面向21世纪的世界集成电路工业

1958年世界上第一块采用全平面工艺研制的硅集成电路(IC)问世，由此揭开了人类社会进入“硅器”时代的序幕。30多年来IC技术的发展迅猛异常，已经完成了小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)的发展阶段．目前正在进入特大规模集成电路(ULSI)时代。表1表示的是被誉为“IC工业技术激励器”的动态随机存储器(DRAM)的发展历程和趋势。     

中规模集成电路功能的扩展问题

伴随着电子、通信、计算机、互联网等技术的飞速发展,各种功能的半导体集成电路(简称IC)不断地推陈出新,从小规模、中规模、大规模到超大规模,集成电路产品用途越来越广泛.如何正确认识和使用IC是大家经常遇到的问题,本文以各种数字系统中常用的中规模集成电路(MSI)芯片为例,分析其功能的扩展和灵活使用问题,从而更好地发挥MSI的作用.     

中国集成电路现状

目前全球集成电路(IC)技术已经渗透到国防和国民经济的各个领域，成为世界第一大产业。简述了国外IC技术的发展历程，分析了我国生产与制造IC芯片的现状与发展前景。     

可编程逻辑器件的发展概述

数字集成电路经历了从小规模集成电路(SSI)，中规模集成电路(MSI)，大规模集成电路(LSI)，和超大规模集成电路(VLSI)的发展过程。PLD器件由早期的可编程只读存储器、可编程逻辑阵列、可编程阵列逻辑、通用阵列逻辑发展到复杂可编程逻辑器件和现场可编程门阵列。PLD器件使数字系统的设计更加便利和高效，FPGA／CPLD和ASIC融合的趋势也越来越明显。     

一靠人 二靠技术——访三井工作所侧记

当今世界已进入了电子技术的时代。堪称“电子工业粮食”的集成电路(IC)的规模和产量,是衡量一个国家电子技术水平的重要尺度。仅就产量而言,美国占世界总产量的70%,居首位,日本相当于美国的四分之一。但是,美国生产集成电路用的基础元件——引线架,近70%是由日本一家小企业生产的。这就是我要向大家介绍的三井工作所股份公司。     

成果集锦

本市自主设计开发出国内首枚硅基液晶(LCOS)微显示集成电路(IC)芯片,在IC芯片设计、液晶封装等关键技术上达到国内领先水平,结束了第一大支柱产业——信息产业无“津芯”的历史。目前,本市正将此“芯”应用于多种微显示数字产品,形成了从芯片设计、LCOS生产到显示数字产品的集成电路产业链。 信息产业已成为本市第一大支柱产业,但作为信息产业产品的核心,IC芯片设计,包括IC芯片的显示模块等关键技术和部件均掌握在国外少数公司手中,使信息产业链上游发展中缺少了自主研发这一重要环节。为此,市科委设立了IC芯片设计科技专项。经过3年科技攻关,南开大学承担的“LCOS新型显示器件中的关键件及系统研究”取得突破,设计出国内第一枚用于LCOS微显示的IC芯片。LCOS微显示技术能广泛应用于高清晰度投影机、高清晰度背投电视及计算机监示器、手机、虚拟电子游戏机等众多     

我国集成电路产业发展现状和建设思路

实践证明，世界上凡是工业发达的经济强国都是集成电路(IC)产业强国。美国、日本等国通过发展集成电路产业带动了消费类电子工业、计算机工业、电信工业等相关工业的发展，从而对世界经济产生了深刻的影响；亚洲经济四小龙韩国、新加坡以及中国台湾、香港     

高精度大尺寸硅晶片的双面研磨抛光机改进设计

随着IC设计技术和制造技术的发展和进步,集成电路芯片的集成度在不断提高,芯片密度呈指数增长趋势。硅晶片作为集成电路芯片的主要材料,尺寸越来越大。在分析国内双面抛光机典型机型原理和特点的基础上,针对运用于大尺寸甚至是直径400 mm的硅晶片,提出高精度双面研磨抛光机在机械结构和控制系统等方面的改进措施,很好地解决了国内目前对大尺寸硅晶片加工难、加工精度不高等难题。     

离子注入在集成电路和超大规模集成电路中应用的现状、问题和建议

前言从国际上近年来离子注入应用在IC特别是VLSI中的一些迅速进展,联想到国内的差距和实际存在的一些问题,我想就“离子注入(I/I)在集成电路(IC)和超大规模集成电路(VLSI)中应用的现状、问题和建议”这个题目谈谈自己的见解,对离子注入为集成电路的发展,也许更好一些,不对之处,欢迎批评指正。     

电子设计自动化技术发展动态

电子设计自动化(Electronic Design Automatic,简称EDA)技术起源于集成电路(IC)技术和计算机辅助设计(CAD)技术的发展,随着集成电路技术和计算机技术的迅速发展,EDA技术已成为电子学领域的重要学科,并已形成一个独立的产业部门。它的兴起和发展,又促进了集成电路和电子系统的迅速发展。当前集成电路技术发展到了以深亚微米工艺为基础的ASIC(专用集成电路)时代。在ASIC时代,系统设计人员可以利用EDA工     

射频集成电路中的基片噪声耦合

集成电路（IC）中基片噪声耦合是由干扰信号形成的，这些信号引起寄生电流在硅基片中向集成电路各个部分流动，并且以电压和电流有害电涌的形式存在。这些有害电涌和寄生电流的来源可能是在同一芯片上高速数字时钟的开关噪声。     

