差温生长法制备 1.55 μm InP/InGaAsP/InP 激光晶片

采用差温生长法制备了１．５５μｍＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光晶片．差温生长法是在高温（约６２６℃）状态下生长ＩｎＧａＡｓＰ有源层;然后降低温度,在低温（约６００℃）状态下生长Ｐ－ＩｎＰ上限制层．此方法有效地解决了这种结构长波区（λ＞１．４５μｍ）的回熔问题,并克服了其他方法的缺点．     

高性能InP／InP,InGaAs／InP体材料LP—MOCVD生长

给出利用低压金属有机化合物化学汽相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长技术在ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ的条件，研究了ＩｎＰ／ＩｎＰ的生长特性、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的组份控制、生长特性及生长温度对ＩｎＧａＡｓ特性的影响．发现ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ最佳生长温度为６４０℃，得到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ１６Ｋ光荧光（ＰＬ）谱全高半峰宽为３２．０ｎｍ，ＩｎＰ／ＩｎＰ室温霍尔迁移率为４３６０ｃｍ２／Ｖｓ，背景掺杂浓度为５×１０１４ｃｍ－３，Ｘ光双晶衍射全高半峰宽为２１＂．     

GaP和InP纳米晶形貌研究

研究了交换法合成的GaP纳米棒的形成过程和形成以后自组装成微米棒的过程 ,运用透射电子显微镜对元素反应法制备的InP纳米晶在电子束作用下的运动过程进行了监测     

InP衬底上LP-MOCVD生长InAs自组装量子点

报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光谱，其峰值波长约为1603um，分布在1300um~1700um范围内，半高峰宽为80meV     

纳米多孔InP对氨气的气敏特性研究

InP是继Si和GaAs之后的新一代电子功能材料,利用多孔半导体制成微型化和集成度较高的气敏传感器也一直是研究的热点,但对多孔InP的气敏特性研究甚少.本文拟通过电化学刻蚀方法制备纳米多孔InP,并观察其对氨气的伏安特性响应,从而分析该材料的气敏特性.     

InP纳米针和纳米管的合成及机制探讨

采用溶剂热法以金属In和白磷为原料合成出了InP纳米针;采用溶剂热法以金属In和红磷为原料,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂合成出了InP纳米管。然后,分别采用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)等技术对InP纳米针和纳米管的形貌及晶体结构进行了表征。最后,探讨了InP纳米针和纳米管的形成机制,本工作将为InP半导体纳米材料在发光二极管、光纤通信等领域的应用提供一定帮助。     

普通车床上高效、高质量蜗杆加工法

在普通机械加工中，快速、高效、高质量的完成蜗杆加工有一定的难度，原因是由于蜗杆齿形较深，切削面积大，属于难加工零件。另由于蜗杆的特性，在快速加工中普通加工方法无法实现快速而准确的停车。为此我们在实践中总结了一些好的加工方法并研制了自动退刀装置。     

MOCVD生长的InP外延层的输运及发光特性

使用ＭＯＣＶＤ生长技术，在ｎ型及半绝缘衬底上生长了ＩｎＰ外延层，通过对迁移率和低温光致发光，光反射谱的分析，得出了样品纯度与有关生长条件的关系。比较两种不同衬底上外延层的光荧光谱，发现杂质ｓ在ＩｎＰ外延层中的扩散是不容忽视的。     

印刷法制备多晶硅薄膜

本文以TiO2溶胶与硅粉混合采用印刷法制备了多晶硅薄膜,利用X射线衍射、I-V测试系统、扫描电镜以及分光光度计表征了样品结构与特性．研究了薄膜退火条件及TiO2晶相对多晶硅薄膜性能的影响．结果表明：在550℃退火1h,TiO2为锐钛矿相的条件下,所制多晶硅薄膜的电导性最好,其电导率与其他条件下的样品相比提高了约1个数量级．     

n—Ga1—xAlxAs的电子喇曼散射,束缚声子和DX中心

观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征的施主深能级．实验结果证实了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性．根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中施主的电荷态．     

低压MOCVD法生长GaAs／Si单晶膜及膜的特性研究

本文通过低压ＭＯＣＶＤ方法，采用改进的两步法工艺，即基片表面的高温处理一生长过渡层－退火－外延生长－退火工艺，在向［０１１］方向偏３°的Ｓｉ（１００）衬底上生长了ＧａＡｓ膜，并对外延膜进行了Ｘ射线衍射，喇曼散射和光致发光分析．发现Ｘ射线衍射曲线光滑尖锐，无杂峰，（４００）峰的摇摆曲线很锐，喇曼散射谱中ＴＯ峰与ＬＯ峰的强度比ｌＴＯ／ｌＬＯ很小，光致发光谱的半峰宽只有１２．４ｍｅＶ，说明在Ｓｉ上异质外延的ＧａＡｓ单晶膜具有相当好的质量．     

InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池结构的优化研究

用金属纳米粒子沉积在InP/InGaAsP/InP多量子阱太阳电池表面,利用光散射来研究该电池改善后的光电性能。金属纳米粒子对量子阱太阳电池器件光电性能的作用结果是：用量子阱层与周围材料反射系数的差异来限制不同方向的入射光进入太阳电池器件侧面的传播路径。量子阱太阳电池通过这种结构优化设计,对于硅和 Au 纳米粒子,可以观察到短路电流密度分别增加了12.9%和7.3%,输出最大功率的转换效率分别增加了17%和1%。     

科技期刊吸引优秀稿件的措施

吸引优秀稿件是科技期刊提高竞争力的关键。提出要做好编辑部自身建设,即建立高水平的审稿队伍、提高稿件编辑质量、提高编辑服务作者的意识、精心策划和细化栏目和对优秀稿件给予特殊待遇,以及主动约稿,包括向老作者约稿、重视会议约稿、关注大型科研机构和设计院等两方面对科技期刊吸引优秀稿件的措施进行探讨。     

Defects in NTD InP probed by positron annihilation spectroscopy

Two samples of high purity InP extracted from the same wafer were examined by positron annihilation spectrum analysis after having been, processed by means of thermal Neutron Transmutation Doping (NTD). Compared with the as grown sample with an average positron lifetime of 246 ps at 300 K, the high dose doped one has an average lifetime of 251 ps and the lower dose doped one 248 ps measured under the same condition, indicating that some defects have been introduced in the NTD process. Annealing experimental results show a steady decrease in the average lifetime with increasing annealing temperature up to 550°C. And a peak in lifetime curve around 500°C was observed which may be attributed to defects related structure conversion. Temperature experiments conducted on the low dose doped sample from 150K to 290 K suggest the existence of vacancy-impurity complex which have given rise to an abnormal reduction of average lifetime with increasing temperature. Also a n-type InP sample (A61) was irradiated with thermal neutrons in another reactor and the lifetime results display an increase of 15 ps. Furthermore, to study epithermal neutron irradiation effects on InP, measurements were performed on an n-type InP sample (N119) along with one p-type sample (P118) after having been irradiated with high fluence of epithermal neutrons. The former has an average lifetime of 262 ps and the latter 247 ps after irradiation. The results prove that on some occassion epithermal neutrons can produce sizable defects in InP. Foundation item: Supported by the Science Foundation of Hubei Province (203980532) Biography: WEN Xiang-e (1976-), male, Master candidate, Research direction; majar research interest is defects in semiconductor materials using positron annihilation spectroscopy.     

硫酸蚀刻溶液中InP半导体之薄膜生长

利用X一射线衍射技术研究了InP半导体在H2SO4/H2O蚀刻溶液中之薄膜生长,分析P型InP（100）在酸性蚀刻溶液中表面氧化物的化学组成．实验中．一台12kW的铜旋转阳极x射线源用于保证高敏感度的表面型态分析．利用广角度衍射（WAD）,从一个基体氧化物的晶格组界面检测衍射线来分析蚀刻溶液H2SO4/H2O每个衍射线出现可能引起的反应物表面层反射光束的干涉图案,生成物为具有单晶结构的磷酸铟水合物（InP04-xH20）．观察到一组（nh,nk,n1）的广角度衍射中磷酸铟水舍物（InPO4·xH2O）相的反射峰,并且侦测到在每个反射光束的干扰振荡现象．利用感应电浆耦合离子发射光谱法测定溶液中的铟（In）和磷（P）成分,分析InP在不同浓度的H2S04／1-120溶液中的溶解速率．观察发现,在InP的氧化表面上存在混合成份的氧化物和单一成份生成物．借着ICP仪器分析测试在照光或暗室下,InP在H2SO4/H2O系统的溶解率差异几乎是不可分辨的．藉由X射线结果对比JCPDS卡标准化合物中的数据．可获得酸性溶液蚀刻反应中各种表面氧化物的结构特点和反应现象．     

GaInAsP/InP跑道型环形谐振腔的制备及其性能测试

采用等离子增强型化学汽相沉积和电子束刘蚀相结合方法制备了直径为1～20μm的GaInAsP/InP跑道型环形谐振腔,采用扫面电镜等方法对其进行了研究.结果表明:直径为4.5μm、跑道长度为5μm,直径为10.5μm、跑道长度为5μm和直径为19.5μm、跑道长度为3μm的环形谐振腔的自由频谱范围分别为28nm、16nm和9.5nm;随着环形直径的增加,其自由频谱范围减小;在相同的直径下,随着跑道的长度增加,自由频谱范围减小.     

论创制高质量学报的基本途径

高质量学报，指的是具有稳定的个性特色，较高的学术品位，精细的编辑加工，创新的外在形式，即内容与形式实现优质结合的学报。创制高质量学报的途径，一是通过栏目特别是重点栏目的设置形成学报的个性特色，为创制高质量学报奠定基础；二是在学术品位上做章，在编辑加工、封页设计、版式设计上下功夫，为创制高质量学报提供保证。