锗片清洗工艺对太阳电池性能影响的研究

随着砷化镓太阳电池对锗片的需求,免清洗锗片的需求日益增加.本文在试验的基础上阐述了锗单晶抛光片的清洗机理.通过对锗抛光片表面有机物和颗粒的去除技术研究,建立了超薄锗单晶抛光片的清洗工艺,利用该清洗工艺制备的锗抛光片完全满足了空间岛效太阳电池的使用要求.     

RCA清洗法与NCW清洗法对砷化镓晶片表面杂质去除效果对比实验

选取目前最常用的RCA清洗法和NCW清洗法分别对同批次加工的砷化镓抛光片进行清洗,使用X射线光电子谱对晶片表面杂质成分进行测试,对表面颗粒、有机物和金属3种杂质类型进行量化对比,分析两种清洗方法对3种杂质的去除能力。结果显示:表面活性剂对于有机物的去除效果比乙醇略强。基于双氧水的强氧化性和砷、镓氧化物更易溶于氨水的特性,SC-2清洗液对于表面氧化层的剥离和去除强于表面活性剂。对于主要金属杂质,两种清洗方法的去除能力相当。     

衬底硅片质量对SDB工艺的影响研究

硅-硅直接键合技术广泛应用于SOI、MEMS和电力电子器件工艺中,衬底抛光片的质量对键合质量及器件性能起着至关重要的影响。衬底抛光片的质量包含几何尺寸精度及表面状态质量,会影响键合过程中的界面应力,或造成键合界面空洞的产生,从而影响键合质量。     

太阳能级回收硅料清洗效果研究简

通过对光伏领域回收硅料表面处理一般方法的研究,使用ICP-MS对比分析了光伏产业使用不同类型硅料经混酸腐蚀处理前后,表面金属杂质种类、含量及清洗效果的变化,并使用SEM对硅料清洗前后的形貌进行了微观分析.结果表明HF/HNO3混酸体系对于过渡族金属杂质Cu、Zn、Mn去除效果较好,对于Ti、Cr金属杂质特别是Fe的去除效果较差;硅料表面微观结构越光滑,杂质去除效果越好.     

用光反射测试方法检测的硅抛光片和外延片表面的图谱

利用检测半导体硅抛光片及硅外延片表面缺陷的光反射法（魔镜法）［1］,观测到了二十余种硅抛光片及硅外延片表面缺陷的图样．本文报道了部份图样．     

用质子激发X射线发射分析技术测量晶片表面的污染物

介绍了PIXE（质子激发X射线发射）分析技术分析硅晶片表面杂质元素的探测灵敏度和最低可探测限,用此分析技术,对在几个注入机上进行的注氧硅晶片的污染情况进行了测定,发现在有的注入机上注氧时带进了Cr,Mn,Fe,Cu等污染元素,结果表明,PIXE分析技术具有高灵敏、非破坏性等优点,十分适合在这一领域的研究中应用。     

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（<0.5μm）和亚四分之一微米级（<0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量，提高晶体完整性，降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势，展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。     

GaAs抛光片在MOCVD中斑现象分析

为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中“白斑”、“暗斑”的质量问题，从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样，分别进行了光荧光谱（PL）、二次离子质谱（SIMS）等测试。通过对这些测试结果进行综合分析，最终确定了造成产品出现“斑”现象的原因，通过改进工艺，向MOCVD用户提供了满足要求的砷化镓抛光片。     

多孔硅的电迁移

研究了多孔硅在甲苯中组成的悬浮体系的电迁移特性。电阻率为80～100Ωcm的n型(111)抛光片，氢氟酸溶液中电化学阳极刻蚀成多孔硅再经过超声振荡得到多孔硅，甲苯悬浮体系．以新抛光铝为负极，在外加电场作用下，多孔硅向p^ -Si、ITD导电璃、Pt、Al、Ag等正极迁移并沉积在这些正极表面构成多孔硅薄膜。考察了不同的电沉积参数，例如电场强度、沉积时间对多孔硅薄膜光致荧光强度的影响．采用UFV-vis光谱、XPS、SBM的方法对悬浮体系以及沉积膜进行了分析。     

建筑物清洁剂的制备

建筑物的表面，例如大厦的壁面、烟囱、护栏及各种柱、塔等，长期暴露在大气中，其表面必然受到污染，附着各种污垢，不仅影响外观，而且还会缩短建筑物使用年限。解决这一问题，简单易行方法就是清洗，然而目前用于清洗建筑物比较理想的清洁剂，在市场上比较罕见。观介绍一种专供清洗被大气污染的建筑物的清洁剂，该剂是以二氯甲烷和乙烯系树脂为主要成分配制而成的。1特点和用途问）清洗效果好，可将附着于建筑物表面的煤烟、粉尘等大气污染物质有效地除去。（2）对于具有涂膜的被污染物体，例如用聚酯树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、硅树…     

旋转刷在清洗铝杆表面的应用

针对铝包钢生产过程中,电工铝杆表面的清洗存在废酸、废碱污染,以及成本高、生产效率低等问题,对生产设备及表面处理方式进行改造。采用旋转刷和清水清洗电工铝杆表面,结果表明,改造后电工铝杆表面的杂质清除干净,安全满足工艺生产要求;工序成本降低,避免了废酸、废碱、废水污染,满足国家绿色环保要求。     

砷化镓多晶表面清洗技术的研究

根据实际生产经验,分析了GaAs多晶料表面杂质的类型、产生原因及对后续单晶生长的影响,明确了多晶表面清洗工艺的重要性,介绍了针对不同类型杂质的清洗方法和原理,并在此基础上进行了多晶表面清洗实验,结果表明:无论是酸性清洗液还是碱性清洗液,都能达到去除GaAs多晶表面杂质的目的;Ga和As各自的氧化物在酸、碱溶液中溶解的难易程度决定了利用不同清洗液清洗后,多晶表面的光亮程度;从安全性和环保性角度来看,碱性清洗液是清洗多晶料表面更好的选择。     

