Ba(Y1-xCex)2Si3O10的光声光谱分析研究

室温条件下测定了Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)的漫反射吸收光谱、光声振幅谱和光声相位谱.由于高浓度掺杂使得Ce3+与Ce3+之间发生有效能量传递,从而导致Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)的漫反射吸收光谱强度依次降低,光声光谱强度依次增大.利用光声振幅谱结合相位谱的方法研究发光效率随掺杂浓度的变化,发现Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)3种不同掺杂浓度试样的发光效率依次降低.     

Ce0.8Pr0.2-x Smx O2-δ(x=0.02,0.05,0.10)固溶体的合成及性质

采用溶胶-凝胶法制备固体电解质Ce0.8Pr0.2-xSmxO2-δ(x=0.02,0.05,0.10).XRD结果表明:800℃煅烧后的全部样品皆为单一的立方萤石型结构,平均晶粒尺寸为19～28 nm;Raman光谱结果表明:立方萤石结构的Ce0.8 Pr0.2-x Smx O2-δ 固溶体中存在氧空位,在Ce0.8 Pr0.2-x Smx O2-δ 中掺入钐可提高氧空位浓度;阻抗谱测试表明:稀土双掺杂Ce0.8 Pr0.15 Sm0.05 O2-δ 的电导率高于单一稀土掺杂Ce0.83 Sm0.17 O2-δ 的电导率,且Ce0.8 Pr0.15 Sm0.05 O2-δ的电导率最大,σ600℃为1.2×10-2 S/cm,这归因于样品Ce0.8Pr0.15Sm0.05O2-δ 中较高的氧空位浓度和小极化子的跃迁.     

稀土色氨酸固态配合物的光声光谱研究

合成了Tb(Trp) 3Cl3·H2 O、Dy(Trp) 3Cl3·H2 O和Ho(Trp) 3Cl3·H2 O固态配合物 ,在30 0～ 80 0nm测定并解释了配合物的光声光谱 ,从无辐射跃迁角度研究色氨酸固态配合物的能级状况和分子内能量传递过程 ,结合荧光光谱研究了色氨酸固态配合物的发光特性 ,结果表明固态配合物中色氨酸配体可有效敏化Tb3+离子的发光 ,而由于热去几率速率增大导致配体向Dy3+的能量传递效率降低 .首次将相位分辨光声分析法用于Ho(Trp) 3Cl3·H2 O配合物的谱峰解析 ,通过光声谱同相和正交相信号可以计算配体光声吸收的位相为 10 6° ,位相改变 90°后就得到仅与Ho3+相关的光声光谱 .相位分辨光声光谱法不受谱峰的形状和重叠程度的限制 ,仅与不同吸收中心产生的位相有关     

Sr_(2.4)Y_(0.2)Eu_(0.2)V_2O_8:Ba~(2+)发光性能的研究（英文）

采用固相法制备系列Ba2+掺杂的Sr2.4Y0.2Eu0.2V2O8粉末样品,其中掺杂浓度x分别为0,0.05,0.10,0.15,0.18,0.20.在416nm光激发下,观察到包括595nm(5 D0→7F1),619nm(5D0→7F2),652nm(5D0→7F3),以及700nm(50D→7F4)Eu3+的50D→7FJ发射谱.随着Ba含量的增加,发光强度先增大而后降低,在x=0.15取得最大值.结果表明:Ba作为一个敏化剂,可以有效提高Sr2.4Y0.2Eu0.2V2O8发光粉的发光强度.     

Sr2.4Y0.2Eu0.2V2O8∶Ba2+发光性能的研究

采用固相法制备系列Ba2+掺杂的Sr24Y0.2 Eu0.2V2O8粉末样品,其中掺杂浓度x分别为0,0.05,0.10,0.15,0.18,0.20.在416 nm光激发下,观察到包括595 nm(5D0→7 F1),619 nm(5D0-→7F2),652 nm (5D0→7F3),以及700 nm(05D→7F4) Eu3+的;D→7 Ff发射谱.随着Ba含量的增加,发光强度先增大而后降低,在x=0.15取得最大值.结果表明:Ba作为一个敏化剂,可以有效提高Sr24Y02Eu02v2Q发光粉的发光强度.     

