晶体Si和GaAs太阳电池背场结构的研究

文章从理论和实验上分析了Si太阳电池和GaAs太阳电池各自背场结构特点，指出它们之间的异同。     

N型GaAs少子扩散长度的温度特性

根据 Sturge 和Hwang 的实验数据,通过计算机拟合、内插方法获得了所需能量范围内 13种温度的 GaAs 吸收谱。在此基础上,采用表面光伏方法在 21～320 K 温度范围内测试了不同掺杂浓度的 N型 GaAs样品的少子扩散长度。得到了一组反映少子扩散长度温度特性的实验曲线,并由实验曲线得到可用于计算不同温度下少子扩散长度Lp(T)的经验公式。     

半导体材料和器件的少子扩散长度随工艺跟踪测量

在同一设备上综合地应用表面光伏谱、结光伏谱和光电流谱三种方法对半导体材料和器件的少子扩散长度做随工艺的非破坏性跟踪测量．本方法具有设备简单、方法容易、不破坏样品等优点，可作为监测材料质量和器件工艺水平的重要手段．     

低压MOCVD法生长GaAs／Si单晶膜及膜的特性研究

本文通过低压ＭＯＣＶＤ方法，采用改进的两步法工艺，即基片表面的高温处理一生长过渡层－退火－外延生长－退火工艺，在向［０１１］方向偏３°的Ｓｉ（１００）衬底上生长了ＧａＡｓ膜，并对外延膜进行了Ｘ射线衍射，喇曼散射和光致发光分析．发现Ｘ射线衍射曲线光滑尖锐，无杂峰，（４００）峰的摇摆曲线很锐，喇曼散射谱中ＴＯ峰与ＬＯ峰的强度比ｌＴＯ／ｌＬＯ很小，光致发光谱的半峰宽只有１２．４ｍｅＶ，说明在Ｓｉ上异质外延的ＧａＡｓ单晶膜具有相当好的质量．     

Si夹层对GaAs/AlAs异质结的影响

用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。     

高温热退火时异质结薄膜CeO_2/Si界面扩散-反应的机理研究

基于CeO2／Si异质结在氧气氛下高温退火界面存在扩散反应过程，建立了扩散－反应方程，对有关的实测数据进行了计算机拟会，其结果与实验能很好地吻合．不同温度下的拟合结果还表明，异质结界面处O，Ce，Si的扩散系数及Si的氧化反应系数均随温度指数上升，并计算出扩散反应激活能．     

碳化塔结构对碳酸钙晶体质量影响分析

碳化塔结构的不同,会影响在碳化反应完成后所形成的碳酸钙晶体质量,本文针对不同结构的碳化塔进行了介绍并提出结构的改进措施,分析了其结构的差异和变化对碳化反应生成物碳酸钙质量的影响,通过对碳化塔结构的设计和改进,为工业化生产制备碳酸钙中,获取不同规格和品质的碳酸钙提供依据.     

P-GaAs层少子扩散长度对AlGaAs/GaAs太阳电池效率的影响

为寻找提高AlGaAs/GaAs异质面太阳电池效率的方法,用He-Ne激光实测了一组结构相似电池的效率η和P-GaAs层少子扩散长度L的关系曲线。实验曲线的拟合分析和理论曲线的计算机模拟都表明:η随L的增加或P-GaAs层厚度的减少而增大,最终趋于饱和值η_(max)。若要进一步提高η值就必须改变P-GaAs层以外的参数。计算机分析表明,减少AlGaAs层厚度,减少反向电流密度和品质因子是进一步提高η的有效途径。巳用此方法研制出在AM1下η～20％的高效AlGaAs/GaAs电池。     

纳米Si3N4对反应烧结Si3N4结合SiC材料的影响

利用反应烧结机制 ,在 14 5 0℃制备了 Si3N4结合 Si C材料 ,研究表明 ,在引入微量纳米 Si3N4粉后 ,材料的力学性能得到明显提高 ,材料的组织也更加致密和均匀。通过 X-ary、扫描电镜等技术手段分析表明 ,由于纳米 Si3N4粉的高表面能、高活性以及颗粒小等特点 ,加大了反应生成的 Si3N4在纳米 Si3N4上沉积的几率 ,增大了氮化率 ,效果显著     

