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1947年12月发生了一件直接影响以后科学技术发展及人类生活的大事情,那就是三位美国固体物理学家——肖克莱、巴丁和布拉顿研制成了原始的点接触晶体管放大器。这不但使人们头一次看到了体积小、重量轻的固体放大器,并且促使了半导体成为一门独 相似文献
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一个由超导体铋为线圈组成的25瓦、0.5安培的发电机成功地驱动了一台小风扇。美国麻萨诸塞州沃特敦超导公司董事长G.约克说:“就我们所知,这是人们第一次用耐高温的超导线圈制成的超导发电机, 相似文献
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伯克里加利福尼亚大学物理学家在观察砷化镓中超导性的证据后声称发现了一种超导半导体。同时美国一些物理学家试图重复该实验而未成功。据AT&T贝尔实验室说,几年前已对一些陶瓷材料作过类似的声明,但没有一个人能重复该数据。他们认为当超导体积小于10%时,人们就无法知道怎样才能重复这些数据。超导体作成的芯片要比硅片薄并少用能量。但它们尚在实验阶段。把超导体与半导体结合起来可 相似文献
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伯明翰大学的工程师们已制成一种小型的高温陶瓷超导体无线电天线,它实际上可辐射被其接收的全部能量。普通天线当它的尺寸与它发射或接收的无线电波波长差不多时其工作为最佳。然而,由于无线电波 相似文献
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克服地球引力束缚,自由地翱翔于蓝天白云间一直是人类的梦想。从绑上翅膀的“鸟人”到飞机、火箭、空间站,人类遨游天空的奇思妙想,不断被日新月异的科技所实现甚至超越。影片《阿凡达》向人们展现了梦幻般悬浮着的哈里路亚山, 相似文献
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超导体是荷兰物理学家卡麦林·昂奈斯于1911年在实验中发现的。他在研究各种元素在低温条件下的导电率时,令人吃惊的现象发生了。在昂奈斯把温度降低到4.15K时,水银的电阻率突然消失,后来他又通过实验发现锡和铅的电阻也会在确定的温度条件下消失,从而证实了这一出人意料的结果。1913年,昂奈斯首次引入"超导电性"一词,用来描绘物质这一新的状态。所谓超导 相似文献
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超导作为凝聚态物理前沿领域之一,百余年来长盛不衰,相关研究促成了至少5次诺贝尔物理学奖,获奖人数至少10人。随着超导研究的不断发展,中国科学家在其中的贡献也越来越重要,特别是在铁基超导领域已经引领世界前沿。本文将从各位诺奖得主的经历,主要介绍超导研究及其重要性,并探讨未来超导领域可能产生诺奖之处。 相似文献
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几个月来,超导领域不断刷新的世界纪录,震动了科学界。从美国的亚拉巴马州到中国北京,科学家们激动不已,他们相信:诞生室温超导化合物的曙光就在眼前。加利福尼亚斯坦福大学的科研人员认为,他们已经研制出世界上第一台初级超导电子装置。一般的导体导电时,电阻来自电子与离子晶格的碰撞。而超导体,一旦呈现超导态,其电阻便奇 相似文献
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目前正在进行的超导蓄电体系的研究,是应用超导的其中一个项目。这项工作是去年五月由日本三十家大型企业联合进行的。该研究的原理是将不消耗电的超导盘管(直径五百米)埋入地下岩石中,以此形成一个巨大的“蓄电罐头”,这便是“超导蓄电体系”(SMES)。该体系可用于将原子能发电站的夜间剩余电力积存起来,等白天需要电力的高峰时间,再将这一 相似文献
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在超导材料的可能使用中,以薄基片制成的电子部件可望最早得到应用,日本两家电子工业公司已成功制取这些基片。只要使用超导材料可制成相当灵敏度的探头。那么就可用于医疗诊察技术和外空遥测技术。因为这些部件的结构比较简单,预计在一、二年内最有可能在实验里中得到实际应用。 相似文献
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在温度、外界磁场强度和电流密度都小于临界值的条件下,具有导电时电阻和内部磁感应强度为零的性质的材料叫超导体。常温(300K 或27℃)超导体的研制成功,引起了世界各国的巨大反响,对军事领域产生极为深远的影响。超导聚能武器聚能武器是把能量汇聚成极细 相似文献
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低温物理和材料科学最近的进展使得温度极其靠近绝对零度的实验成为可能。如果把所有金属元素冷却到充分低的温度,它们是否不是磁有序的就是超导的呢?本文报告的实验就是要回答这样的问题。为此,贵金属金、银、铜和铂金属铑、钯、铂已在微开尔文温度下进行了研究。 相似文献
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一次谈话:寄希望于半导体1945年反法西斯战争胜利的前夕,美国贝尔电话实验室执行副所 相似文献
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美国伯克利加州大学的科学家们说,一种新型半导体晶体管可能有助于带来速度明显加快。价格更低的芯片技术。这种晶体管体积非常小,单个计算机芯片的储存量比原来多400倍。 该大学电气工程和计算机科学教授胡晨明说,这是一项世界新记录,该研究项目得到了美国国防部高级研究计划局的资助,有关名为FinFEF晶体管的技术细节将于1999年12月在华盛顿召开的“国际电子器件大会”上公诸于世。 伯克利加州大学的这一突破改变了晶体管上控制电子装置电流流动的“门”(即交换机)的设计。 以前,这种“门”是一种扁平导体,只控制… 相似文献
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超导隧道结约瑟夫森结是超导量子比特的基本元件.用双层光刻胶构成悬空掩模,用电子束斜蒸发的方法制备Al/Al2O3/Al隧道结,用一定的氧气气压氧化铝膜作为势垒层.势垒层质量直接影响铝超导隧道结的各项电学参数.深入研究了铝超导隧道结的超导临界电流密度Jc和面积归一化电阻Rc(正常态电阻RN与结面积的乘积)与势垒层生长条件的关系,通过改变势垒层生长的氧分压与氧化时间来控制铝超导隧道结的Jc和Rc,以使此工艺所制备的铝隧道结漏电流小,结参数易于控制,满足制备超导量子比特的要求. 相似文献
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