固体电解质BaCe_(1-x)RE_xO_(3-δ)的电导率及燃料电池性能

利用溶胶 -凝胶法合成了 Ba Ce1 - x REx O3-δ( RE:稀土 )系列固体电解质 ,结果证明纯 Ba Ce O3 导电性较差 ,RE3+ 的引入 ,取代了晶格中的 Ce4+ ,增加了氧空位 ,大大提高了体系的导电性。文章还研究了掺杂的 Ba Ce O3体系的导电机理 ,讨论了不同稀土离子掺杂对电导率的影响 ,以 Ba Ce1 - x REx O3-δ为固体电解质组装了 H2 /O2 燃料电池 ,电池的开路电压接近 1V,短路电流密度超过 10 0 m A/cm2 ,以 Ba Ce0 .8Gd0 .2 O2 .9为 SOFC电解质 ,80 0℃时最大输出功率密度达 30 m W/cm2 。     

Al2 O3掺杂对Ce0.8 Gd0.15 Y0.05 O2-δ固体电解质的微结构与电性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了AlO1.5掺杂浓度为0.5%,1.0%,2.0%的AlO1.5/Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ固体电解质材料,利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和交流阻抗谱研究了Al2O3掺杂对Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ微观结构及电性能的影响,结果表明：800℃焙烧的所有粉末样品均为单相立方萤石结构,在所有样品中,AlO1.5掺杂量为0.5%的样品晶粒均匀,较致密,交流阻抗谱测试表明掺杂AlO1.5（x=0.5%）使Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ晶界电阻减小,晶界电导率增高;当AlO1.5掺杂量x≥1%时,Al2O3对晶界的阻塞作用使晶界电导率降低,在所有样品中Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ/0.5%AlO1.5晶界电导率最高（σ700℃=8.12×10-3S/cm）,说明在Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ少量掺杂AlO1.5（x=0.5%）具有烧结助剂和晶界清除剂的作用.     

Eu2+在Na2Mg5Si12O30结构中的占位及发光性能

基于Na2Mg5Si12O30结构体系制备了一种新型的发光材料,即Eu2+掺杂的Na2Mg5(1-x)Eu5xSi12O30,其中Eu2+的掺杂浓度x=0.001～0.06.观察x值不同对于材料发光性能的影响,并在某一特定掺杂浓度的材料中,深入探究Eu2+在该基质材料结构中的占位情况.研究过程中,主要采用X射线粉末衍射...     

Er3+/Y3+/Yb3+共掺杂氧化铝光致发光增强研究

采用sol-gel法制备了不同摩尔比例的Er3+/Y3+/Yb3+共掺杂Al2O3粉末.X射线衍射(XRD)结果表明各样品均以δ-Al2O3为主相.利用荧光光谱仪测试各样品的光致发光(PL)谱,结果表明Y3+的共掺杂明显的提高了Er3+的PL强度.Er3+/Y3+/Yb3+共掺杂Al2O3粉末的PL强度随着Yb3+浓度呈先增大后减小的变化,Er3+∶Y3+∶Yb3+的摩尔比例为1∶20∶10时,样品的PL强度在Y3+共掺杂的Er3+∶Al2O3粉末的PL强度提高了7倍的基础上进一步提高了近4倍,说明Er3+/Y3+/Yb3+的共掺杂能够更有效地提高Er3+的PL强度.     

红色荧光材料Ba_3Eu(BO_3)_3:Ce~(3+)的制备及性能研究

用高温固相法制备了Ce3+掺杂的红色荧光材料——Ba3Eu(BO3)3∶Ce3+.用X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计对所得样品的物相、表面形貌、激发光谱和发射光谱进行表征.结果表明,用程序升温法合成,稀土离子Ce3+的最佳掺杂量w=10%、最佳焙烧温度T=750℃.在最佳工艺条件下制备出的荧光材料的发光性能较好.     

