首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
研究了氧化物的超导电性与元素电负性之间的关系。笔者用电负性均衡值Xcq作为氧化物超导电性的新的经验判据,并用一个式子确定氧化物中元素电负性的均衡值Xcq。笔者用该式计算了230种氧化物超导体的电负性均衡值Xcq,结果表明,所有氧化物超导体的电负性均衡值Xcq集中在5.00到5.63这样窄的范围内,而电负性均衡值在此范围之外的氧化物都不具有超导性。该判据几乎适用于一切氧化物超导体。显然,笔者的工作对进一步探讨氧化物的超导机制是有益的。  相似文献   

2.
Allen电负性标度的理论基础   总被引:1,自引:1,他引:0  
用密度泛函理论论证了Allen电负性的合理性.表明如何能够用原子价层轨道能对Allen电负性进行标度,从而使周期表中元素的Allen电负性更容易被计算和理解.  相似文献   

3.
应用密度泛函论(DFT)及其局域近似法(LDA)、局域近似法加全域性校正(LDB:LDA-GCE)和改进斯莱特过渡态法(MST),并依能量型标度定义,采用有限差分法(DDM),同时考虑相对论效应,对元素电离能P和电子亲合能Q及原子软硬度U等进行精确估计与理论预测.把计算扩展到全部112种元素,计算值相当文献值水平或优于其它近似泛函法.更接近实验值,该U值在分子模建与设计等方面将获广泛应用。  相似文献   

4.
利用B3LYP/6-31G(d)//CCSD(T)/6-31G(d)方法计算了5个系列的氮掺杂碳团簇CnN4(n=2~10)的结构、能量和物理性质,并对优化的结构进行了频率分析.计算结果表明,系列1、系列4和系列5的结构和性质表现出不同程度的奇偶交替变化.根据相对能量、成键能、垂直电离能、垂直电子亲合能、前线轨道能隙等性质对5个系列的团簇的结构、稳定性和得失电子能力进行了讨论.  相似文献   

5.
提出确定稀土氧化物中元素电负性均衡值X_(cq)的计算公式,并用该式计算了200多种稀土氧化物超导体的电负性均衡值X_(cq),得出了稀土氧化物的超导性与稀土氧化物电负性均衡值之间的关系.结果表明,稀土氧化物超导体的电负性均衡值X_(cq)多数集中在1.654~2.650之间,而电负性均衡值在此范围之外的稀土氧化物一般不具有超导性.因此,电负性均衡值X_(cq)可作为稀土氧化物超导性的新的经验判据,这对进一步探讨稀土氧化物的超导机制有一定意义.  相似文献   

6.
提出确定稀土氧化物中元素电负性均衡值Xcq的计算公式,并用该式计算了200多种稀土氧化物超导体的电负性均衡值Xcq,得出了稀土氧化物的超导性与稀土氧化物电负性均衡值之间的关系.结果表明,稀土氧化物超导体的电负性均衡值Xcq多数集中在1.654-2.650之间,而电负性均衡值在此范围之外的稀土氧化物一般不具有超导性.因此,电负性均衡值Xcq可作为稀土氧化物超导性的新的经验判据,这对进一步探讨稀土氧化物的超导机制有一定意义.  相似文献   

7.
密度泛函理论的电负性与氧化物超导性的关系   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了稀土氧化物与元素电负性之间的关系。用电负性均衡值Xcq作为稀土氧化物超导电性新的判据依据,并用均方根公式确定稀土氧化物中元素电负性的均衡值Xcq集中在4.537~6.571,而电负性的均衡值在此范围之外的稀土氧化物都不具有超导性。  相似文献   

8.
9.
在巨正则系统的密度泛函理论基础上,把Parr等人提出的原子与分子体系的电负生与硬度的定义应用到分子化学中,应用密度泛函理论最新发展的DFT-LDA/NL方法计算了一些过渡金属羰基分子片的E(N)-ΔN能量曲线。结果表明,分子片的能量函数E是凸函数。但是在一般情况下在整数电荷处出现导数不连续。  相似文献   

10.
电负性标度     
本文介绍一种新的电负性标度理论——非自旋极化密度函数理论和自施极化密度函数理论.  相似文献   

11.
应用密度泛函理论的DFT-LDA、DFT-LDA/NL和改进的Slater过渡态方法,把元素的电子亲和势的计算扩展到周期表的103种元素.计算中考虑了相对论效应.计算结果比以前Robles和Bartolotti等用密度泛函理论的XGL和Xα近似的交换相关泛函的计算结果有所改进,更接近Pearson的实验值.  相似文献   

