首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
论述了国内外电容器级高压钽粉、中压钽粉、高比容钽粉的生产工艺发展过程。在钽粉生产工艺发展过程中,各种先进的装备被应用,各钽粉生产厂家围绕着钽粉比容的提高,杂质含量的降低,物理性能的优化等综合性能的改善,不断开发出新工艺、新技术,使钽粉适应并推动着钽电容器的发展。  相似文献   

2.
为了制备优质的钽阳极块,以钠还原法生产的电容器级超高比容金属钽粉(FTW200K)为主要原材料,并添加化学粘结剂为辅助原材料制备钽阳极块。利用扫描电镜、粒度分析仪对不同粘结剂、不同脱蜡工艺参数条件下制备的阳极块进行内部钽粉颗粒存在的物理形态及结合方式、压制成型和脱蜡后钽阳极块内部的钽粉颗粒度和孔隙度进行观察和分析。结果显示:化学粘结剂的加入有助于超细金属钽粉颗粒间的粘结,实现金属钽粉压成胚块,但也是形成钽阳极芯子毛胚块外部和内部质量缺陷的主要原因之一。通过现场对比试验,最后通过对真空脱蜡等工艺参数的计算设计和有效控制,完全能够制备出钽粉颗粒分布均匀,孔隙度良好的钽阳极块。  相似文献   

3.
对比分析湿式检测电容器级钽粉频率对其比容、损耗的影响,讨论钽粉颗粒形貌、粒径对其频率特性的影响.结果表明,低、中、高压钽粉的比容和损耗随着频率的增加呈现减小和增大的趋势,其中,中压FTP系列和高压FTD系列钽粉的频率特性较低压高比容FTW系列钽粉的好;钽粉颗粒结构越简单、粒径越粗大,其频率特性越好.  相似文献   

4.
铜丝除钒精制四氯化钛所排废弃物中含有丰富的钒、铜、钛等资源。进一步研究结果表明,该废弃物中铌、钽含量也很高。其中铌含量可达到2.66%,钽含量可达到0.29%,远高于铌钽的工业品位,是一种新型的铌钽资源。该废弃物中的铌钽应为钛铁矿伴生稀有元素,在四氯化钛制备过程中,经过钛铁矿选冶、富钛料高温氯化、粗四氯化钛精制等工艺过程富集而形成。  相似文献   

5.
江西宜春雅山铌钽矿是钦杭成矿带上以铌钽为主,伴生有锂、铷、铯等稀有金属的超大型综合矿床。长期以来,对雅山铌钽矿的成矿机制存在不同的认识,在系统的野外实地调查基础之上,总结了铌钽矿成矿特征,分析了矿床成矿机制及矿床成因。雅山地区铌钽矿为岩浆晚期交代矿床,岩浆高度分异演化实现了铌钽等稀有金属元素的初始富集,岩浆期后热液流体的交代作用才是该地区铌钽矿成矿的关键因素。  相似文献   

6.
研究了钽丝拉制前的氧化处理,并对比了加热氧化、阳极氧化和不氧化3种情况下钽丝的拉制性能及其氧含量随钽丝深度的变化.研究结果表明,用加热氧化法同样可以拉得优良的钽丝,但加工工艺应与阳极氧化的工艺有所不同.  相似文献   

7.
文章简要地回顾了九○五厂钽铌工业发展历程,并与世界钽铌工业作了对比分析。以详实的资料和基础数据,清晰地描述了我国钽铌工业发展现状和技术发展历程及其在世界钽铌工业发展中所处的地位和竞争能力;充分阐明了我国稀有金属钽铌资源及其在冶炼、加工技术领域中所存在的问题和面临的形势。从国家安全角度及行业整体发展的高度,提出了对国内稀有金属钽铌行业进行重组整合和积极开发国外资源的可持续发展的战略构想。  相似文献   

8.
企业主导产品电容器级钽粉和钽丝95%外销;全世界每10部移动电话中,就有4部使用该厂生产的钽丝:现已成为世界钽冶炼加工行业三强之一的宁夏有色金属冶炼厂,令世界同行刮目相看的缘由是——  相似文献   

9.
据统计钽产量的大部分都被用做多孔钽的制备,以满足航空,电子,医学等方面对钽的需求。本文概述了多孔难熔金属的制备方法,并着重介绍了多孔钽的制备,在此基础上讨论了新的制备方法。  相似文献   

10.
为实现对某伟晶岩型钽铌矿床的绿色、资源化高效利用,采用XRF,XRD,SEM-EDS和化学定量分析等检测手段分析钽铌原矿性质,通过重选、浮选和磁选研究钽、铌及非金属矿物的回收,并考查回收的长石、石英和云母矿物的应用.研究结果表明:原矿金属矿物主要为钽铌锰矿和细晶石,非金属矿物主要为长石、石英和云母;Ta2O5和Nb2O...  相似文献   

11.
涂钽的镍基合金在900℃熔融的K_2TaF_7—KF—NaF系混合盐里腐蚀实验表明,涂钽层的耐腐蚀性能比纯钽高,这和基体的合金元素有关。涂层样品经金相、电镜、电予探针观测证明,沉积温度1050℃时的涂钽层耐氟化物熔体腐蚀较为理想。  相似文献   

12.
目的 研究合成金属钽有机化合物的新方法.方法 以金属钽为阳极,采用牺牲阳极的电化学法合成不同烷氧基的钽化合物,经过减压精馏得到高纯化合物.结果 合成了3种不同烷氧基的钽化合物,利用红外光谱对产物进行了结构表征,发射光谱进行了杂质元素分析测试,产品纯度达99.995%.结论 该方法具有反应条件温和、操作简便、易于纯化的优点,合成的高纯烷氧基钽可以有效改善不溶性阳极涂层的电化学性能和耐久性能,大大提高阳极的应用能力.  相似文献   