MEMS用低应力硅片的研制

通过对硅片加工过程中的高温退火、切割、研磨、化学腐蚀、抛光等工序工艺过程的研究,找出了影响MEMS用硅抛光片应力参数的关键工艺,表明通过调整关键工艺参数,能够有效地控制MEMS用硅抛光片的应力参数。     

一种改进的工程机械发动机燃油箱的清洗方法

工程机械大都以柴油机为动力,由于作业环境恶劣,燃油箱中很容易混入尘土和雨雪,使柴油机受到污染,进而在油箱内壁或箱底形成污垢。这些杂质在发动机工作时通过供油系统管路进入供油系统,会造成供油系统的磨损和故障,因此需要定期对其进行清洗。该文提出了一种改进的燃油箱清洗方法,避免了常规工程机械清洗遇到的拆装耗时耗力的缺点,缩短了油箱清洗时间,提高了工作效率,降低了工程机械的维护成本。     

天然水污染膜的物质研究

膜污染是膜在饮用水处理中遇到的最重要问题，为此，需要了解天然水中造成膜污染的物质．笔者通过扫描电镜观察，色质联机以及分子量分布手段分析膜清洗水，了解膜污染的物质构成．结果表明，引起膜污染的有机物主要是以烷烃类的非极性和弱极性的有机物；造成膜污染的无机离子主要是硅、铁、锌和锰等高价的阳离子，其中铁质量浓度最高．对膜清洗水进行的有机物分子量分布的测定表明，小分子量的DOC容易污染膜；而UV254无论分子量大小，都会对膜造成污染．     

可降解软磨料对再制造水射流清洗性能影响因素研究

\提出一种新型可降解软磨料用于磨料水射流清洗技术,分析对比不同硬度磨料水射流清洗再制造零部件的清洗性能和表面损伤规律. 采用石榴石硬磨料水射流、核桃壳软磨料水射流和纯水射流3种射流方式,开展清洗零部件污垢的对比试验;在不同清洗方式下,分析清洗速率、比能耗、清洗后表面粗糙度、最大坑深等4个方面的差异,并从宏观和微观层面分析不同清洗模式下基体损伤情况. 结果表明,核桃壳软磨料能够有效去除表面污垢和杂质,降低比能耗,提高清洗速率,同时又不会对基体表面产生较大的损伤,在再制造业清洗或对表面粗糙度要求高的场合下,是一种较为理想的选择.     

聚醚砜中空纤维超滤膜的化学清洗

以某电厂的超滤膜为研究对象,利用光学显微镜、扫描电镜(SEM)、EDX能谱仪、傅里叶红外光谱仪等表征仪器对污染后的膜形貌及膜污染物进行了表征分析.结果表明:超滤膜同时存在有机物污染和无机物污染,外表面主要为无机污染物,内表面主要为有机污染物.使用了HCl、NaOH、NaClO及乙二胺四乙酸(EDTA)等化学清洗剂对膜进行了化学清洗,发现经NaClO和EDTA清洗后,膜通量恢复较明显;并对NaClO和EDTA清洗体系的清洗温度和清洗时间进行优化.研究了NaClO和EDTA的组合清洗对膜通量恢复的影响.结果发现:NaClO和EDTA对膜清洗效果表现出协同作用,方案F清洗后能使膜通量恢复到最大值1 780 L/(m2·h).     

SDBS微乳液制备及其对石油污染土壤清洗效果研究

目的 利用阴离子型表面活性剂、助表面活性剂、无机电解质、有机相与去离子水配制微乳液,研究微乳液的稳定性,利用配置的微乳液对石油污染土壤进行清洗,探究方法可行性以及最佳参数条件。方法 采用Shah法,以十二烷基苯磺酸钠为表面活性剂、分别以正丁醇、NaCl、Na₂CO₃、Na₂SiO₃、有机相正庚烷为助表面活性剂制备微乳液,通过绘制拟三元相图研究微乳液体系稳定性;分析该微乳液对石油污染土壤的洗脱率。结果 配制的微乳液Ⅲ对含油量为10.6%的石油污染土壤去除率达到90.47%,清洗后的土壤含油率为1.01%,对比单一表面活性剂SDBS的石油烃脱附效率提高了32.31%。结论 该微乳液脱附效率显著高于单一或其他复配溶液药剂,可作为高浓度石油污染土壤修复的主要备选技术。     

高效多功能清洗系列产品

高效多功能清洗系列产品日常生活的各种物品经常被油垢污染，清洗油污常常费工费时，目前市场上有的清洗剂多存在清洗重油污能力不强的问题。本产品具有很高渗透力，对重油污有很强的清洗效果，特别适于清洗厨房用品，塑料制品，木制家具等生活用品上的重油污。在采矿与采...     

硅单晶化学腐蚀表面的电子金相观察

半导体材料对外来杂质是非常敏感的,不仅在半导体器件的制造过程中微量杂质的沾污能严重地影响元件性能,而且制成合格管芯后,表面保护不好也能受环境污染而使其性能退化。 我们在半导体器件生产过程中经常发现,即使是同一锭硅单晶,采用同一种杂质源,在相同温度下进行扩散或烧结,只要硅表面的化学腐蚀方法不同,扩散或烧结的结果也就不会相同。对此,我们进行过多次实验,曾采用几种不同的化学腐蚀液对硅片进行清洁处理,其他工艺完全相同,最后制成的元件性能有很大的差别。