PDP扫描驱动芯片的新型200VP沟功率MOSFET及工艺研究

提出了一种适合PDP扫描驱动芯片的高压P沟道ED-LDMOS器件结构,源漏击穿电压及栅耐压均达到220V以上.通过添加P型扩展阱,能够有效降低P+漏极边缘电场60%,减轻漏极电流汇聚效应,抑制寄生双极型晶体管开启,从而原器件开启态耐压(180V)提高了40V;同时设计了能与0.6μm标准低压CMOS工艺完全兼容的制备工艺,特别提出一种厚栅氧与多晶栅的刻蚀方法——余量刻蚀法,有效防止由于光刻误差引起的栅源短路击穿.     

窄栅效应的二维数值分析

在MOS器件的二维窄栅效应(NGE)的数值分析中;引入了迁移率模型.改进了chung-Sah的常数迁移率近似的结果.发现其电导曲线的斜率随棚压增大由增加变为减少;其阈值电压的窄栅效应变化比常数迁移率时的大,并提出了新的窄栅效应阈值电压模型公式.当从实验上或二维计算中已知一个窄栅器件以及宽栅器件的电导——栅压特性后,就可推知其它栅宽器件的阈值电压.此模型公式用二维计算值及实验值进行了验证.     

砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究

本文采用中频衰减法和微带测试电路.测量了超高频应用的低噪声GaAs双栅肖特基势垒栅场效应晶体管(以下简称GaAS双栅MESFET)的最小噪声系数NF_min、相应功率增益G_a和增益控制量G_R,借助网络分析仪测量了S参数.测试表明,1GHz下最佳噪声系数NF₀为0.8dB,而G_a、G_R可达11.5dB和48dB,在0.5~2GHz频带内,器件处于稳定工作状态.     

硅与反应溅射二氧化硅界面特性的研究

本文对反应溅射SiO₂薄膜作了红外光谱研究,发现反应溅射法所获得的SiO₂薄膜中,硅与氧的反应并不完全.我们认为这是造成它与硅之间界面态密度升高的原因之一.为了改善Si与反应溅射SiO₂薄膜的界面特性,将溅射在硅片上的SiO₂薄膜,在含CCl₄的气氛中于950℃温度下进行氧化与退火处理.结果使Si-SiO₂的界面特性大大改善,对于n型(100)晶向的硅片其界面态密度下降到5.3×10¹⁰cm^-2·V^-1.以此SiO₂薄膜作为栅,成功地制出了MOS场效应晶体管.     

一种基于TL431输入过压保护电路的应用

设计一种基于TL431过压保护电路应用在直流风机领域,利用TL431的内部高精度基准电压和误差放大器提供稳定参考电压,控制TL431的阴极电压值,即电路中MOS管栅源电压值,从而实现输入过压时保护风机安全性,且针对风机为感性负载电流不能突变的特性,电路采用续流二极管实现MOS管断开时的风机能量吸收电路．该电路具有简单可靠、重量轻、响应速度快、效率高、电磁兼容性良好等特点．同时,通过实例分析和实验,验证了该保护电路的可行性．     

全桥逆变电路中IGBT电压浪涌产生的机理分析

通过对全桥逆变电路工作过程的分析,认为高频变压器中的漏感、吸收回路中的电感,以及续流二极管在IGBT关断瞬间不能及时导通续流是绝缘栅双极型晶体管IGBT电压产生浪涌的根本原因;指出在保护电路中选取适当的电阻和电容值,减小变压器漏感,降低吸收回路电感是控制IGBT电压浪涌的有效方法;最后给出的实验验证了所提方法的正确性.     

基于SILVACO的铁电场效应管性能分析

针对铁电器件制备过程中,由铁电材料对工艺的敏感性导致铁电器件难以进行系统研究的困难,提出了应用SILVACO软件以铁电材料的实际测试结果为仿真基准,通过材料参数有限且系统的变化,研究不同的材料参数对器件性能的影响的研究方法.通过应用该仿真方法研究基于PZT栅极材料的MIFIS结构的铁电场效应晶体管的最佳漏极电流与铁电栅...     

