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相似文献
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1.
磁电阻效应在基础研究上具有重要意义及广泛的应用前景,寻找既具有低饱和场,又具有高磁电阻效应的磁性材料已成为当前国际上材料研究热点之一.本文介绍了几种磁电阻效应以及磁电阻材料在高密度读出磁头、磁性随机存储器等领域的应用前景.  相似文献   

2.
利用散射矩阵理论,研究了多通道纳米线结构中的量子化电导、自旋极化和弹道磁电阻.结果表明:在铁磁排列时,自旋简并解除,量子化电导以e2/h为单位变化,自旋极化率可以达到33%;随着纳米线宽度的减小,弹道磁电阻增长迅速;当线细到只有一种自旋态电子通过时,磁电阻达到无穷大,其自旋极化率为100%.  相似文献   

3.
在两带模型的基础上,计算了外电场下有限厚铁磁层隧道结中的隧穿磁电阻(TMR),结果发现:隧穿磁电阻不仅随铁磁层厚度变化而振荡,而且在适当条件下能够达到相当大的值;尽管外电场引起了隧穿磁电阻振荡的周期、位相和振幅的变化,但振荡的特征以及TMR随两个铁磁层磁化矢量夹角的单调变化现象并没有因外电场的加入而改变。  相似文献   

4.
金属点接触中的量子化电导   总被引:1,自引:0,他引:1  
用三维-一维-三维(3D-1D-3D)模型,研究了介观尺寸的弹道电子输运.利用单电子近似和模匹配技术求解三维自由电子气中的单电子薛定谔方程,得出了以2e2/h为单位的量子化电导.与2D-1D-2D模型体系中的结果不同,该模型体系出现了基于方位角简并的、以2×2e2/h为单位的电导量子化现象  相似文献   

5.
对具有不同A位平均离子尺寸的AMnO3型Mn基钙钛矿样品的阻温关系和电子顺磁共振谱等进行了实验研究.结果表明,在温度与A位平均离子尺寸的相图上,除了普遍公认的高温顺磁绝缘体相和低温长程铁磁有序的金属相外,在两相之间还存在一过渡相,其起因源于顺磁绝缘体背景上出现短程铁磁有序的金属集团所致.研究结果还表明,外加磁场加速铁磁金属集团的生成和长大是导致庞磁电阻效应的主要原因.  相似文献   

6.
研究了用快淬制备的铸态和退火处理后的颗粒合金膜Co 20NixCu 80-x(0≤x≤20)的结构、磁电阻性能.利用电镜观察到Co-Ni纳米颗粒在Co-Ni-Cu合金薄膜中分布均匀,与Co-Cu合金薄膜有不同.CoNiCu系列样品随Ni成分的增加,其相变过程由形核长大类型向失稳分解类型过渡.而且在室温下有比Co-Cu样品有更大的MR幅度.750 K下退火10 min的Co 20Ni5Cu 75快淬条带在300 K下的ΔR/R≌6.5%.  相似文献   

7.
在已有的单自旋过滤磁性隧道结铁磁金属/绝缘体/铁磁绝缘体/普通金属(FM/I/FI/NM)研究的基础上,将其中的铁磁绝缘层(FI)换为铁磁半导体层(FS),研究了铁磁金属/绝缘体/铁磁半导体/普通金属(FM/I/FS/NM)磁性隧道结中的隧穿磁电阻(TMR)现象.结果表明:由于FS层中的自旋过滤效应和Rashba自旋轨道耦合的影响,FM/I/FS/NM结可以在FS层厚度较大的情况下获得非常大的TMR值,从而避免已有的FM/I/FI/NM单自旋过滤结(FI表示铁磁绝缘层)中TMR随FI层厚度增加而下降所导致FI层不能做的太厚带来的制备上的困难.同时,计算结果还显示,FM/I/FS/NM结的TMR随铁磁半导体层FS的厚度,FS层中的Rashba自旋轨道耦合强度和分子场的变化呈振荡变化,随绝缘层I厚度的增加呈饱和趋势.  相似文献   

8.
在传统的电镀沉积纳米镍点接触方法的基础上,在电镀时外加一个恒定的磁场,改变了其纳米点结的微观磁结构,改善了样品的成功率和重复性.这种性能的改善被认为是在电镀过程中的纳米镍晶在外磁场下择优取向所致,这种择优取向引起了纳米点结的磁畴结构的变化,从而揭示了纳米点接触中的弹道磁电阻效应.  相似文献   

