基于NEC单片机的电容式湿度传感器测量电路

根据电容式传感器等效形式的特点,利用NEC单片机,实现了对电容式湿度传感器容量和品质因数的测量。     

电子皮带秤仪表的以太网通信实现

介绍了基于51单片机的电子皮带秤二次仪表以太网接口的设计方法。该设计采用51单片机系列的ADuC845作为主处理器,以太网控制芯片采用NEC28J60,并将uIPTCP/IP栈嵌入到单片机中,实现了电子皮带秤二次仪表与上位机的以太网通讯。     

单片机应用前景广阔

单片机是指在一块拇指大小的芯片上集成了中央处理器CPV、存贮器RAM, ROM、定时器等多种输入/输出接口电路,一块单片机芯片包括了一合完整微型计算机的全部基本单元。随着电子技术和计算机应用的发展,单片机广泛应用于工业自动控制、智能化仪表、计算机外部设备的控制和顺序控制、家用电器、计算机网络、并行处理等系统中,同时,由于许多新颖技术应用于单片机,使单片机的功能趋向于多样化、专用化,指令的功能越来越强。目前,世界上的单片机以Intel、Motorala、 NEC、 Eilog等公司的产品居多,这些公司的单片机主要用于控制和仪器,如工厂中的数控机床、自动生     

实时操作系统中改进的分层时间车轮算法

通过分析时间车轮算法,提出一种针对于实时操作系统的任务延时机制的改进算法,并移植到NEC78K单片机进行性能测试．通过分析证明,该算法能够可靠的提高时钟中断响应速度和时钟精确度,进而提高操作系绕的实时性．     

智能型热水器的控制系统设计

设计了一种主要应用于对水温精度有较高要求的实验场所或者工业生产环境的电热水器智能控制系统．系统以NEC78k0513D单片机为核心,Ptl00为温度传感器,系统软件采用模糊比例积分微分（PIDpotion_Inte．grafion-Differential,PID）控制算法实现智能控制,电路简单高效实用．系统改善了普通水温控制方法单一的问题,具有动态响应快、温度精度高等特点．     

红外电机控制系统在综合设计实验中的应用

针对综合设计性实验,设计基于红外通信的电机控制系统,利用红外遥控控制直流电机的运行状态。系统以STC89S52单片机为核心,红外通信协议采用RC5或NEC格式,电机驱动使用H桥或L298N芯片,利用PWM波对电机进行调速等控制,具有显示等功能。实验过程中,将实验内容层次化、开放化,增加学生的选择性和主动性,取得了良好的教学效果。     

早产极低体重儿坏死性小肠结肠炎肠道菌群变化研究进展

新生儿坏死性小肠结肠炎（NEC）为一种肠胃道急症,尤其在早产极低体重儿（VLBWI）中更为常见,早产VLBWI中的致死率达30%。NEC发病机制目前并未得出定论,临床观察多认为与早产、分娩与喂养方式、肠缺血及感染等因素之间存在必然联系。近些年生物检测领域取得了较大进展,研究显示肠道菌群与NEC之间存在关联,且肠道菌群的异常变化通常较早于NEC。作者就早产VLBWI发生NEC与其肠道菌群之间的变化关系展开阐述,结合临床观察探讨及相关研究进展成果,为临床诊断及治疗提供更多参考。     

温田学：是真金总会闪光

1983年，温田学来到日本工作由于自己出色的成绩，1987年，温田学被派到日本著名的佐乌株式会社工作，为日本著名汽车音响公司进行单片机控制应用软件的设计在日本。他孜孜不倦地沉醉在研究与设计工作中，取得了骄人的成绩从1994年到2000年，温田学还负责为NEC推广家电产品应用设计设立研发中心这些经历为他以后的成功奠定了基础。1995年，他回国担任香港佐鸟深圳代表处首席代表。     

新生儿坏死性小肠结肠炎中细胞死亡机制的研究进展

坏死性小肠结肠炎(Necrotizing Enterocolitis, NEC)是由多因素作用导致的肠道急性炎症性疾病,是早产儿主要的死亡原因之一。以往的研究认为,细胞凋亡是NEC中肠上皮细胞最主要的死亡形式。但近年来的研究发现,程序性坏死(Necroptosis)、细胞焦亡(Pyroptosis)及铁死亡(Ferroptosis)等非凋亡形式的程序性细胞死亡(Programmed Cell Death, PCD)也可能参与到NEC的发病机制中,不同形式的细胞死亡的信号调节通路不同,可能会相互影响或存在共同的调节机制如细胞广泛凋亡小体(PANoptosome)等。本文综述了非凋亡形式的不同类型程序性细胞死亡方式及其信号调节通路,以及其在NEC中的作用机制,并提出NEC诊断生物标志物或防治的新靶点,以期为临床NEC的预防和管理提供思路。     

开关柜内部故障电弧产生压力冲击的辐射模型

基于磁流体动力学法研究了开关柜内空气故障电弧的辐射模型。采用净辐射系数(NEC)法、半经验NEC和P1三个辐射模型,计算了密闭开关柜内部空气故障电弧的辐射传递过程和压力冲击效应。通过将三个模型计算的压力上升和试验结果进行比较,确定了适于故障电弧计算的辐射模型。重点分析了半经验NEC模型中重吸收层的起始温度边界对压力上升的影响。结果表明低温区域的重吸收效应严重影响故障电弧的能量输运,进而影响内部压力上升。和NEC模型相比,P1模型和半经验NEC由于考虑了重吸收效应更适合于故障电弧的压力计算。采用P1和0.7α0.83的半经验NEC模型(α为重吸收区域的起始温度边界的可调参数)所计算的压力上升更接近于试验结果。