高居里温度PTC陶瓷制备过程中铅的挥发与控制

通过对3种不同工艺的研究，分析了高居里温度PTC材料制备过程中铅挥发的原因和机制，以及对材料电性能造成的影响。进而研究了氰化硼添加剂改善材料电性能和显微结构的原因，从而提出了控制材料制备过程中铅的挥发、优化材料性能的方法。     

高性能、高居里温度压电陶瓷研究进展

随着现代科学技术的发展,迫切需要能够在更高的温度下工作的新型压电陶瓷材料及其器件.作者介绍了高性能、高居里温度压电陶瓷材料的研究进展,认为高性能、高居里温度压电陶瓷的研究应当着重在陶瓷体系的MPB附近进行研究,在(1-x)Bi(Me)O3-xPbTi O3(Me=Sc,Ta,Ga,Yb,In)基和(1-x)Li NbO3-x(Na,K)(NbyTa1-y)O3基陶瓷材料体系中可望发现新的高性能、高居里温度的压电陶瓷体系.     

Ga3+取代Sc3+对BSPT64高温压电陶瓷的性能影响

基于0.36BiScO_3-0.64PbTiO_3(BSPT64)高温压电陶瓷体系, 引入Ga_2O_3并通过传统固相反应法制备了 0.36[BiSc_(1-x)Ga_xO_3]-0.64PbTiO_3(x=0.001、0.003、0.005、0.008、0.01、0.015、0.02)系列压电陶瓷.X射线衍射分析表明Ga~(3+)取代B位的Sc~(3+)不影响BSPT64体系的钙钛矿结构.通过对材料介电和压电性能的研究,发现在取代量x=0.01附近,BGSPT64x陶瓷的各项性能表现最优.BGSPT64-0.01陶瓷的压电常数d_(33)、机电耦合系数kp分别为510 pC/N和61%,剩余极化强度P_r和矫顽场E_c分别为49 μC/cm~2和21 kV/cm.研究表明,BGSPT64-0.01陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.     

熔渣中Zn、Pb挥发行为的对比分析

熔融工艺是目前处理工业粉尘及飞灰的有效方法.为了能够有效控制熔融工艺中Zn、Pb等重金属资源的分离回收,对比分析了Zn、Pb在含Cl的FeO-CaO-SiO2-Al2O3-Fe2O3渣系中的挥发行为.首先通过热力学计算分析了Zn、Pb在该渣系中可能的挥发气体种类,以及各因子如温度、熔渣成分、氧势和Cl含量等的影响.同时,对以上问题进行了实验研究.最终明确了分别提高Zn、Pb挥发分离效率的不同的技术措施和优化参数.     

香港沉积物氧化过程对铅的约束作用

本项研究通过了３２ｄ（天）的连续充气实验,探索硫含量变化对Ｐｂ的影响,结果表明：沉积物充气氧化过程引起ＡＶＳ的迅速减少,同时,Ｐｂ,Ｅｈ,ＤＯ,ｐＨ也发生了明显的变化趋势。     

真空感应熔炼过程中微量Bi的挥发

研究表明，实验条件下向钢液中加入纯铋时铋的收得率为７．５４％。钢液中铋的军发过程受液／气界面的挥发反应及液相边界层中的扩散混合控制，共传质系数Ｋ２３在１０＾－２ｃｍ／ｓ数量级；实验得出了Ｋ２３值及钢液中铋浓度的经验计算公式；还探讨了熔渣覆盖对钢液中的铋挥发的影响。     

影响铅同富里酸络合容量测定的因素

对内蒙古地区天然水中有机配体与铅的表观络合容量（Ｃ．Ｃ）进行了阳极溶出伏安法（ＡＳＶ）测定,并计算总条件稳定常数（Ｋ）和络合容量指数（Ｉ）;对电极的互性关系和重现性,络合平衡时间、ｐＨ等因素做了半定量讨论。     

铅电解过程中电化学参数的在线控制

研究了柏兹法铅电解阴极活性过电位在线检测的原理和方法．根据该技术，可以确定在某种杂质浓度下，使电流效率最高、阴极析出状态最好的最佳添加剂浓度，从而在线控制铅的阴极过程．此外，对铅阳极的物理冶金和阳极泥的电化学行为进行研究，结果表明，为了提高阳极泥在阳极的附着力，必须将阳极中某些元素（主要是砷、锑和铋）控制在一个较窄的成分范围内，同时还需控制阳极铸造时的凝固速度．     

生物质闪速热解挥发与温度的关系

分别在750K,800K,850K,900K温度下,对几种典型生物质材料在层流炉上进行了闪速热解挥发实验,利用灰分示踪法测定了挥发百分比,根据实验结果,分析了温度与生物质挥发百分比的关系,结果表明,挥发百分比与温度存在着一定的函数关系,为进一步研究生物质闪速热解液化提供了一定的理论基础。     

