一类带洞的广义平衡竞赛设计的存在性

证明了：对每一个正整数u≥4,一个HGBTD（3,3^u）存在．     

型为gn的MGDDλ(3,4,ng)的存在性

可分组3-设计是一类重要的组合设计,在3-平衡设计的研究过程中起着重要作用.Mendelsohn型可分组3-设计是可分组3-设计的一种有向推广形式,它在研究有向3-设计时有重要应用.研究了Mendelsohn型可分组3-设计的存在性问题,通过直接构造与递归构造相结合的方法,证明了:型为gn的MGDDλ(3,4,ng)存在的充要条件为λn(n-1)(n-2)g3≡0(mod 4)且n≥4,除去n=5,λ≡1(mod 2),g≡1(mod 2).     

区组大小为3和4的单纯二重可分组设计的存在性

讨论区组大小为3和4的单纯二重可分组设计的存在性问题，即对k=3和4，证明了单纯(k，2)-NGDD(t^u)存在的必要条件也是充分的．     

型为2~nμ~1的带洞自正交拉丁方当n≡0（mod4）时的存在性

本文证明了当ｎ≡０（ｍｏｄ４）且ｕ≥２时，型为２~ｎｕ~１的带洞自正文拉丁方存在的充分必要条件为ｎ≥ｌ＋ｕ．     

{3,4*} -PBD的存在性

主要解决{3,4^＊}-PBD的存在性问题。当且仅当：（1）v≥4;（2）v=0,1（mod3）且v≠6,7,9时,即{3,4^＊}-PBD存在。     

不同指数的区组长为5的1-BSEC的存在性

主要讨论区组长为5的1-BSEC的构造方法和存在性. 解决了遗留的k=5,λ=4时的可能例外值. 进而完全证明了1-BSEC（v,5,4）存在的充分必要条件,并且给出了k=5,λ=2,5,10时的一些存在性.     

K2,2s-设计的存在性

λKv是一个λ重v点完全图,G为一个不带孤立点的简单图,λKv的一个G－设计,常记为（v,G,λ)-GD,是指一个对子（X,B）,其中X为Kv的点集,B为Kv的一些子图（亦称为区组）构成的集合,使得任一区组均与图G同构,且Kv的任意2个不同点组成的边恰在B的λ个区组中出现,用统一的方法构造了K2,2^s-设计,并给出其存在谱,存在（v,K2,2^s,λ）－GD当且仅当。     

型为44的OGDD的同构分类

正交可分组设计是一个四元组(X,Y,A,B）,其中X是一个点集,Y是X的一个划分(称为组集),A和B是两个不交的三元子集簇,满足对不在同一组的任一点对{x,y}恰好出现在A的一个三元集中,也恰好出现在B的一个三元集中．进一步有(a)如果{x,y,a}∈A且{x,y,b}∈B,那么a和b不在同一组,且(b)如果{x,y,z},{u,v,z}∈A且{u,v,b},{x,y,a}∈B,那么a≠b,在这篇文章中,将证明只有一个型为4^4的OGDD的同构类．     

可分解不完全可分组设计的存在性

可分解不完全可分组设计(Resolvable Incomplete Group Divisible Design或IRGDD)被广泛地用于构造其他组合设计中.在该文中,我们证明了除u=6且m≡n≡0(mod 2)外,一个型为(m,n)u的3-IRGDD存在的必要条件也是充分的.     

区组长为4的自反有向平衡不完全区组设计

如果从一个有向平衡不完全区组设计DB(k,λ;v)(X,B)到(X,β-1)之间存在一个同构映射f,则这个DB(k,λ;v)被称为自反的,记为SCDB(k,λ;v)(X,β,f),其中β-1={B-1:B∈B},当B=(x1,x2,…,xk-1,xk)时B-1=(xk,xk-1,…,x2,x1).本文主要证明了SCDB(4,λ;v)存在的充分必要条件是λ≡1,2(mod 3)时,v≡1(mod 3)且v≥4,(v,λ)≠(7,1);λ≡0(mod 3)时,v为≥4的任意整数.     

两类自反有向平衡不完全区组设计的存在性

给出了一个递归构造，并且应用这个递归构造给出了区组长为4，v≡2（mod12)和v≡6（mod 12)的SCDB（4，3；v)；这相当于上述两类结构存在性的证明。     

利用垂直阵列构作Cartesian认证码

利用垂直阵列构作了一个cartesian认证码,计算了它的参数.当编码规则按等概率分布选取时,求出了模仿攻击和替换攻击成功的概率.     

铁钴合金纳米线有序阵列的制备及其磁性表征

用电化学法制备了高度有序的多孔阳极氧化铝（AAO）模板，选摩尔比为1：1的CoSO4和FeSO4混合溶液为电解液，用交流电化学沉积法在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备Fe0.5 Co0.5合金磁性纳米线有序阵列．分别用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射仪对多孔氧化铝模板和纳米线阵列的微观形貌和结构进行分析，用振动样品磁强计（VSM）对样品的磁学性能进行测试．结果显示，制备的磁性合金纳米线表面光滑、均匀，纳米线中的晶粒在生长过程中有（200）晶面的择优取向．VSM测试结果表明，纳米线阵列结构具有较高的垂直磁各向异性，当外场沿纳米线轴向磁化时，纳米线阵列有很大的剩磁比（Mr／Ms=0．7）和很大的矫顽力（饱和Hc=1700 Oe），说明样品经适当热处理后，剩磁比和纵向矫顽力普遍得到提高．     

反正切垂直磁化MR头读出波形的理论分析

目前温式磁盘机的位密度已达20kbPI～50kbPI;道密度可达1000TPI～2000TPI.进一步提高面密度特别是道密度还有很大的发展潜力,但一个主要障碍在于传统的感应式磁头读出的信号的信噪比随着道密度的进一步提高而过分微弱,MR头是能满足高密度记录的新型磁头.磁阻材料用于磁头中检读信号首先是由Hunt提出的.近几年来,国外对MR头的实用化进行了许多研究.而到目前为止,国内尚未研制出实用的MR头.本文对数字磁记录中MR头的读出过程进行了理论分析,为MR头的研制提供了一定的理论依据.     

强度m的对称正交表构造的新结果

对于给定的一个对称正交表K1,通过对正交表的行进行分析,提出了一个构造正交分划{K1,K2,…,Kqk}的方法,得到的这个正交分划可以直接用于高强度对称正交表的构造,在一定条件下还讨论了正交分划中正交表的强度.在此基础上,对已有的高强度对称正交表的递归构造方法做了进一步推广,给出了一个新的对称正交表的构造方法.最后,还给出了一些实例.     

型为2^n的frame自正交Mendelsohn三元系

研究了frame自正交Mendelsohn三元系的存在性问题,证明：除n=34,46外,当n≡1(mol3）时,型为2^n的frame自正交Mendelsohn三元系是存在的。     

6长圈带2条悬边的8阶连通图的图设计

构造了所需的带洞图设计, 再结合一些小阶数的图设计的存在性, 得到了关于图Gi (i=1,2,3,4)的图设计(v, Gi ,1)-GD的存在谱, 其中图Gi (i=1,2,3,4)是给6长圈增加2条悬挂边所得的8阶连通图, 且G1, G2, G3, G4互不同构.