13.
对本区稀有元素花岗伟晶岩矿床进行铌钽矿物学的研究过程中,首次确认这里有钽铋矿存在。它和其它铌钽矿物密切共生,出现在Cs—Ta型伟晶岩的交代结构带中,钽铋矿在此类型矿床中的分布,无论在国内、国外都是少见的。  相似文献   

14.
为了研究渗钽层对合金表面烧蚀性能的影响,利用双层辉光等离子渗金属的方法,在34CrNi3Mo钢表面制备了渗钽层,研究了渗钽层的表面形貌、相结构、元素分布、硬度以及渗层与基体结合力的变化情况,并对其烧蚀性能和耐蚀性能进行试验研究.结果表明:渗钽层主要由体心立方α相钽组成,沉积层深度约为10μm,扩散层深度约5μm;渗钽层表面硬度约500HV_(0.2),与基体的结合力约65N;在相同的工况下,渗钽层的耐烧蚀性能优于基体,并能够阻止C、N与基体形成脆化层;随着脉冲烧蚀次数增加,烧蚀面积增大,但烧蚀深度均较浅;在高功率脉冲烧蚀工况下,渗钽层可以减轻金属的熔融和气化,从而提高了基体的耐烧蚀性能.  相似文献   

15.
郑平英 《科技资讯》2014,12(25):73-73
运用传统的分析方法对矿石样品中的铌、钽元素进行检测将会受到较多元素的干扰,实验操作难度较大,因此矿石样品中铌、钽元素的检测结果的准确度达不到实验要求,且实验时间较长。铌、钽元素的化学性质较为接近,因此对矿石样品中的铌、钽进行检测时可以先用微波消解对矿石进行加热,然后将样品加入到氢氟酸溶液中,再用酒石酸对溶液进行处理。  相似文献   

16.
烧结温度对钽电容器阳极坯块性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以两种不同纯度的钽粉为原料,配六种不同类型的钽丝为引线,压制成形并以五种温度分别进行烧结,然后,测其电容量、漏电流、孔隙度以及引线的抗脆能力、硬度并取其金相组织。由数据可知,随烧结温度提高,电容量降低,漏电流减少。当烧结温度超过1800℃时,漏电流降低至×10~(-4)μA/μF·V;当超过1900℃时,电容量和孔隙度都趋于稳定,但烧结温度提高,引线的抗脆能力变差,并在1900℃时不合格的几率最大。这证明,烧结温度对材料的电性与抗脆性有明显的影响。由数据可知,以掺杂钽丝作引线的坯块,其电性符合要求,抗脆性也得到改善。掺杂钽丝和钠还原钽粉制的纯钽丝,其抗脆性优于碳还原钽粉制的纯钽丝和以熔炼锭坯制的纯钽丝,由金相照片可见,易脆引线的晶粒粗大且晶界平直,而抗脆好的引线,其晶粒细小井呈细条状或纤维状。由硬度可知,坯块中的气体杂质向引线渗透。  相似文献   

17.
雅山414和灵山松树岗钽铌矿是我国两个超大型以钽铌为主的稀有多金属矿床,两者都处于钦杭成矿带江西段内,属花岗岩型钽铌矿,分布于小型岩株的顶突部位,为似层状厚大矿体.通过对比分析研究,发现两者在诸多相同成矿特征的基础上尚有许多细微差别.雅山414钽铌矿钠长石化蚀变由上至下递减,而松树岗钽铌矿正好相反,由上至下是递增的;雅...  相似文献   

18.
高致密、结晶好的钽酸锶铋陶瓷靶由SrCO3、Bi2O3和Ta2O5粉末混合、预烧、压模和烧结而成,预烧和烧结温度范围分别为900~1000℃和1000~1400℃。用脉冲准分子激光沉积技术制备得到非晶钽酸锶铋薄膜,在氧气氛下经退火得到多晶钽酸锶铋薄膜。XRD分析得到钽酸锶铋薄膜择优取向以(008)和(115)为主;TEM分析得到钽酸锶铋薄膜晶界清晰、结构致密,平均晶粒大小约为20nm,薄膜的界面清晰、陡峭,厚度约为200nm。  相似文献   

19.
采用模压和真空热压烧结工艺制备了钼铌和钼钽两种钼合金靶材,以薄膜半导体-液晶显示器(TFTLCD)无碱玻璃为衬底,磁控溅射沉积了不同厚度的钼薄膜。利用场发射扫描电镜和共聚焦显微镜表征了靶材显微组织、元素面分布以及薄膜微观形貌。借助四探针测试仪测试了薄膜的方阻值,研究了铌和钽合金化对钼薄膜导电性的影响。研究结果表明:铌、钽合金化均可细化靶材晶粒,且靶材晶粒均无明显择优取向。钼铌和钼钽两种合金靶材平均晶粒尺寸分别为70.02μm和34.43μm。相同溅射工艺参数下,钼铌和钼钽合金薄膜厚度分别约为200 nm和240 nm。钼铌合金薄膜平均方阻为15.68Ω/□,钼钽合金薄膜平均方阻为22.00Ω/□。钽合金化后,钼靶材晶粒细化更为显著,晶粒尺寸分布更加均匀,薄膜沉积速度更快,且表面粗糙度较小,导致钼钽合金薄膜方阻增长较大。  相似文献   

20.
片状钽粉制备的电容器因具有耐烧结性好、可靠性高、耐电压性好等特点,广泛应用于军用电子元件中.基于1967年至今国内外片状钽粉制造技术专利,对其进行定量和定性分析.结果显示,国内外片状钽粉制造技术已处于成熟阶段,前二位申请人分别为美国的CABOT、中国的OTIC.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号