溅射压强对WSe2纳米薄膜形貌及光电性能的影响

采用射频（RF）磁控溅射技术在Si（100）衬底上制备WSe₂纳米薄膜，研究在不同制备压强（2.0、2.5、3.0 Pa）下WSe₂纳米薄膜的形貌及光电性质变化.采用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、光致发光谱（PL）、霍尔效应等测试对薄膜样品进行基本性质表征.SEM测试结果表明：溅射压强的改变对薄膜形貌有显著影响，随着压强的增加“蠕虫”状结构更加明显.进一步研究WSe₂的生长取向，XRD测试结果表明WSe₂薄膜在（008）晶面优先生长，证明压强的不同会改变WSe₂的晶体结构，提高其结晶性和光吸收特性.此外电学性能测试表明，WSe₂纳米薄膜的载流子浓度和霍尔系数可以通过改变压强来调节.体现了磁控溅射技术制备的WSe₂具有可控性好，易于重复等优点，在构建多功能WSe₂器件领域中具有很好的应用前景.     

高压功率VDMOST的SPICE直流模型

基于高压VDMOST的物理机理和特殊结构,详细分析、推导了漂移区电阻、埋层电阻、内部节点电压及内部耗尽层宽度随外加偏压变化而变化的情形;采用数值计算的方法,建立了较精确的高压六角型VDMOST三维物理模型,进而提出了VDMOST的直流(DC)等效电路模型.该模型由level3 NMOS管、控制源、电容等元件组成,较准确地模拟了高压器件的特性.与以往文献的结果相比,该模型物理概念清晰,准确性高,避免过多工艺参数引入的同时,简化了等效电路.将该模型嵌入SPICE进行仿真,得到了全电压范围内连续的I-V特性曲线,与实际测试结果相比,误差接近5%.     

钇掺杂氧化铪薄膜的铁电与非线性光学性能研究

铁电材料在铁电动态随机储存器、铁电场效应晶体管、铁电隧穿结和负电容器件等领域得到研究者的广泛关注近年来,铁电二氧化铪(HfO2)材料由于具有CMOS兼容性、高介电常数、宽带隙等特点成了研究热点该文使用脉冲激光沉积技术制备了钇掺杂铁电二氧化铪（HYO）并研究了其铁电和疲劳特性,指出薄膜的疲劳是由束缚在浅势阱中的注入载流子造成的畴壁钉扎效应引起进一步研究了60Co γ 射线对HYO薄膜铁电存储性能的影响,发现薄膜的抗辐照能力优于传统的铁电材料最后,研究了基于HYO薄膜的非线性光学效应,计算出的HYO薄膜的二阶非线性系数为χ(2)=（6.0±0.5） pm/V这些研究为铁电HfO2薄膜在存储和非线性光学领域的应用奠定了基础     

光源频率漂移对光纤速度干涉仪测量精度的影响

本文讨论了在光纤速度干涉仪中,光源频率漂移对测量精度的影响,认为当被测物体速度变化较大时,光源可以不采取稳频措施。这对于要求大功率光源的漫反射表面速度变化的测量极为有利。     

基于DPAVBi的蓝绿光有机电致发光器件

制备了结构为ITO／NPB（40nm）／DPAVBi（znm）／Alq,（30nm）／LiF（0．5nm）／AI的蓝绿色OLED器件．通过改变DPAVBi的厚度,研究其对器件性能的影响．当DPAVBi层厚度为20nm时,器件的性能较好．在电流密度为38．79mA／cm。时,效率为3．32cd／A;在电压为21V时,亮度为8296cd／m。．而且,随着电流密度的增加,四个器件的效率曲线变化非常平缓,说明器件的电流荧光湮没性较弱．当驱动电压从10V增加到21V时,器件的色坐标从（0．27,0．48）变化到（0．25,0．45）,始终处于蓝绿光范围内,色度变化很小．     

电荷共享效应的RESURF横向功率器件击穿电压模型

分析降低表面场(reduced surface field, RESURF)横向功率器件耐压机理,假定共享区电荷沿对角线分配给横向和纵向耗尽区,建立了一个新的RESURF横向功率器件击穿电压模型. 该模型能准确描述漂移区全耗尽和不全耗尽情况下的耐压特性,并具有数学表达式简单以及物理概念清晰的优点. 在此基础上,导出了一个新
的RESURF判据,进而给出了一个用于指导器件设计的漂移区剂量上下限. 解析结果与实验结果吻合较好,验证了击穿电压模型和RESURF判据的正确性.     