高导热性能的氮化铝陶瓷的研究

随着集成电路．微型组件与大功率半导体器件生产的迅速发展，电子工业对高电气绝缘性能和高导热性能的陶瓷基板和封装材料的需求量日益增加。高频、高效IC(集成电路)越来越高度集成化，耗电量也越来越高。因此．解决器件散热的问题尤为急迫。     

一种16位存储器版图的验证与参数提取

随着集成电路的发展,存储器在IC(IntegratedCircuit)即"集成电路"中地位越来越突出.阐述了对一种16位存储器版图设计中的DRC(DesignRuleChecking)即"设计规则检查"和LVS(LayoutVersusSchematic)即"版图和电路比较"、以及RC寄生参数的提取.     

基于TSV的3D IC层次化物理实现技术

随着集成电路特征尺寸逼近物理极限,硅通孔（TSV）实现层间互连的三维集成电路（3D IC）成为延续摩尔定律的一种趋势.但现有集成电路设计工具、工艺库、设计方法尚不成熟,难以实现三维集成中超大尺寸基板芯片的时序收敛问题.为此,本文提出了一种利用现有传统的EDA工具完成基于TSV的3D IC物理设计的流程.首先,用热应力模型将三维硅通孔投影成二维阻挡层,从而将三维集成电路设计转化成若干含阻挡层的二维集成电路分别实现;其次,针对超大尺寸基板芯片的时序收敛困难问题,提出了一种标准单元布局方法,通过在版图中划定若干固定放置区用于限定关键时序单元的摆放,并迭代确定这些关键单元在固定放置区中的位置,实现大尺寸芯片的时序收敛.基于所提出的三维集成电路设计流程完成了一款三维集成的网络路由芯片基板芯片的设计,结果表明,相比传统的设计流程,提出的3D IC物理设计流程可使超大尺寸基板芯片从时序无法收敛优化到可收敛并满足时序要求,验证了所提出的3D IC物理设计流程的可行性.     

索尼公司经营谋略之管见

索尼公司是由盛田昭夫和井深大于1958年1月在“东京通讯工业株式会社”的基础上创立的。其创新产品主要是从磁带录音机到录像机一直发展到今天的激光唱机,从电子管发展到晶体管、集成电路(IC)、超大规模集成电路(VLSI)。在不到40年的时间里,索尼公司达到了在世界范围内拥有40万职工,设有72家子公司和37家工厂,销售1万多种电子产品,年销售额50亿美元的巨大规模。索尼公司何以达到如此辉煌成就,从其经营谋略中我们可窥见一斑。     

前景广阔的导电包装材料--兼述承载带

随着电子功能元件在尺寸上的缩小与成本上的减少，对其需求也越来越扩大。今天，成亿的集成电路(IC)被制造、装配和运往世界各地。电路板的装配已经发展成超自动化、高速度、高产量的生产线。用于运输和分销IC的包装方法和材料必须保证元件无损伤地到达自动装配线的贴装点，且具有正确的吸取位置。因此，包装运输电子元件(IC)的一种新技术所采用的三种基本结构：料条、托盘和带卷应运而生。     

成国推介

本市集成电路设计达到世界一流水平本市强芯半导体设计有限公司所属的飞思卡尔强芯和南大强芯在深亚微米的集成电路设计上完成了90纳米SO C(系统级)芯片设计,该项技术不仅填补了我市集成电路设计领域的空白,而且占据了我国IC设计业的高端,并达到世界一流水平。我市IC设计业虽然起步较晚,但因为起点较高,获得了超常规的发展。飞思卡尔强芯公司通过与美国飞思卡尔半导体公司合作,顺利与跨国公司一起进入国际市场;南大强芯公司与日本东芝公司合作,直接为东芝公司提供设计产品。两家公司都在较短的时间内成功地开发出了高端产品。飞思卡尔强…     

集成电路封装、组装和互连

集成电路（IC）技术的迅速发展，对IC封装提出了越来越苛刻的要求。作为IC的”芯片载体”，IC封装不仅要满足Ic的电磁兼容、物理支撑、热管理等方面的要求，更要保持足够高的性能价格比。技术及市场的需求促使IC封装技术不断进步。     

创“芯”行动 各地不断壮大“高精尖”产业

近年,国内许多省市纷纷响应国家战略,大力投资集成电路(IC)产业,经过创新发展,目前国内IC产业布局已初步形成,主要集中在以北京为核心的京津冀地区,以上海为核心的长三角地区,以深圳为核心的珠三角地区,以及以四川、湖北、安徽等为核心的中西部地区。在刚刚过去的2019年里,各地纷纷针对IC产业创新发展进行战略谋划与布局,通过各类创新工程和行动举措推动集成电路、高端芯片产业蓬勃发展。本栏目梳理了有关省市年度政府工作报告中IC产业相关内容,以飨读者。     

运用器件模拟软件验证一种GGNMOS ESD保护电路的设计方案

随着CMOS工艺技术发展到深亚微米阶段,器件沟道的有效长度小于0.25 μm,器件的高集成度增进了集成电路(IC)的性能及运算速度.但随着器件尺寸的缩减,却出现了一些可靠度的问题,其中ESD (electrostatic discharge)是当今MOS集成电路中最重要的可靠性问题之一.