a－Si：H和a－SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于，（３）在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

a—Si：H和a—SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣ＂ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明（１）杂质激活过程中伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于ｅ＾－Ｒｋ／ＫＴ，（３）在高温区掺杂效率达到－饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

非晶硅磷掺杂效率分析的新方法

介绍一种分析ａ－Ｓｉ掺杂效率的新方法。该法能够很好地解决ａ－Ｓｉ全掺杂范围内掺杂浓度和掺杂效率的计算问题，简便易行，为ａ－Ｓｉ掺杂性能研究和器件设计制造提供可靠的掺杂浓度和掺杂效率值。     

掺杂元素物态对PTC材料性能的影响

研究了Ｙ－Ｓｂ，Ｌｉ－Ｍｎ，Ｓｉ－Ａｌ等元素以固相或液相掺杂对正温度系数热敏电阻（ＰＴＣ）材料性能的影响。实验结果表明，Ｌｉ－Ｍｎ液相掺杂可以提高材料ＰＴＣ效应及耐压值；Ｓｉ－Ａｌ液相掺杂可降低材料室温电阻率，提高材料耐压值，Ｙ－Ｓｂ液相掺杂可以降低材料室温电阻率，但ＰＴＣ效应有所降低     

液态源掺杂对SnO2薄膜特性影响

在单晶硅片上生长ＳｉＯ２绝缘层，再用蒸发的方法在ＳｉＯ２层上淀积超微粒ＳｎＯ２薄膜．采用液态源扩散方法对ＳｎＯ２薄膜进行掺杂．实验表明，采用此法掺杂可精确控制掺杂浓度，此法工艺简便。可靠，使掺杂和热处理一次完成，掺杂后的薄膜气敏特性得到较大的改善．     

深掺杂Si反常电阻效应微型流量传感器

使用深掺杂方法在Ｓｉ材料中掺入金原子后,其电阻随温度Ｔ的变化关系由主要依赖于Ｔ＾－３／２项的浅掺杂材料变成主要依赖于ｅｘｐ（－Ｅ／ＫＴ）项的深掺杂材料,从而大幅度地提高了掺金Ｓｉ材料对温度的敏感性。在理论上深掺杂Ｓｉ材料比浅掺杂Ｓｉ材料对温度的敏感性提高了约１０００倍。用深掺杂方法制成的微型流量传感器特性的测量证明了以上理论。深掺杂Ｓｉ材料的应用不但提高了微型流量传感器的灵敏度,也大幅度地降低了其     

新型Si光电发射材料的激活技术及激活装置

介绍了新型反射式Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－ｃｓａｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ的激活技术．给出了新型Ｓｉ光电发射材料的逸出功、灵敏度及其稳定性并与Ｓｉ和Ｎａ２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的性能进行比较，简要讨论了影响灵敏度和稳定性的一些因素．叙述了为制备新型Ｓｉ光电发射材料所设计并加工的碱金属源、锑源、氯源及其激活系统．     

硅酸二钙活性的研究

硅酸二钙（Ｃａ２ＳｉＯ４简写为Ｃ２Ｓ）是硅酸盐水泥的主要成份，对硅酸二钙进行掺杂改性。可以影响Ｃ２Ｓ的微观结构，水化活性，烧成速度等．用正电子湮没技术研究了掺Ｎａ２Ｏ和Ｐ２Ｏ５的Ｃ２Ｓ正电子寿命谱，结果表明掺杂能增加Ｃ２Ｓ的微结构缺陷，使Ｃ２Ｓ烧成速度加快，水化活性增大．用正电子湮没技术Ｘ射线衍射线宽效应和扫描电镜等手段研究了不同燃烧条件下，Ｃ２Ｓ的中间体ＣａＯ的活性及其变化规律．结果表明，在快速烧成条件下的新生态ＣａＯ晶粒尺寸小，缺陷浓度高，ＣａＯ与Ｃ２Ｓ的活性也较高在硅酸盐水泥生料中掺杂和采用快速烧成工艺，可以增大硅酸盐水泥的烧成反应速度，有重要的实用价值．     

Bi（Ph，M）SrCaCuO体系的掺杂效应

Ｂｉ（Ｐｈ，Ｍ）ＳｒＣａＣｕＯ体系的掺杂效应卢亚锋，辛绵荣，罗长勋（陕西师范大学物理学系，西安ｎ００６２；第一作者，男，３０岁，助教）元素掺杂是探索高温超导电性机理和材料物理研究的重要途径之一．我们在Ｐｂ部分替换Ｂｉ的基础上，分别用Ｓｂ，Ｓｎ，Ｉｎ作...     