Ad Hoc网络中基于信道状态的速率自适应机制

针对多跳Ad Hoc网络,给出了一种兼顾分组碰撞和信道误码的饱和吞吐量解析式,基于此提出一种速率自适应机制.该方案支持多个速率,能够根据信道状态,以最大化饱和吞吐量为目标,选择最优的数据分组长度和数据分组发送速率.仿真结果表明,该方案在饱和吞吐量和抗信道衰减方面性能优于OAR和不同速率模式下的802.11 DCF.在信道衰减较剧烈时,性能与802.11 DCF 1 Mbps相比提高260%,与OAR相比提高10%.     

WLAN中基于信道预测的自动速率选择机制研究

提出了采用线性AR模型信道预测技术来提高IEEE 802.11中自动速率选择机制性能的方法,克服了检测RSS和发送数据帧之间的时间差影响.在发送端,根据历史接收帧的RSS值来估计当前帧发送时接收端的RSS水平,并结合发送帧长度和帧重传数来进行最佳发送速率的选择.对AR模型预测算法的步长选择进行了分析,在NS2网络仿真软件的TwoRayGround和Ricean信道模型下进行了仿真.仿真结果表明此机制比无预测机制提高了7%~30%的平均吞吐量水平.     

3-流形相对亏格的可加性

设M为一个紧致连通可定向的3-流形, M=F1∪F2为 M的分支的无交并.M的一个Hee-gaard分解V1∪SV2称为是一个相对于(M;F1,F2)的Heegaard分解,若 _V1=F1且 _V2=F2.用g(M;F1,F2)来表示M的相对于(M;F1,F2)的所有Heegaard分解中的最小亏格,称之为M的相对于(M;F1,F2)的Heegaard亏格(或简称为M的相对亏格).证明了3-流形的相对亏格在连通和下是可加的.     

一种硅基顶发射有机发光器件

本文制作了一种硅基顶发射有机发光器件．采用紫外表面处理的金属银作为阳极;超薄的铝／银作为半透明的复合阴极;4,4′,4″-tris{N,-（3-methylphenyl）-N-phenylamin}triphenylamine（m-MTDATA）作为空穴注入层;N,N′-bis-（1-naphthyl）-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine（NPB）作为空穴传输层;tris（8-hydroxyquinoline）aluminium（Alq）作为发光层．器件在3V下开启,开启亮度为3cd／m^2;在11V达到最大亮度19610cd／m^2;在6V时达到最高效率2．7cd／A．     

红麻微卫星DNA的分离

分别采用RAPD、锚定PCR和磁珠捕获等3种方法富集含微卫星序列的红麻基因组DNA片段,并连接到pMD18-T载体,构建基因组文库.然后以通用引物M13F,M13R和根据微卫星核心序列所设计的引物[VRV(CT)12或VRV(TG)12],用PCR方法直接对文库筛选,并将获得的阳性克隆进行测序.分别从RAPD,锚定PCR和磁珠捕获3种富集方法构建的基因组文库中获得6,23,19个微卫星位点.     

某些RCo5和R2Co17化合物的R3+离子磁晶各向异性稳定能与温度关系的研究

1　引　言早在七十年代初期 ,Greedan和 Rao[1]用数值方法求解磁晶各向异性单离子模型最简单形式的哈密顿 ,给出了化合物晶场参数 B02 的符号 ( +号或 -号 )与该化合物的稀土次晶格的易磁化方向(易面或易轴 )的对应法则 ,用此法则 Greedan和 Rao成功地解释了 RCo5和 R2 Co17系列化合物的易磁化方向的实验事实 ,在可以忽略晶场参数高次项作用的情况下 ,此法则也适用于其它系列的强磁化合物 .在翟宏如、杨佳林、徐游三位教授的综述文章 [2 ]中比较详细地介绍了 Greedan和 Rao的这项工作 .Greedan和 Rao还计算了 RCo5( R=Pr,Nd,Tb,Dy,…