基于应力敏感系数的硅酸镓镧晶体声表面波应力敏感特性

从叠加偏载的运动方程出发,借助微扰理论推导了压电晶片上声表面波波速的应力敏感模型,提出了应力敏感系数的概念,计算了硅酸镓镧在二维旋转空间的应力敏感系数.讨论了应力敏感系数的应用,在平面应力条件下提出并验证了仅用2个系数(1α1 2α2=0)就可以方便地确定出晶体的应力补偿切向.通过对石英和硅酸镓镧两种晶体的理论计算和实验比较,证明了所提理论和方法的正确性.     

硅酸镓镧、钽酸镓镧和铌酸镓镧的声表面波传播特性

计算了硅酸镓镧、钽酸镓镧和铌酸镓镧的不同切向和传播方向的声表面波(SAW)传播特性，并对其和石英晶体上相应切向和传播方向的SAW传播特性做了对比分析．计算结果表明，这3种材料的SAW传播速度一般比石英低1km／s左右；和石英一样，具有零温度切向和纯模方向；机电耦合系数k^2却远高于石英，其中钽酸镓镧的k^2最大．对不同材料常数进行了对比计算，结果表明，不同材料常数的SAW传播特性有明显的差异，其中以频率温度系数差异最大．     

胶层对声表面波扭矩传感器特性影响分析

为了研究胶层对声表面波（SAW）扭矩传感器特性的影响,建立了包括胶层在内的扭矩敏感模型。利用微扰理论得到扭矩载荷与SAW谐振器频率偏移量之间的关系,采用剪滞理论分析了胶层对SAW扭矩灵敏度的影响;根据Maxwell模型建立了胶层松弛时间谱,得到了应变传递响应时间,通过数值计算分析了不同弹性模量、不同胶层厚度的响应时间。...     

硅酸镓镧晶体的旋光及声学性质研究

研究了新型压电材料硅酸镓镧的旋光性质和声学性质．实验得出硅酸镓镧的旋光率p比石英小;旋光率色散满足渡尔兹曼方程,并由克里斯托夫方程推导出声光沿硅酸镓镧晶体x,y,z轴的传播特性以及声波沿着yz,xy,xz3个面的慢度(倒速度)曲线方程,并绘制了3个主晶面内声的慢度分布曲线图,以便于LGS纯切变波、准纵波和准切变波波速的计算。     

锶镁搀杂的镓酸镧基固体电解质粉末制备方法的研究

制备锶镁掺杂的镓酸镧基固体电解质的湿化学法主要包括柠檬酸-硝酸盐合成法、溶胶-凝胶法、丙烯酰胺凝胶法及甘氨酸-硝酸盐燃烧法等;文章简要阐述了湿化学法制备锶镁掺杂的镓酸镧基固体电解质粉末的工艺流程、制备粉体性能及优缺点;并用X射线衍射对溶胶-凝胶法、甘氨酸-硝酸盐燃烧法制备的粉体相组成进行了研究,结果表明甘氨酸-硝酸盐燃烧法制备的粉体,具有较高的纯度。     

硅酸镓镧晶体的喇曼散射及密度泛函研究

根据空间群理论（SPT）计算了硅酸镓镧晶体(La3Ga5SiO14,简称LGS)的喇曼光谱,并测量了LGS的室温喇曼光谱.根据晶体结构,构造了3个团簇（La3Ga4O12, La3Ga3SiO12和La3Ga2Si2O12）,利用密度泛函理论(DFT)对喇曼光谱进行了计算和模拟.结果表明理论与实验非常吻合,LGS良好的压电性起源于3个团簇大的极化率各向异性.     

多层氧化物薄膜气体敏感特性的研究

报道了采用ＰＥＣＶＤ方法制备多层薄膜材料，研究了不同结构薄膜材料的气敏特性，制得了具有优越性能的ＮＯｘ、乙醇和ＴＭＡ气体传感器     

基于声表面波谐振器的三维纳米团簇敏感薄膜关键技术研究

设计了一种新型基于声表面波技术的气体传感器,理论分析了三维纳米线结构的比表面积大、灵敏度高等优点,采用具备高Q值和低插损的谐振型声表面波器件结构,制备了三维敏感膜结构的声表面波气体传感器.在此基础上,为提高吸附效应,对三维纳米线簇进行了修饰改进.通过将沙林气和芥子气注入放置了声表面波的气体传感器密闭腔体内,经过神经网络识别系统进行定性识别.实验结果表明,基于修饰改进后的纳米线簇敏感膜制备的声表面波气体传感器对给定毒气混合气体的整理识别率大于90%,能够满足通用的毒气定性检测要求.并且三维纳米声表面波气敏传感器的灵敏度和响应速度优于传统的传感装置,在识别系统加大样本数据量时,能够进一步提高识别精度.     