红外光谱法检测LPEIn1—xGalxAsyP1—y晶体质量优劣的研究

通过红外光谱检测ＬＰＥＩｎＧａＡｓＰ材料带边发光强度和光谱线型的空间分布检测材料带边辐射复合效率和均匀性，对引起光致发光强度衰减及半谱半宽度起伏的物理原因进行了分析，并用Ｘ－射线双晶衍射的测量结果进行了对比，二者具有很好的一致性，实验结果证明，光致发光方法是判断ＬＰＥ晶体质量简单而有效的方法。     

SiGe／Si异质pn结的反向C—V特性研究

对SiGe／Si异质pn结的反向C—V特性从理论和实验上进行了研究．建立了SiGe／Si异质pn结的反向C—V特性灰色系统GM(1．1)模型．模型与实验数据符合良好．精确度较高．     

掺Si对Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O体材料的超导电性和微结构的影响

自从Maeda等人发现Bi-Sr-Ca-Cu-O材料的超导电性以来,Bi系体材料和薄膜材料的研究已取得了重大的进展。为了实际应用的需要,直接在Si或SiO_2衬底上制备Bi-Sr-Ca-Cu-O膜是很必要的,因此需要知道Si对Bi系材料超导电性的影响。本文报道了掺Si对Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O体材料的超导电性的影响的初步研究结果。     

硅钢中Si原子对C原子扩散过程影响的第一性原理研究

使用基于密度泛函理论的第一性原理计算法探究硅钢内部C原子的扩散特性。首先,建立2×2×2的硅钢晶胞;其次,由过渡态搜索(CI-NEB)方法确定C原子在硅钢晶胞中的扩散方式,即C原子通过在第一邻近(Ⅰ)八面体间隙位置之间连续跳跃完成自身扩散;最后,通过设置不同C原子的扩散路径,计算得出C原子扩散激活能及扩散系数。研究结果表明：在硅钢中C原子的占位为八面体间隙位置,硅钢中的硅元素可以减小C原子的扩散激活能,增大C原子扩散系数,使得C原子在铁基合金中更容易发生扩散。综上可知,运用第一性原理探究合金中原子相互作用及扩散特性是准确且可行的。     

射频溅射中氩气压强对Ge/Si多层膜的影响

用射频磁控溅射制备了一系列Ｇｅ／Ｓｉ多层膜,采用Ｘ射线小角衍射测量了不同溅射压强下制备的样品,计算出了多层膜的周期．通过计算机模拟实验曲线确定出了Ｇｅ和Ｓｉ的分层厚度,计算出了不同压强下的溅射速率．实验和计算机模拟都表明了在衬底温度为５９０℃、溅射功率为１５０Ｗ的溅射条件下１．５～２．５Ｐａ氩气压强时制备出的样品周期性、均匀性和平整性都比其它压强下制备的样品好．     

高温热退火时异质结薄膜CeO2／Si界面扩散—反应的？…

基于ＣｅＯ２／Ｓｉ异质结在氧气氛下高温退火界面存在扩散反应过程，建立了扩散－反应方程。对有关的实测数据进行了计算机拟合，其结果与实验能很好吻合。不同温度下的拟合结果还表明，异质结界面处Ｏ．Ｃｅ，Ｓｉ扩散系数及Ｓｉ的氧化反应系数的随温度指数上升，并计算出扩散反应激活能。     

Si对高Si／C比灰铸铁奥氏体枝晶数量的影响规律

本文运用定向凝固方法，在没冷却条件下对不同成分灰铸铁的凝固过程运用微分仪进行热分析，结果表明：在碳当量相同的条件下，随着Ｓｉ／Ｃ比的，Ｆｅ－Ｃ－Ｓｉ合金的最小共晶凝固温度升高，并进一步分析了Ｓｉ使高Ｓｉ／Ｃ比灰铸铁奥氏体枝晶数量增加的原因，提出了Ｓｉ促使灰铸铁共晶共生区向右偏移的一论断，并利用出现奥氏体枝晶的临界冷却速度，并定量地描绘出了硅使得共晶共生区向左偏移的曲线。