BaBrCl:Ce3+光存储性能的研究

采用高温固相反应法制备了Ce3 掺杂的BaBrCl材料.研究了样品的荧光光谱,经X射线辐照前后的吸收光谱及差吸收谱(DAS).首次在BaBrCl:Ce3 中发现光激励发光.发射峰及光激励发光峰均位于～390 nm;DAS为500～750 nm的宽带谱,与BaFX:Eu2 (X=Cl,Br)相比,该吸收带与He-Ne激光器(633 nm),或廉价、小巧、使用方便的半导体激光器的波长更为匹配.表明BaBrCl:Ce3 有望成为一类新型的X射线存储材料.     

碲酸盐玻璃中Eu3+离子发光性质的研究

研究了碲酸盐玻璃中Eu3+离子掺杂浓度对其发光性质的影响.分别用TU-1901UV-VIS紫外可见光谱仪和F-2500荧光光谱仪测量样品的吸收光谱和发射光谱与激发光谱.结果表明:Eu-O电荷迁移带的强度与Eu3+离子掺杂浓度密切相关;相对于基质吸收,Eu3+离子的本征吸收强度随掺杂离子浓度的提高而增强;在394nm光的激发下,Eu3+离子发光主要位于594nm和615nm左右,相对于5 D0→7F1,5 D0→7F2跃迁发射受Eu3+离子掺杂浓度的影响;样品的声子边带与掺杂浓度有关.     

Hg系高Tc超导体(Hg0.8M0.2)Sr2(Y1-xCax)Cu2O6+δ的喇曼和红外光声光谱研究

对Hg系高Tc超导体(Mg0.8Mo0.2)Sr2(Yl-xCaxCu2O6+δ的晶格振动进行了群论分析,给出了该晶体在г点晶格振动的对称性分类.利用红外光声光谱结合喇曼散射研究了该系列样品的声子振动性质.实验结果表明,在喇曼光谱中主要出现145,320,440,578,592Cm-1几个特征振动峰.在中红外吸收光谱(光声光谱)中出现645cm-1特征振动峰.而145,320,440,578,645特征峰强度随掺杂量增加而减弱,其中645峰还向高波数发生位移.本文着重对这些振动模进行了指认,并对其随不同掺杂量的变化特征进行了讨论.     

铈掺杂对0.70PZN-0.15PT-0.15BT压电陶瓷结构与电性能的影响

采用两步合成法制备了CeO2掺杂Pb1-xCex/2(Zn1/3Nb2/3)0.70Ti0.3Ba0.15O3(0.70PZN-0.15PT-0.15BT-x,x=0.00,0.02,0.04,0.06)压电陶瓷,研究了铈含量变化对0.70PZN-0.15PT-0.15BT-x压电陶瓷材料相结构及其相关电性能的影响.随CeO2含量增加,居里温度升高,当x=0.04时,其压电系数d33达到225pC/N.     

Ce∶YIG磁光薄膜法拉第旋转谱的理论计算

考虑到Ce3 + 的 5d ,4f以及Fe3 + 的 3d电子轨道形成具有较大自旋 轨道相互作用的耦合轨道 (Ce4f+Ce5d+Fe3d) ,将Ce3 + 离子的含量与耦合轨道联系起来 ,并给出了Ce3 + 离子的含量与跃迁中心数之间的定量关系式 .在ω =0 .8～ 3.2eV的范围内 ,计算了x =0 .3和x =0 .7时Y3 -xCexFe5O12 的法拉第旋转谱 .结果表明 ,Ce∶YIG的法拉第旋转角的增加主要是由于Ce3 + 的掺入形成耦合轨道 ,使其自旋 轨道劈裂增加所导致     

掺杂浓度对白光LED用Ce Sm:YAG单晶荧光材料光色性能的影响

采用提拉法生长了不同浓度白光LED用Ce,Sm:Y3Al5O12(YAG)荧光晶体。对3种不同浓度的Ce,Sm双掺杂单晶荧光材料的光谱性能进行了研究。分别用XRD和高效色谱仪测试了样品的结构、吸收光谱、激发光谱、发射光谱和光色性能,并对晶体的光色性能进行表征和对比。结果表明,在一定范围内随着Ce和Sm离子浓度的升高,晶体的光效有所提高,显色指数降低,红色和黄绿色发光成分提升。     

