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1.
以双(三苯基锡)氧化物和相应的二元羧酸反应,合成了14种新的三苄基锡二元羧酸配生物,利用元素分析、IR和^1HNMR表征了这些化合物的结构,生物活性测试表明,该类化合物具有较好的杀菌活性。 相似文献
2.
研究了无催化剂存在时,溶剂、硫化钠用量、反应时间和反应温度对从氯化苄和硫化钠合成二苄基硫醚的影响,在无催化剂条件下利用过氧化氢氧化二苄基硫醚合成了二苄基亚砜和二苄基砜。 相似文献
3.
用苄基三苯基氯化磷作相转移催化剂,在常压下由苯胺和溴乙烷合成N,N—二乙基苯胺,研究了多种反应因素对目的产物产率的影响,提出了常压催化合成目的产物的最佳工艺条件是:苯胺和溴乙烷的摩尔比为1∶2.50,催化剂用量0.60g,在35mL 30×10-2(质量分数)的NaOH溶液中,反应温度55℃,常压反应5h,产品收率40.4%. 相似文献
4.
微波辐射相转移催化肉桂酸苄酯的合成 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了以肉桂酸钠和氯化苄为原料,采用微波辐射技术,分别以四丁基溴化铵(TBAB)、四丁基氯化铵(TBAB)、十六烷基三甲基溴化铵(HTAB)、十六烷基三甲基氯化铵(HTAC)、苄基三乙基氯化铵(TEBA)为相转移催化剂催化合成肉桂酸苄酯,并且讨论了各催化剂的用量、微波辐射功率、辐射时间对酯产率的影响。 相似文献
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TiO2微粒光催化降解二苄基砜 总被引:1,自引:0,他引:1
崔振峰 《吉林大学自然科学学报》1998,(1):100-102
以半导体TiO2为催化剂对二苄基砜进行光催化降解二 研究降解二苄基砜的反应条件,讨论了了TiO2为催化剂ASO2A的实质,初步确定反应机理。 相似文献
6.
采用共沉淀法合成了SnO2-ZnO复合氧化物催化剂,以废聚酯(PET)和异辛醇(2-EH)为原料合成增塑剂对苯二甲酸二辛酯(DOTP).实验结果表明,合成DOTP的最佳工艺条件为:反应温度为210~220℃,PET:2-EH为1:3.8(摩尔比),催化剂用量为PET质量的13.10%,反应时间为3 h,产品收率可达96.18%. 相似文献
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8.
用铵盐作合成酚醛树脂催化剂的初步研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用实验事实报导了合成酚醛树脂的催化剂除部分酸碱外,还有一些铵盐,如NH4Cl,(NH4)2CO3,(NH4)HCO3,(NH4)2SO4等,并对不同催化剂的反应情况进行讨论,说明氯化铵催化效果较好。 相似文献
9.
以1-溴芘为原料,经傅瑞德尔-克拉夫茨(Friedel-Crafts)酰基化反应,以无水三氯化铝为催化剂,乙酰氯为酰基化试剂,合成了6-溴-1-乙酰芘.讨论了温度、催化剂用量、原料与试剂比等诸因素对反应的影响,并经元素分析、IR、1HNMR对其结构进行了表征. 相似文献
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11.
在室温、一定的酸度等条件下,分别采用二元硅钼蓝光度法、三元饿磷钼蓝光度法测定碳素钢中硅、磷,加快了显色反应速度,本方法操作简单、显色物稳定性强,测定准确率高。 相似文献
12.
从CF2HCl裂解制备C2F4已有很久历史.七十年代以来不少作者从热分解[1]、分子束技术[2]、以及多光子解离[3~7]等方面对反应机理作了详尽的研究.本文利用连续CO2激光为热源,研究了CF2HCl的非均相反应机理. 相似文献
13.
三氯化磷催化合成氯乙酸异丙酯 总被引:3,自引:0,他引:3
以三氯化磷为催化剂,氯乙酸和异而醇反应合成氯乙酸异雨酯,收率为89.5%,纯度为98%.该反应时间短,可以避免浓硫酸带来的腐蚀问题,反应的后处理简单. 相似文献
14.
系统地总结了相转移催化和逆向相转移催化在烯烃氧化合成酮类物质中的应用,在烯烃氧化合成酮类物质的过程中,季铵盐、聚乙-二醇均是非常优良的相转移催化剂,环糊精及其衍生物是一类典型的逆向相转移催化剂. 相似文献
15.
PAC中氧化铝和盐基度的测定 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了铝矾土经酸溶制备聚合氯化铝中溶出杂质对氧化铝和盐基度分析的影响,采用硝酸铅标准溶液返滴定EDTA测定氧化铝,消除了Ca2+的干扰,采用酸度计直接指示试液pH值测定盐基度,避免了杂质硅酸在氟化钾法中的副反应,实验结果准确可靠. 相似文献
16.
蒋昌翎 《湖南师范大学自然科学学报》1988,(3)
本文阐述了用改进的亚钛还原法,测定本单位试制的一种新的重氮感光试剂——3-甲基-4-吡咯啶基苯重氮氯化锌复盐的含量,结果为98.78%。 相似文献
17.
对多段绝热、段间间接换热式气固催化反应器,在规定反应器进、出口转化率条件下,当绝热温升λ为常数时,提出了最优设计的一种图解方法.该法避免了经典数学求解中的试差过程,并可将设计中常见的几种情况同时图解画出。 相似文献
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阻碍菱锰矿浸取完全机理的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在工业生产工艺条件下,研究了菱锰矿不能被硫酸完全浸取出来的机理,认为可能是混杂在碳酸锰晶体中的高价态锰的氧化物或复合物阻碍了外部的硫酸进入锰矿晶体内部反应而使侵取不完全。用还原高价态锰以破坏其混晶结构和合成模拟混晶等系列实验验证了该机理。该机理可望应用于实际工业生产以降低企业的生产成本,并可使锰资源得到充分利用。 相似文献
20.
给出了包括解析式外基区电阻和从SEDAN程序计算得到的基区Gummel数在内的内基区电阻的计算.结果表明该电阻与光敏区面积、发射区边长、发射区位置、发射极电流等因素有关.方形光敏区中发射极的最佳位置在中心;光敏区边长对发射区边长的最佳比值是7.578425:1.这些结果将被用于设计低噪声和高频光电晶体管. 相似文献