薄膜式压力传感器温度特性的研究

本文给出了薄膜式压力传感器在膜片非张紧情况下的力学模型,并在此基础上用瑞次(W Ritz)法导得膜片中心的轴向位移方程.在考虑了膜片与垫片不同材料的热力学及弹性参数的情况下,获得了膜片推动压力与温度的关系.按照上述关系计算的结果与实验数据符合良好.利用作者导出的公式在预测传感器特性时,仅需很少的实测工作量.     

谐振式SAW压力传感器敏感元件研究与设计

量程和温度特性是传感器的两个主要指标,SAW压力传感器的量程由基片材料的结构尺寸决定,温度效应一般采用双端对谐振器来消除,目前关于两个谐振器的位置确定还没有一个确定的方法。通过力学分析得出了圆形石英膜片的半径、厚度、和最大载荷的关系;对石英圆形膜片的应力应变关系进行了有限元数值计算,得出了正负应力在圆形石英膜片的分界点,为设计SAW谐振式压力传感器的物理结构和合理的安排谐振器的位置提供了依据。     

一种测量电光旋光晶体La3Ga5SiO14电光系数γ11的新方法

从理论上对激光处于电场中的旋光晶体传播方程进行了研究,应用琼斯距阵理论分析了入射到晶体表面和透过晶体的光的偏振态,推导出了透过晶体出射的光为线偏振的条件,利用旋光晶体电光系数γ_(11)与施加电场的电压V和晶体角度α的关系,通过实验,测量了La_3 Ga_5 SiO_(14)晶体电光系数γ_(11)为2．2×10~(-12)m/V．     

C_3H_7Br分子光解离的从头算研究

采用考虑了旋轨耦合的从头算方法计算研究了C3H7Br的光解.计算了C3H7Br分子的若干电子态的垂直激发能.用MS-CASPT2/CASSI-SO方法计算了C3H7Br分子C—Br解离的势能曲线.根据计算结果清晰地指认了C3H7Br分子的解离通道:C3H7+Br(2P3/2)和C3H7+Br*(2P1/2).     

(Me2InN3)n(n=1～3)簇合物的结构,IR和热力学性质的理论研究

采用密度泛函理论B3LYP/Lanl2dz方法,计算研究了(Me2InN3)n(n=1～3)簇合物的结构和性质.研究表明,环状多聚体(Me2InN3)n(n=2～3)的优化构型均为由不同子体系的叠氮基α-N和In原子相连形成的环状结构.三聚体的船扭式构象比椅式构象的能量低3.76 kJ/mol.比较分析几何参数后发现Na-In、Na-Nβ、Nβ-Nr和In-C键键长随聚合度的变化趋势,环状构型中In-Na-In键角总是较Na-In-Na键角大.同时对所有优化构型进行振动频率计算,并对其IR谱进行归属.通过热力学计算,发现三聚体的船扭式构象较椅式构象稳定.由298.2 K焓变和Gibbs自由能变可知,单体形成二聚体和三聚体在热力学上是有利的,而由二聚体形成三聚体的Gibbs自由能则变为正.     

聚3-甲氧基噻吩对二巯基噻二唑的电化学改性的研究

研究了聚3-甲氧基噻吩(PMOT)膜电极在2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑(DMcT)溶液中电化学处理或浸泡后的循环伏安(CV)曲线的变化规律,并研究了一定量的PMOT对DMcT充放电性能的影响。实验结果表明,PMOT膜电极在DMcT溶液中进行电化学处理或浸泡过程可使DMcT进入PMOT膜内部与PMOT形成复合物。PMOT对DMcT的电化学催化作用可能和二者之间形成的电子给体-受体复合物有关.该复合物的电化学氧化还原特性不同于PMOT和DMcT,其氧化还原反应速率和可逆性均优于DMcT,且经过PMOT催化改性后,DMcT的放电容量得到了增加,循环性能有了很大改善。     

聚3-甲氧基噻吩对二巯基噻二唑的电化学改性的研究

研究了聚3-甲氧基噻吩(PMOT)膜电极在2,5-二巯基-1,3,4-噻二唑 (DMcT)溶液中电化学处理或浸泡后的循环伏安(CV)曲线的变化规律, 并研究了一定量的PMOT对DMcT充放电性能的影响。实验结果表明,PMOT膜电极在DMcT溶液中进行电化学处理或浸泡过程可使DMcT进入PMOT膜内部与PMOT形成复合物。PMOT对DMcT的电化学催化作用可能和二者之间形成的电子给体－受体复合物有关。该复合物的电化学氧化还原特性不同于PMOT和DMcT,其氧化还原反应速率和可逆性均优于DMcT, 且经过PMOT催化改性后, DMcT的放电容量得到了增加, 循环性能有了很大改善。     

用 1HNMR研究(1-羟基-3-氧-亚丁基)丙二酸亚异丙酯的关环反应机理

通过变温１ ＨＮＭＲ研究（１－羟基－３－氧－亚丁基）丙二酸亚异丙酯的关环反应机理