石榴石磁泡膜中枝状畴的形成

“低直流偏场法”是一种以枝状畴为出发点来形成硬磁畴的新方法；使用它能够在“脉冲偏场法”无法 产生硬磁畴的磁泡薄膜上很容易地产生三类硬磁畴。     

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中VBL对其缩灭场的影响

石榴石磁泡膜泡状硬畴畴壁中ＶＢＬ对其缩灭场的影响河北师范大学物理系唐贵德，孙会元，曹新国，聂向富本文以实验为依据，近似算出石榴石磁泡膜泡状硬磁畴的缩灭场及缩灭泡径与其畴壁中的ＶＢＬ数目的关系曲线，将这个多年来未能解决的问题向前推进了一步．在磁泡技术发...     

射频磁控溅射高饱和磁化强度Fe-N薄膜

用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.     

石榴石磁泡膜中哑铃畴缩灭行为的进一步研究

通过对于第一类哑铃畴（ＩＤ）缩灭行为的实验研究，发现在直流偏场增加的过程中，ＩＤ以稳定的圆形畴存在的直流偏场范围ΔＨｂ随着其条泡转变场的增加而减小，直至趋于零．据此也讨论了第二类哑铃畴的缩灭行为     

磁天平测量饱和磁化强度和居里温度方法的研究

本文利用磁天平测量饱和磁化强度(Ms)和居里温度(Tc)的原理，对磁天平测量饱和磁化强度和居里温度的装置进行了研究，并给出了具体的测量步骤．     

纳米金属Ni的饱和磁化强度和居里温度的尺寸依赖效应

目前,纳米铁磁材料的磁学性质得到了广泛的关注.利用振动样品磁强计测试了纳米金属Ni的饱和磁化强度和居里温度.结果表明,纳米金属Ni的饱和磁化强度和居里温度低于粗晶Ni的饱和磁化强度和居里温度.而且,纳米金属Ni的饱和磁化强度和居里温度都具有尺寸依赖特性.采用一理论模型解释了饱和磁化强度和居里温度的尺寸依赖特性.     

Y（Fe1—xCox）11.3Nb0.7化合物的室温饱和磁化强度Ms？…

用脉冲强磁场测量法和奇点探测法（ＳＰＤ）,研究了电弧炉熔炼方法制备的１：１２型稀土过渡族金属间化合物Ｙ（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１１．３Ｎｂ０．７（ｘ＝０．００,０．０５,０．１０,０．１５,０．２０）多晶样品的室温磁特性,研究结果表明,Ｙ（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１１．３Ｎｂ０．７系列化合物的室温（３００Ｋ）各向异性场Ｂａ和饱和磁化强度Ｍｓ,随Ｃｏ含量的增加,都先增加后降低。     

饱和与非饱和氦膜的临界迁移率

木文描述了饱和与非饱和氦膜的临界迁移率,以德银作为衬底的实验结果与以玻璃为衬底具有一致的结果,用饱和氦膜测定的体积迁移率与文献[2]中所发表的相符合。     

氧化钆掺杂钇铟铝复合石榴石铁氧体的结构与性能

用固相反应法制备了化学通式为Y3-xGdxIn0.1Al0.3Fe4.56Mn0.04O12的系列铁氧体试样,结合X线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和磁性能测试等手段,研究了掺杂Gd3+对复合石榴石铁氧体结构和性能的影响。结果表明:Gd3+掺杂量x在0~1.5之间变化时,所制备的试样为单相石榴石结构,且晶粒大小和相对密度不受Gd3+掺杂量的影响;铁氧体的饱和磁化强度会随着x的增大而显著降低,铁磁共振线宽和自旋波线宽都随x的增大而增大,铁氧体的温度稳定性得到提高。     

Y(Fe1-xCox)11.3Nb0.7化合物的室温饱和磁化强度Ms和室温各向异性场Ba

用脉冲强磁场测量法和奇点探测法 (SPD) ,研究了电弧炉熔炼方法制备的 1∶12型稀土过渡族金属间化合物Y(Fe1 -xCox) 1 1 .3Nb0 .7(x =0 .0 0 ,0 .0 5,0 .10 ,0 .15,0 .2 0 )多晶样品的室温磁特性 .研究结果表明 ,Y(Fe1 -xCox) 1 1 .3Nb0 .7系列化合物的室温 (30 0K)各向异性场Ba 和饱和磁化强度Ms,随Co含量的增加 ,都先增加后降低 .     

CoCr的选择蒸镀和垂直磁化膜的研究

用电子束蒸镀CoCr制备垂直磁化膜时发现膜成分受众多因素影响,而成为CoCr膜实现垂直磁化的首要问题。选择蒸发是造成成分控制困难的主要原因。本文对有关问题进行了研究,分析计算了理论公式,与实验作了比较,结果符合得很好;对选择蒸发及其对各种制膜工艺的影响;及CoCr膜垂直磁化性能;膜的微观结构和磁畴,都进行了研究和必要的讨论。     

铝对FeN薄膜结构和磁学特性的影响

铝的添加使ＦｅＮ薄膜变成非晶，并在ＦｅＡｌＮ薄膜中形成某些柱状物，材料粒度变小，ＦｅＡｌＮ薄膜矫顽力也变小．多层膜的效果，阻断了微粒沿垂直于膜面方向的生长，从而进一步降低其矫顽力．同时铝的添加，也增加了样品饱和磁化强度的热稳定性．     

用量子统计和经典统计讨论晶体中磁性原子的磁化强度

文章中用量子统计分布和经典统计分布讨论晶体中磁性原子在弱场高温和强场低温极限条件下的磁化强度。     

单磁泡静态泡径稳定区域的确定

本文计算了在饱和磁化的磁膜中形成单磁泡时系统能量的增量,用理论方法研究了单磁泡稳定存在的条件。从d_0/h和d_2/h与h/l函数关系的图解分析可见:磁膜厚h略增加时,泡径稳定区域变化不大,所以实际设计磁泡器件时为了增大磁泡信号的检出感度,建议最佳泡径d和最佳磁膜厚h都取8l,l为材料的特性长度。     

微机自动测量铁磁物质的磁化曲线

应用积分法由微机自动测量铁磁物质的磁化曲线，并给出硬件电路和测试结果。     

磁性石榴石薄膜的液相外延生长机理

为了对磁性石榴石薄膜液相外延过程中熔质成分作定量的评估,本文根据扩散-反应方程,建立了熔质浓度分布模型,研究了液相外延生长中熔质R_2O_3(R代表稀土元素)和Fe_2O_3的浓度在PbO/B_2O_3作为助熔剂的熔体中的变化状况,以及薄膜线性生长速率与生长温度的关系.     

自旋1/2铁电膜表面和平均磁化强度的理论计算

利用在层内采用Bethe Peierls近似、层间采用平均场近似的方法,计算了6个原子层和20个原子层构成的自旋1/2铁电膜的磁化强度·发现在不同的表面耦合强度下,薄膜的表面磁化和平均磁化有明显的不同,表面耦合强度小,表面磁化弱于整体磁化,否则表面磁化强于整体磁化,但薄膜的表面和整体具有相同的转变温度·对于较厚的薄膜,系统的整体磁化受表面耦合强度影响小,但在转变温度附近,强的表面耦合强度会带动薄膜的整体磁化·横向场抑制薄膜的自发磁化·