Sol—gel法合成Bi1.6Pb0.3Sb0.1Sr2Ca2Cu3Ox体系的超…

本文用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．３Ｓｂ０．１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系的高Ｔｃ超导原粉，对于不同的烧结时间，材料的超导性有不同程度的差异，并与同种方法合成的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系进行了比较。用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，在Ｂｉ系中掺杂Ｐｂ，同样会缩短烧结时间，促进高温相的形成，同时掺杂Ｐｂ，Ｓｂ，形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短。     

离子束医用生物聚合物材料改性研究

采用MEVVA源引出的金属离子对聚酯(PET)薄膜进行了离子注入,根据医用生物材料的需要,研究了提高高分子生物材料耐磨性、抗腐蚀性的途径及改善生物相容性的方法,并讨论了改性机制.     

nSi／pSi1—xGex／nSi晶体管直流特性数值分析

采用一维有限差分方法,对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变基区异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ｇｅ分布的Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的共射极电流放大系数图、Ｇｕｍ－ｍｅｌ图和平衡能带图;与Ｓｉ双极同质结晶体管（ＢＪＴ）的直流特性作了对比,结果表明基区中Ｇｅ的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ｇｅ分布与ｐ型杂质在基区－集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果．     

用彭宁离子捕集器产生并贮存H4^＋

通过反应Ｈ２＾＋＋Ｈ２→Ｈ４＾＋制备并存贮Ｈ４＾＋,存贮时间长达０．１ｓ量级,长于以前观测到的μｓ量级的稳定时间,处于基态的Ｈ２＾＋,Ｈ２有进行上述反应,强磁场可能有助于该反应。     

Penning阱离子谱分辨率的优化

根据Penning阱中存储和探测离子的原理,研究改善离子谱分辨率的有效措施,发现离子谱的分辨率与LC振荡回路的Q值、阱中离子的密度及LC回路的谐振频率有关.在本实验中,采用谐振频率为480kHz的LC回路,当Q在120左右,电子束流在40μA左右时,得到了较高分辨率的离子谱,为深入开展H+n (n≥3)离子的形成机制等问题的研究创造了更好的条件.     

离子注入材料改性用强流金属离子源

为满足离子注入材料改性研究和实际应用的需要。研制了一个金属蒸汽真空弧(简称MEVVA)离子源.这是一新型离子源种,它利用阴极和阳极间的真空弧放电原理由阴极表面直接产生高密度金属等离子体,经一多孔三电极系统引出得到强流金属离子束.该源脉冲工作方式,已引出Al,Ti,Fe,Cu,Mo和W等离子,脉冲离子束流强度为0.6～1.26A,Ti的平均束流强度已达10mA.引出束流大小与源的工作参数、引出结构和电压以及阴极材料有关。该源没有气体负载,工作真空度为3×10~(-4)Pa。     

强流离子束中单离子运动规律的模拟研究

运用多粒子模拟程序（PIC）,对初始分布为K-V分布的离子束中的单离子在束晕控制前后进行模拟跟踪,结果发现,单个离子的运动虽然复杂,但大体可以分成两种类型.其中一类与束晕的形成关系密切.采用非线性反馈控制法,可以将这类离子的运动限制在核区内,因而使束晕得到有效控制.     

50型MEVVA源离子注入机

详细介绍了50型强束流、大束斑MEVVA源注入机的结构和各项性能.50型MEVVA源注入机是北京师范大学低能核物理研究所于九五期间承担的"八六三"计划项目"先进离子束注入技术的工业应用"所取得的成果,是专用于工业生产的MEVVA源离子注入机.     

一台400keV离子注入机的光路设计

本文给出了一台400keV离子注入机的物理设计总体方案。根据设计指标,详细计算了该机主要部件的参数。经调试,各项指标达到设计要求。     

离子色谱分析高浓度基体离子的影响及其消除

本文综述离子色谱分析试样中存在高浓度基体离子对其它微量组分测定的影响及消除方法。