9.
1974年,Slonczewski提出的铁磁金属/绝缘体/铁磁金属(FM/I/FM)结构中存在隧道巨磁电阻(TMR)效应,当两铁磁层磁化方向平行或反平行时,FM/I/FM隧道结将有不同的电阻值。很快,Julliere在Fe/Ge/Co隧道结中证实了这一点。这种因外磁场改变隧道结铁磁层的磁化状态而导致其电阻变化的现象,称为隧道磁电阻效应。随后,人们对一系列FM/I/FM磁隧道结的输运性质进行了研究。由于磁隧道结中两铁磁层间不存在或基本不存在层间耦合,  相似文献   

10.
在FM/I/NM/I/FM磁性双隧道结研究的基础上,进一步考虑了外加有限厚的非磁金属(NM)覆盖层的情况,这时磁性双隧道结的结构变为NM/FM/I/NM/I/FM/NM。此处,FM、I和内NM都具有有限厚度。而在理论处理中,外NM被看做是无限厚的,对FM厚度于磁性双隧道结中自旋极化电子输运性质(特别是隧穿磁电阻)的影响做了研究。用Slonczewski近自由电子模型所得到的计算结果表明,附厚度的变化会引起隧穿电阻和隧穿磁电阻振荡;当FM厚度取适当值时,会得到比FM/I/NM/I/FM更大的隧穿磁电阻。  相似文献   

11.
铁磁金属薄膜磁阻传感器的研制   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文介绍用离子溅射技术和微细加工技术制备磁性薄膜磁阻传感器的方法及初步结果,并对有关问题进行讨论。  相似文献   

12.
The magnetoresistance and I-V characteristics at different temperatures of the thin film ferromagnetic nanoconstrictions of variable width (from 20 to 250 nm) and 10 nm thicknesses, fabricated by electron beam lithography and vacuum thin film deposition are compared. The magnetoresistance and resistance of the thin film ferromagnetic nanoconstrictions are not related to the width of the nanoconstrictions. Instead the resistance of the local nano-region in the middle of the thin film ferromagnetic nanoconstriction has only a minor role compared to that of the two microscale thin film ferromagnetic electrodes, which contribute the majority of the measured resistance. The magnetoresistances of the thin film ferromagnetic nanoconstrictions and a 0.2 cm × 0.8 cm thin ferromagnetic film deposited under the same conditions were also compared; the thin film ferromagnetic nanoconstrictions have higher magnetoresistances than the thin ferromagnetic film, which implies that the measured magnetoresistance of the thin film ferromagnetic nanoconstrictions comes mainly from the local nano-region in their centers. In conclusion, the measured magnetoresistance of the whole sample is similar to the anisotropic magnetoresistance, because the resistance of the two microscale thin film ferromagnetic electrodes is much higher than that of the local nano-region in the middle of the samples. Comparing the experimental results for the thin film ferromagnetic nanoconstrictions and the thin ferromagnetic film reveals that the magnetoresistance of the local nano-region in the middle of the sample is much higher than that of the two microscale thin film ferromagnetic electrodes attached to it.  相似文献   

13.
根据研究La1/3(CaxBa1-x)2/3MnO3多晶材料温度及磁场特性的要求,设计一套高低温电阻、磁电阻测量系统。测量结果分析表明该系统是可行的,且满足实验的要求,系统的建立将为研究其它磁性材料的温度、磁场特性提供良好的实验条件。  相似文献   

14.
采用溶胶-凝胶工艺制备La0.7Ba0.3Mn1-xFexO3化合物.研究其磁性、导电性和磁电阻效应.结果表明,随着Fe含量的增加,电阻率增加,铁磁居里温度近似线性下降  相似文献   

15.
用磁畴组态能量比较方法,导出外磁场场强为H时的铁磁微晶(即尺寸小于L_0的铁磁性单晶体;L_0为外磁场H为零时,单畴粒子尺寸的临界值)临界尺寸表达式,给出了与微晶尺寸L_s相关的矫顽强度H(L_s);并以SmCo_5材料为例,对H(L_s)做了定量估计。得出:在L_s小于L_0而大于L_c时,微晶也与尺寸大于L_0o的粒子类似,反磁化经历多畴过程;当L_s≤L_c时,反磁化才按Stoner-Wohlforth机制进行。认为用RECo_5材料制做具有_MH_C=2k/M_s的高级磁体是可能的。  相似文献   

16.
We review the giant tunnel magnetoresistance (TMR) in ferromagnetic-insulator-ferromagnetic junctions discovered in recent years, which is the magnetoresistance (MR) associated with the spin-dependent tunneling between two ferromagnetic metal films separated by an insulating thin tunnel barrier. The theoretical and experimental results including junction conductance, magnetoresistance and their temperature and bias dependences are described.  相似文献   

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