片式PTC热敏电阻瓷片再氧化工艺的研究

以乙酸钡(Ba(CH3COO)2)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)和硝酸钇(Y(NO3)3.6H2O)为原料,采用溶胶-凝胶法制备掺1.6%(质量分数)施主钇(Y)的钛酸钡nm粉体.用此粉体制备叠层片式正温度系数热敏电阻(PTCR)用瓷片,其中用氮化硼(BN)和钛酸钡作为玻璃相原料.利用流延方法成型,流延生胚在体积分数为97%的N2和体积分数为3%的H2的还原气氛下烧结成瓷.通过采用不同的再氧化温度和时间去氧化烧成的瓷片,研究再氧化工艺对正温度系数(PTC)瓷片电性能的影响.结果显示:室温电阻率随再氧化温度的升高先增加后减小,而PTC效应逐渐增加;室温电阻率随再氧化时间的增加会出现一个最小值,再氧化时间对PTC效应影响不大;样品的耐压值随着再氧化温度或时间的增加而增大.     

PTC元件及其在电气控制线路中的应用初探

PTC元件是一种特珠的正温度系数的热敏电阻元件,其阻值一温度特性具有“延时断开”特性。可以在一些电气控制线路中取代时间继电器,从而简化线路,提高可靠性。给出了PTC元件的应用实例,探讨了应用时的一些问题。     

陶瓷与有机PTC热敏电阻高频特性研究

简述了陶瓷PTC热敏电阻和有机PTC热敏电阻的特性，介绍了2类PTC热敏电阻的PTC效应原理，并就2类PTC热敏电阻高频特性结合试验测量结果进行了分析，陶瓷PTCR采用的测试信号频率为10kHz-10MHz，有机PTCR所采用的测试信号频率为10kHz-6GHz，结果表明有机PTCR较陶瓷PTCR有良好的高频过流保护特性，这说明有机PTCR更适合用于高频过流保护。     

PTC功能陶瓷材料制备及其影响因素研究

采用双施主分别以固、液相掺杂制备高性能 PTC功能陶瓷材料 ,并且试验了成型压力、组成和烧结温度等因素对 PTC陶瓷材料性能的影响。采用国产原料试制出室温电阻率≤ 1Ω· m,电阻温度系数αT 为 1 5%·℃-1,耐压值≥ 2 50 V· mm-1的 PTC陶瓷材料。     

PTC现象的理论研究进展

分析了解释PTC现象的几个经典的理论模型，概要介绍了PTC理论及其相关理论研究的进展情况。     

MnO_2掺杂钛酸钡基PTC陶瓷的电子结构及其电性能研究

为提高钛酸钡基PTC陶瓷的升阻比(ρmax/ρmin),采用固相反应法制备了以Y2O3为施主杂质,不同含量的Mn O2作为受主杂质的钛酸钡基PTC陶瓷样品;应用第一性原理方法计算了样品的能带结构、电子结构和Mn掺杂的形成能;测量了样品的正电子湮没寿命谱和电性能。计算结果表明:钛酸钡材料的价带顶和导带底分别位于特殊K点中X(0,0.5,0)点和Γ(0,0,0)点,属间接带隙,禁带宽度为1.59 e V;从形成能结果来看,Mn进入钛酸钡基陶瓷结构后会取代Ti位置。实验结果显示,随着Mn O2掺杂量的增加,样品晶粒内部的自由电子密度增大,陶瓷的晶界缺陷浓度增加,室温电阻率增大。Mn O2含量为0.03%mol的样品的升阻比最大,达到1.1×105,即掺入少量的Mn O2可明显改善钛酸钡基PTC陶瓷的升阻比。     

聚乙烯—炭黑复合材料PTC特性的研究

主要研究了两种炭黑和不同聚乙烯对聚乙烯炭黑复合材料的电导及ＰＴＣ特性的影响，测量了复合体系的伏安特性．试验结果表明，使用炭黑Ｂ时复合材料的ＰＴＣ特性不明显，复合体系的电导机理主要为隧道效应．用相变模型可以较好地解释ＰＴＣ和ＮＴＣ现象．     

PTC型阳离子聚合物在粘土表面吸附性能的研究

本文研究了PTC型阳离子聚合物在安丘土,高岭土上的吸附等温线,实验结果表明,PTC在粘土表面呈现多点吸附的形式,实验还确定了PTC在不同粘土表面上的最佳吸附平衡浓度。     

施受主杂质Nb,Mn共掺BaTiO_3陶瓷的制备方法及其PTC特性

采用固相法制备施主杂质 Nb和受主杂质 Mn共掺的 Ba Ti O3 陶瓷 ,应用固体物理的无序系统理论解释了 Ba Ti O3 陶瓷的半导化机理 ,并以此为指导选择了较合适的施主 Nb的掺杂量。讨论了受主杂质 Mn的摩尔浓度与陶瓷 PTC性能的关系