作用，导出了极化子基态能量和束缚能量随组分变化的解析解，分析了声子屏蔽、质量重整化和自陷效应．对若干三元混晶的数值计算结果表明：声子屏蔽效应占主要作用；电子声子的相互作用减小了束缚极化子的束缚能．发现声子对束缚能的贡献随组分的变化是非单调的．讨论了有效声子模方法的有效性和适用范围     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

量子阱中极化子的性质

给出声子分布函数的解析表达式，并利用该表达式和Lee-Low-Pines(LLP)变分方法计算极性晶体板中极化子的基态能量，与自恰的数值结果进行比较，结果吻合。     

外磁场中的强耦合极化子性质

运用变分法系统地研究了外磁场下极化子的电声子耦合作用,其中具体考虑了电子和表面光学声子（ＳＯ）的强耦合作用以及与体纵光学声子（ＬＯ）的弱耦合作用,应用Ｈｕｙｂｅｒｔｃｈ提出的变分方法和二次么正变换,给出了电子－声相互作用能,数值结果表明：随着电子和晶体表面距离的增加,电子－表面光学声子相互作用能的数值减小,而电子－体纵光学声子相互作用能的数值增大;磁场增强,电子与两种声子之间的相互作用均增强。     

超声峰值频率方程的理论研究

将多粒子振动系统的本征频率率和量子系统辐射能，应用到超声换能器系统中的压电陶瓷片及其在传输杆中的传播。根据假设和声子在传输杆中的传播，导出了超声峰值频率方程。     

极性半导体异质界面上二维激子的极化子效应

计及电子－声子耦合计算了局域在极性－极性半导体异质结上的激子的结合能，得到了两支界面光学声子模对结合能的贡献．结果表明：对于重空穴激子结合能，界面声子起着重要作用，且两支界面声子模的贡献是可比拟的．对于ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ体系，讨论了构成异质结的混晶组份对结合能的影响．     

抛物量子阱中的极化子能量

研究了抛物量子阱中电子－声子相互作用对极化子能量的影响,用改进的变分法计算系统中极化子基态和激发态能量以及基态到第一激发态的跃迁能量,并给出抛物量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ中的数值结果,研究发现,在较宽的量子阱中,电子－声子相互作用对极子能量的影响很明显。因此,讨论了极化子能量时不能忽略电子－声子相互作用。     

温度对激光场引起的纳米管声子增益影响

讨论了强激光场下单壁纳米管的声子增益效应. 采用含时微扰方法计算了不同温度下声子占据数随时间的变化率(声子增益系数). 计算结果表明,在强激光场下纳米管中的声子占据数随时间非线性增加,增益系数与温度和激光场强都有关系. 随着温度升高,声子增益系数迅速减小;在确定的温度情况下,激光场强越强,声子增益效应越明显,并对这个现象给出了合理的物理解释.