测量半导体少数载流子寿命的双脉冲方法的改进

本文的目的在于改进测量半导体少数载流子寿命的双脉冲方法,使其能准确地测量少数载流子的体复合寿命。文中分析了双脉冲方法存在的主要问题,指出为了准确地测量少数载流子的体复合寿命,必须消除表面复合效应的影响。我们提出用在样品阻挡层的通向上,附加一弱恒直流电场的方法,来消除在接触区域的表面复合的影响。并对这一方法进行了一定的讨论,得到了消除接触区域表面复合影响的条件。N和P型错样品的实验结果,有力地证实了这一方法的可靠性、有效性、以及方便性。     

用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命

利用了将注入载流子分成表面复合项、体内项和扩散项三部分的简化模型,指出造 成寿命测短的二个主要因素——表面复合和体内扩散。采用足够的有效注入深度只能消 除扩散项的影响。提出了采用适当加长脉冲前沿时间消除表面复合影响的办法,实验结 果证实了这种办法的有效性。     

双脉冲法测鍺硅半导体材料中非平衡载流子寿命

本文简述了双脉冲法测锗硅中非下衡少数载流子寿命的设备,测试结果的分析,注入公式的推导及误差产生的原因。     

光致开路电压衰减法测量少数载流子的寿命

本文提出了一种测量少数载流子寿命的方法。先将样品做成p~+nn~+或n~+pp~+结,测量光致开路电压的衰减速率,然后用文中导出的理论公式计算少数载流子的寿命。实验结果表明,这种方法能有效地避免表面复合的影响。     

用微波方法测量半导体非平衡载流子寿命

介绍用有哑铃状孔－缝端盖的微波谐振腔测量片状半导体材料非平衡载流子寿命的一种方法．腔体用圆柱ＴＥ０１１模高Ｑ腔,易于更换端盖,可以达到较高的测量精度．实验表明,对同一半导体材料测量得到的有效寿命不因端盖孔－缝的改变而变化,所以可以通过选用孔－缝尺寸不同的端盖,来测量不同电导率的材料,以提高信号幅度,从而提高精度．测量是无接触的,因此无需对样品进行加工．用小的孔－缝端盖还可以用来对半导体材料有效寿命的二维分布进行研究．     

电子辐照NTD硅的少数载流子寿命

本文对电子辐照ＮＴＤ硅中少数戴流子寿命τ的测量结果进行了分析，     

用高频光电导法测量硅单晶中少数载流子寿命时一些问题的探讨

本文主要说明高频光电导法测试硅单晶少数载流子寿命时,必需确保小注入的要求,讨论了目前测试工作中存在的问题,并以等效电路说明影响注入比精确测量的几个因素。我们认为,在测试高阻值单晶时,只有在匹配小电阻的情况下,4V/V可近似作为注入比。在测试低阻值单晶时必需考虑其他因素的影响而给予修正。     

半导体光放大器对超短光脉冲放大过程中载流子寿命的变化

修正了人们在研究半导体光放大器对光脉冲的放大这一动态过程中把载流子寿命取为常数这一处理方法。通过考虑放大器中载流子的复合机制，提出了一个可研究载流子寿命变化的模型。数值计算的结果表明，在半导体光放大器对超短光脉冲进行放大这一动态吕，载流子寿命变化明显，且与输入脉冲的形状有关。     

基于相移法的直流測量半导体內非平衡载流子寿命

应用相移法测量半导体内非平衡载流子寿命是近年来采用较多的方法。当一矩形半导体样品受一调幅光j=j_0+j_0’sin(ωtf+Ψ)照射,且同时通以恒定电流时(图1),样品两端产生一交变电压v_~=-v_0’sin(ωt+Ψ-φ),其中落后的相角φ满足以下关系:     

由MOS结构的瞬态响应确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法

在将表面产生速度看作常数的条件下,本文导出了MOS结构对阶跃电压瞬态响应曲线的解析表达式。从而提出了一种无需Zerbst图而能同时确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法。对一些样品进行了测量。计算结果表明本方法较之其它方法更为简便。     

半导体中载流子漂移速度与任意场强的一种解析关系

本文考虑在单谷能带半导体中,均恒电场对载流子分布函数的影响,采用平均自由程与载流子能量分布为玻耳兹曼分布的假设,在此基础上作相应的非简并态的经典统计,得到任意场强下漂移速度的极为简洁的_d(ε)表达式.该表达式对应的_d(ε)曲线与已知的精密测量的实验曲线吻合良好.     

