法拉第的创造思维

<正>创造的诀窍研究科学家们的创造性思维,是学习创造的重要途径。一百多年前的英国杰出的物理学家和化学家法拉第创立了电磁感应定律,为今天的电气文明时代立下了不朽的、功勋的构想,也许会点燃你今天的创造性思维的火花。     

法拉第室的优化设计

通过四频差动激光陀螺中法拉第效应工作的原理，讨论了法拉第室的优化设计应该注意的各种问题，提出了新的法拉第室磁环结构。     

法拉第对静电感应现象的研究

通过研究《法拉第日记》及其它资料,详细叙述了法拉第对静电感应现象研究的实验过程,并对其该阶段的科学思想进行了分析和探讨,说明了法拉第进行静电感应现象研究的指导思想．本文指出：法拉第这一阶段的研究是以理论为先导,指导思想受到其关于电解现象研究的直接影响;法拉第在此过程中开始形成电现象统一理论,是其力线和场理论思想发展过程的关键一步．     

法拉第效应的光信号处理

本文介绍了一种实用的磁致旋光效应信号处理系统。系统采用分光双路检测,具有高共模抑制比和信噪比。文中分析讨论了系统的设计思想、主要特性和功能,并给出结果。     

低温强磁场下NdF_3法拉第效应的计算

用量子理论得出求解NdF3磁光效应的近似方法。计算得到了在温度为15 K、18 K和25K时,外磁场C轴磁化的法拉第旋转角与外磁场的变化关系,其结果与实验值吻合较好。     

法拉第对地磁电感应现象的研究

通过研究《法拉第日记》及其他资料,详细叙述了法拉第对地磁电感应现象的研究过程,并对其该阶段的科学思想变化情况进行了探讨.指出:法拉第研究地磁电感应现象受到了地磁学研究的影响;通过研究地磁电感应现象,法拉第发现了电力、电流和电阻三者之间的相互关系,揭示了欧姆定律的内容.     

法拉第场思想的再认识

法拉第的场思想被忽视的原因可能有两个方面：（１）法拉第首先是一个传大的实验物理学家;（２）场论的思想在麦克思韦和赫兹的工作之后才被物理学普遍接受,其实,在比麦克斯韦早半个世纪以前,法拉第不仅创立了场的思想,而且已经发展的十分丰富和全面了。本文的目的的旨在通过翔实的史料,重新认识法拉第场思想的形成和在物理学上的重要地位。     

法拉第效应的光谱测量法

设计了一种在室温和低磁场条件下．用光谱法测量法拉第效应的实验方法．利用多通道分光光度计,测量自然光通过顺磁性玻璃材料时的法拉第旋转谱线．得到费尔德常数与不同波长光线的关系曲线．从而方便、直观地揭示出自然光的旋光色散现象．     

NO分子的法拉第效应激光磁共振光谱

叙述了利用法拉第效应激光器共振方法对ＮＯ分子进行定量测量，从理论上给出了光谱信号幅值的数学表达式以及信号与分子浓度，调制磁场强度等实验参数的依赖关系，实验结果与理论分析一致。     

析法拉第寻求光电联系的实验

对法拉第日记中有关法拉第寻求光电联系的实验记载进行研究.结果表明,1822年法拉第为探求物质在电作用下的变化情况,采用类似毕奥观察晶体的自然旋光的方法,做了偏振光和电流同时穿过液体的实验,这在客观上是探求光电之间的联系;他持有的自然界的力具有普遍联系的哲学信念以及受莫里奇尼的影响,使他认为电对偏振光有作用,并做了诸多实验,但均以失败告终,原因在于其思想超前于时代条件; 在晶体的自然旋光效应被发现的背景下,法拉第寻求光电联系的探索契合历史要求,是发现磁致旋光效应和电光效应的先导.     

基于法拉第效应的光纤磁场传感技术

针对亚铁磁材料阐述了基于法拉第效应测量磁场的理论基础，讨论了传感器的响应特性和方向性，并分析了传感器的频率响应和噪声特性。对于3mm长的YIG(Yttrium Iron Garnet)样品，当B≤60mT时，传感器的输出为线性而且没有滞后作用；在80Hz的频率点的噪声相当于10nT／√Hz磁场，传感器的频率响应在2．5MHz—700MHz以内是基本平直的。这些指标说明基于法拉第效应的光纤磁场传感器适合脉冲磁场的测量。     

论法拉第的宗教信仰对他科学工作的影响

本文通过具体的科学史料,对法拉第的宗教信仰同他的科学研究之间的关系进行了深入地探讨。认为他的宗教信仰对他的科学态度、思想方法以及认识论等方面都有明显的影响。     

法拉第电磁感应实验的研究

在研究法拉第电磁感应定律和电动力学中有关天线理论的基础上,将电磁波的接收装置—半波天线加以改进,应用到法拉第电磁感应实验中去,即能方便直观地验证法拉第电磁感应定律,也能形象地诠释麦克斯韦方程的物理意义.     

Cd1—xMnxTe的巨大法拉第旋转效应

测量了半磁半导体Cd_(1x)Mn_xTe单晶的巨大法拉第旋转效应,并研究了Cd_(1-x)Mn_xTe法拉第旋转随组分x及温度的变化规律。局域的Mn~(2+)离子与导带类s电子及价带类P电子之间的自旋—自旋相互作用引起了Cd_(1-x)Mn_xTe中反常大的塞曼分裂,从而导致巨大法拉第效应的产生。激子跃迁在半磁半导体法拉第效应中起主导作用。