七种硝酸盐的拉曼散射

用Ａｒ￣＋激光器的５１４．５ｎｍ辐射做激励线采用９０￣°散射法测定了七种硝酸盐样品的拉曼光谱，给出了拉曼散射频移和谱线相对强度的实验结果     

光时域背向拉曼散射分布式光纤传感器与光频域背向拉曼散射分布式光纤传感器对比研究

分析了ROFDR分布式光纤温度传感器和ROTDR分布式光纤温度传感器的理论模型、算法和各自的特点，指出Rofdr分布式光纤温度传感器可以降低噪声、获得高的信噪比、测试时间短，和ROTDR分布式光纤温度传感器相比有明显的优势。最后对比了ROFDR分布式光纤温度传感器的仿真结果和别人获得的ROTDR分布式光纤温度传感器的实测结果，显示出ROFDR分布式光纤温度传感器非常低的温度误差和非常高的空间分辨率，也表明了ROFDR的诱人前景。     

配离子与表面增强拉曼散射

分析了银－分子系统的活位和配离子的性质，结果表明，配离子的地表面增强拉曼散射具有重要影响，即给银－碱必分子系统或银－酸性分子系统加入Ｃｌ＾－，Ｂｒ＾－，Ｉ等负离子时，ＳＥＲＳ信号分别增强或减弱。     

氢氧化钠的高压拉曼散射研究

采用金刚石对顶砧装置,利用原位高压拉曼散射技术对氢氧化钠(NaOH)进行了系统的高压实验研究.实验所达到的最高压力约为40 GPa,测量的波数范围为55～4 000 cm~(-1).在压力研究的范围内,NaOH于0. 9 GPa时发生了一次结构相变,为正交晶体结构(α)到NiAs结构(γ)的转变.压力继续升高至最高压力约40 GPa范围内,再无相变发生.利用MS中的CESTEP模块对NaOH常压相和高压相的拉曼光谱进行了理论计算,并对两种结构的振动模式进行了指认.     

反铁磁拉曼散射的压缩态

在量子力学研究领域中,人们发现了许多的非经典态,压缩态是其中的一类非经典态,由不确定性关系,处于压缩态的量子涨落小于相干态的量子涨落．人们期望利用这一性质去减少量子噪声,进行高精度信号的测量．所以玻色子的压缩态研究成为物理学研究领域很重要的研究课题．该文分析了二阶拉曼散射中温度因素对量子涨落的作用,讨论了温度对磁振子压缩态的影响,确定了压缩态存在的温度范围。     

高压氢受激拉曼散射中反斯托克斯散射的研究

高压Ｈ２受激拉曼散射（ＳＲＳ）是实现宽带激光移频的重要途径，在基础理论及技术应用研究两方面均颇具意义。本文讨论了高压氢受激拉曼散射中、反斯托克斯散射的两种空间分布。指出，随着外界条件的不同，反斯托克斯散射的空间分布是不同的。在一定的条件下，这个空间分布可以由环状散射和轴向散射共同组成。本文对二阶反斯托克斯散射进行了实验研究，获得了环状散射和轴向散射对Ｈ２压力和泵浦强度的依赖关系。实验结果与理论计算结果是一致的。     

单壁氮化硼纳米管拉曼散射强度的计算

利用非共振情况下的键极化模型理论,对单壁氮化硼纳米管的拉曼光谱强度进行研究.考察氮化硼纳米管结构、入射光和散射光的偏振方向以及管轴的取向对散射光强度的影响.计算结果表明:光的偏振方向对拉曼散射强度影响较大,而手性对拉曼光谱的影响较小.针对氮化硼纳米管样品的实际情况,给出无规取向氮化硼纳米管的拉曼散射强度.     

纳米硅的拉曼散射和可见光致发光

我们用射频共溅射技术和后退火处理,获得在石英、Si和Ge衬底上的纳米晶Si(nc-Si) Raman测量清楚地显示出nc-Si的类Lo模(～518cm-1)和类To模(～814cm-1),Raman峰的半高宽(FWHM)和积分强度也显示随退火温度Ta增加的变化,这一结果同nc-Ge/SiO2的情况类同,退火温度Ta=650℃时,nc-Si的平均尺寸为4.9nm 我们用514.5nm的Ar+激光激发,得到了室温可见PL,结果表明:PL谱在2.2eV处有一强的发光峰,与nc-Ge/SiO2相比,SiO2中nc-Si的PL峰更强,峰值能量较大,相应的Ta也较高,当Ta>800℃和Ta<600℃时,PL峰很弱 通过地研究膜中nc-Si的含量与PL峰之间的关系,表明nc-Si的含量对PL峰的积分强度有重要影响,对峰位影响不大,当Si/SiO2靶面积比为1∶1时,PL峰最强     

配离子与表面增强拉曼散射

分析了银－分子系统的活位和配离子的性质．结果表明，配离子的性质对表面增强拉曼散射具有重要影响．即给银－碱性分子系统或银－酸性分子系统加入Ｃｌ－，Ｂｒ－，Ｉ－等负离子时，ＳＥＲＳ信号分别增强或减弱．     

四氢吡咯吸附在银膜表面上的激光喇曼散射效应实验研究

本文研究了0.05mol/L四氢吡咯/0.10mol/LKCl体系吸附在化学沉积银膜上的表面增强喇曼散射(SERS)光谱。通过与正常喇曼谱比较,发现四氢吡咯吸附在化学沉积银膜上存在较强的SERS增强效应,并且一些谱带的位置发生了漂移。实验结果表明,四氢吡咯和银膜之间存在着强烈的相互作用。     

Raman散射线的强度

根据量子电动力学理论,给出了线性 Raman 效应中,相应的 Raman 散射强度公式;讨论了在激光辐射扬激励下,一般受激 Raman 散射的一些特点.     

半导体表面吸附分子的表面增强喇曼散射

本文介绍了半导体材料表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)研究工作.至今,人们主要在二类半导体材料表面进行了SERS 实验:一类是半导体材料表面吸附分子的SERS 实验;另一类是被银修饰了的(silver-modified)半导体材料表面吸附分子的SERS 实验.文章还简单介绍了对半导体材料表面SERS效应所作的理论解释.最后对半导体材料表面SERS 研究的发展和应用前景作了展望.     

TSCZC单晶的简正振动和一级喇曼散射

对金属有机络合物Zn(NH_2CSNHNH_2)Cl_2(简称TSCZC)的晶格振动进行了群论对称性分类,在各种不同的几何配置下获得其偏振喇曼散射;对其中主要峰的归属进行了分析认定;与Ca(NH_2CSNHNH_2)Cl_2单晶的喇曼谱进行了对照,分析了二者存在较大差异的原因。     

掺钽和变温对铌酸锂晶体拉曼谱的影响

研究了LoTa_xNb_(1-x)O_3(x=0,0.0013,0.0052,1)晶体的拉曼光谱及拉曼散射随温度的变化.实验证明,随着晶体中含铅量的增加及温度的升高,拉曼谱峰红移,散射强度减小,峰宽增加.杂质钽的引入会改变晶体的内应力;温度的升高会增加模式振动的阻尼、晶格振动出现“失稳”,是造成上述现象的原因。     

TiO_2/Ag表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)光谱

本文报道了TiO_2/Ag修饰基底材料上吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)光谱研究,通过扫描电镜观察了TiO_2/Ag的表面形貌,研究了Cl~-和激光照射对其SERS光谱的影响.