12.
在B3LYP/6-311++G(d,p)、B3LYP/6-311++G(3df,2p)和B3P86/6-311++G(3df,2p)水平优化计算了锗亚按、磷杂烯、磷杂锗烯和砷杂硅烯以及标题物质子化正离子的平衡几何构型.用优化计算的平衡几何构型,在B3LYP/6-311++G(3df,2p)//B3LYP/6-311++G(3df,2p)计算了各标题物的旋转势垒.在B3LYP/6-311++G(d,p)//B3LYP/6-311++G(d,p),B3LYP/6-311++G(3df,2p)//B3LYP/6-311++G(3df,2p)和B3P86/6-311++G(3df,2p)//B3P86/6-311++G(3df,2p)计算了各标题物的质子亲和能,质子化反应自由能(ΔG 298)和质子化反应的焓变(ΔH 298).计算结果表明标题物有较强的π键和负值较大的质子亲和能、ΔG 298和ΔH 298,有稳定的质子质子化正离子产物.计算的旋转势垒标表标题物分子有比较强的π键,质子化正离子的π键比对应的中性分子强.  相似文献   

13.
在B3LYP/6-311 G(d,p)、B3LYP/6-311 G(3df,2p)、B3P86/6-311 G(3df,2p)水平优化得到了亚胺、磷杂烯、硅亚胺和磷杂硅烯以及相应的质子化正离子的平衡几何构型.用优化的几何构型在B3LYP/6-311 G(d,p)//B3LYP/6-311 G(d,p)水平计算了标题物的旋转势垒.在B3LYP/6-311 G(d,p)//6-311 G(d,p),B3LYP/6-311 G(3df,2p)//B3LYP/6-311 G(3df,2p),B3P86/6-311 G(3df,2p)//B3P86/6-311 G(3df,2p)水平计算了标题物的质子亲和能(E)、质子化反应自由能增量(AG298^θ)和质子化反应的焓变(△H298^θ).计算结果表明标题物有强的π键和负值较大的质子亲和能、△G298^θ、△H298^θ,有稳定的质子化正离子产物.计算的旋转势垒说明标题物分了中Ⅰ的π键最强,Ⅲ的π键较弱.  相似文献   

14.
刘存海 《科学技术与工程》2012,12(34):9140-9143
应用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法,在6-31G(d)基组水平上对三聚氰胺进行了研究。计算得到了分子的稳定构型,并对其进行了频率分析。然后利用Gaussview图形软件将频率分析数据转换为红外光谱。对红外光谱分析后发现,在400 cm-1~0 cm-1区域内分子的振动类型主要以分子内基团的整体摆动和胺基中C—H键的面外弯曲振动为主。在红外光谱的指纹区(1 333 cm-1~400 cm-1)谱线强度较弱,分子振动模式主要以弯曲振动为主,且存在七种分子的振动模式不具有红外活性。在光谱的特征谱带区(4 000 cm-1~1 333 cm-1),分子振动模式共有两种,即不对称伸缩振动和剪式振动。此外,整个红外光谱中振动峰的实际数目远小于简正振动的数目。  相似文献   

15.
氧化物超导电性与硬度的密度泛函理论计算值   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过对氧化物超导体元素硬度的平均值进行研究,发现其具有较好的规律性.本文提出用硬度均衡值ηcq作为氧化物超导电性新的经验判据.笔者依据Slater过渡态法计算元素的硬度作为标度,用均方根的方法得出氧化物中元素硬度的均衡值ηcq;计算了200余种氧化物中元素硬度的均方根值η.,结果表明,氧化物超导体的硬度均方根均衡值总是介于4.790~5.429之间;而硬度均衡值在此范围之外的氧化物不具有超导电性,这无疑为氧化物超导电性的判定提供了一种全新的判据.  相似文献   

16.
通过密度泛函理论计算来研究原子尺度羟基磷灰石晶体结构和电子结构,结果表明,羟基磷灰石为P63空间群六方单胞,点阵参数为a=0.9302nm、b=0.9303nm、c=0.6770nm,α=90°、β=90°、γ=120°.单胞总态密度主要是由各原子s,P,d电子态组成,费米能级主要是氧的2p4轨道的贡献,表明单胞结构中氧的2p电子最活泼,将优化后结构的衍射图谱和实验衍射图谱进行了比较,匹配较好.  相似文献   

17.
用密度泛函方法(DFT)的LDA和NL/LDA优化分子片试剂HFe(CO)5+和Mn(CO)5-的几何结构,并计算了Fe(CO)5的NL/LDA质子亲合能,其值为751.6kJ·mol-1,介于文献报道的HCN和NH3的质子亲合能之间,解释了Fe(CO)5容易从H2CN+中得到质子而难以由NH4+夺得质子的实验事实。HFe(CO)5+电离H+后其几何结构由C4v对称性变为D3h对称性,与等电子体HMn(CO)5电离H+后几何构型的弛豫相类似。NL/LDA计算的分子片Fe(CO)5的弛豫能为-59.78kJ·mol-1。计算结果还表明,HFe(CO)5+电离H+后Fe→CO反馈π键得到加强,使得FeC键缩短,CO键增长;同时,Fe原子上的电子电荷减少,而C和O原子上的电子电荷增加。Muliken布居分析同样表明,在HFe(CO)5+电离H+后,Fe和C之间的Muliken键级增加,C和O原子之间的键级减少  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号