半导体中调制光与电流间的相位检波及其在非平衡载流子寿命测量中的应用

本文闡述了半导体在同频率的交变光照、交变电流作用下产生直流电場的现象赋隽嗽搱鰪姷南辔涣槊粜?应用交变光照下光电导的已知关系引出了該相位灵敏电压(相位檢波电压)的表达式。对該現象的可能应用进行了討论,指出了作为通訊檢波应用的可能性,着重討論了应用特定情况下相位檢波电压的量测来确定半导体中非平衡载流子的寿命。分析和实驗表明,該一寿命测定方法有其显著的优点。给出了有关实驗設备及初步实驗結果。与分析比较有良好的吻合。     

一种简便的μ子寿命测量实验设计

设计和研制了一种简便的宇宙线μ子寿命测量的实验装置.该装置采用大面积闪烁体探测器,利用可编程逻辑阵列(field program mable gatearray,FPGA),并通过电子学脉冲计数法,实现对宇宙线μ子的衰变寿命测量.测量结果与文献中给出μ子寿命精确值比较,误差小于3.5%.该实验原理及测量方法简单,测量条件要求不高,可用于大学物理实验教学.相关实验方法也可应用到其他一些粒子寿命及时间测量的实验中.     

一种改进型脉冲重复间隔测量系统

脉冲重复间隔(PRI)是雷达信号的重要参数之一。分析了脉冲计数法在脉冲重复间隔测量中的实现方法,指出了该方法中存在的三种主要误差,阐述了改进型脉冲计数法在脉冲重复间隔测量系统中的应用。     

一种双脉冲泵浦的激光电源控制电路

给出一种泵浦YAG激光器电源,它包括一个简单、可靠的电压控制单元和具有谐振充电网络的双脉冲泵浦系统,这种电路具有电压可调范围大和重复率可调的优点,分析了控制电路的特点,并给出了试验装置。     

量测半导体中非平衡载流子寿命的光—电流相位检波方法

本文提供了利用調制光与电流間的相位检波来测定半导体中非平衡載流子寿命的实驗装置。对这样一种新的寿命测量方法作了肯定的实驗驗証,分析了两种实驗装置的优缺点。对調制光源自身弛豫时間給予测得寿命值的影响进行了討论,有关实驗结果与分析有良好的吻合。通过有关实驗証实了本文所闡述的方法具有测量重复性好、精确度高、有较宽广的測量范圍、設备简便等显著特点,既宜于进行复合研究,也适用于器件与材料生产中的样品檢驗。     

巨正则法对硅半导体中载流子数的计算机模拟

将巨正则系综的Fermi-Dirac(F-D)统计法与计算机模拟相结合,从本征半导体硅出发,探讨温度和光照能量对载流子数的影响,试图从理论上定量分析太阳能电池工作状况,对本征硅半导体中载流子数进行计算机模拟,模拟结果与理论规律基本吻合,此方法可为进一步研究掺杂半导体及氧化物半导体空间电荷层载流子数提供参考。     

一种修改的双权函数法

将两个负指数型函数之差所构成的函数类取作权函数。在确定权函数的参数时,主要考虑了两个因素：（a）权函数与样本容量的关系,以反映样本信息量大小在选择权函数中的作用;（b）对样本系列中排位在中上部的点据给予较大的权重。对P－Ⅲ型总体分布,本文提出的权函数能使σ和Cs的估计由原方法的二阶加权中心矩降低为一阶加权中心矩估计。统计试验结果表明,修改后的双权函数法无偏性方面优于矩法,有效性与矩法相当;与PWM法的部分结果对比表明,两者统计性能接近。     

一种S-N曲线移动法的寿命分析模型

通过不同应力水平下的全场疲劳试验，测得材料的剩余强度，并拟合成函数曲线，在S－N曲线可由对数或双对数方程表达的情况下，由剩余强度函数和后继加载参数确定出剩余S－N曲线上的两点，从而确定剩余S－N曲线。这种S－N曲线移动法是由S－N曲线的平动加绕后继加载点的转动构成的。该寿命分析模型能很好地反映加载的顺序效应。研究结果表明，二级和三级加载试验与预测寿命较接近，说明该模型基本符合实际。     

一种应用于反射表面厚度测量的新方法

讨论了垂直入射与斜入射两种方式的主动式三角法的测量原理,提出在被测物面为反射表面的情况下,用斜入射主动式三角法进行距离和厚度的测量．分析了被测物表面细节形状的变化对测量结果的影响,以及在厚度测量时消除这种影响的方法