新型Yb~(2+)掺杂微晶玻璃光谱特性分析

通过高温熔融法和热处理成功制备了Yb2+掺杂Si O2-Al2O3-ZnO-K2CO3微晶玻璃.测试了微晶玻璃的X射线衍射谱(XRD)、激发光谱和荧光光谱.研究发现:X射线衍射谱表明了玻璃基质中存在β-Zn2Si O4纳米晶粒,根据XRD结果和Scherrer公式计算得到β-Zn2Si O4晶粒大小约为38 nm.在280 nm紫外光激发下,观察到Yb2+掺杂微晶玻璃的宽带蓝光(400～460 nm)和宽带黄绿光(475～600 nm)发光,其中蓝光对应微晶玻璃基质发光,黄绿光对应Yb2+的4f135d→4f14能级跃迁发光,经色坐标换算得到微晶玻璃的色坐标为(0.290 8,0.338 6)落在白光区域内.研究结果表明,Yb2+掺杂的Si O2-Al2O3-ZnO-K2CO3微晶玻璃是一种白光LED潜在材料.     

荧光粉Li_2SrSiO_4:Dy~(3+),Eu~(3+)的阴极射线发光性能研究

通过高温固相法制备Li2Sr Si O4:Dy3+,Eu3+荧光粉,采用X-射线粉末衍射(XRD)和阴极射线光谱分别对其物相、阴极射线发光性能进行研究,并研究Dy3+离子掺杂量对其发光性能的影响.结果表明,Dy3+和Eu3+均作为发光中心进入到Li2Sr Si O4的晶格中并未改变其晶格结构;在0.5~5 k V的电子束激发下,发射光谱主要由Dy3+和Eu3+的f-f特征跃迁组成;随着Dy3+掺杂量的增加,Dy3+的发射强度先增强后减弱,说明存在浓度猝灭,而Eu3+的发射强度有所提高,说明Dy3+对Eu3+有一定的敏化作用;Dy3+的最佳掺杂量为0.15;随着电压和电流的增加,样品的发光强度逐渐提高.     

近紫外激发单一白光荧光粉Sr_3Y_2(GeO_4)_3∶Dy~(3+)的制备及其发光特性

采用高温固相法制备了Sr3Y2(GeO4)3∶Dy3+荧光粉,利用X射线粉末衍射、荧光光谱等分析手段对荧光粉样品进行了表征,分析了其发光特性.讨论了Dy3+离子掺杂浓度以及添加不同助熔剂对Sr3Y2(GeO4)3∶Dy3+荧光粉发光强度的影响,并计算了发光材料的色坐标.研究结果表明,样品在388nm近紫外光激发下发射出强烈的蓝光(481nm)和黄光(573nm);Dy3+浓度影响其发光强度,随着Dy3+浓度的增大,荧光强度增强明显,色坐标越接近纯白光色坐标(0.33,0.33);当Dy3+浓度达到12%时,样品的荧光强度最强,色坐标为(0.32,0.33).     

掺杂离子对Y_2O_2S:Eu红色长余辉材料发光性能的影响

采用高温固相法制备了Y2O2S:Eu3+,Si4+,Zn2+红色长余辉发光材料。通过发射光谱、XRD、余辉衰减曲线和热释光谱的测量,研究了在Y2O2S:Eu体系中掺杂Si4+,Zn2+离子对荧光体的发光与长余辉特性的影响。结果表明,Si4+,Zn2+离子的掺杂不影响发射光谱和晶体结构,但显著地影响材料的长余辉特性。当Si4+,Zn2+离子摩尔含量为0.06mol,并且Zn2+和Si4+的摩尔比为1:1时,样品的发光亮度最高,而且它的余辉衰减时间也最长。根据实验结果,探讨了Y2O2S:Eu体系荧光体的长余辉发光机理.